臺(tái)積電上海技術(shù)論壇到底講了些什么？（1）

6月21日，在結(jié)束美洲、歐洲、中國(guó)臺(tái)灣等地的年度技術(shù)論壇之后，臺(tái)積電正式在中國(guó)上海召開(kāi)年度技術(shù)論壇。本場(chǎng)論壇由臺(tái)積電總裁魏哲家、臺(tái)積電中國(guó)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球領(lǐng)銜，臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)暨海外運(yùn)營(yíng)辦公室資深副總張曉強(qiáng)、歐亞業(yè)務(wù)及技術(shù)研究資深副總侯永清也都有出席。在此次論壇上，臺(tái)積電分享了其最新的技術(shù)路線(xiàn)以及對(duì)產(chǎn)業(yè)未來(lái)趨勢(shì)的看法。此外，之前傳聞還顯示，臺(tái)積電相關(guān)高管還將拜訪阿里巴巴 、壁仞等大陸重要客戶(hù)。

臺(tái)積電最新2022年年報(bào)顯示，去年產(chǎn)出占全球半導(dǎo)體（不含存儲(chǔ)）市場(chǎng)產(chǎn)值30%，較前一年度的26%增加。公司營(yíng)收凈額以客戶(hù)營(yíng)運(yùn)總部所在地區(qū)分，北美市場(chǎng)占比高達(dá)68%、亞太市場(chǎng)（不含日本與中國(guó)大陸）占比11%、大陸市場(chǎng)占比11%。另外，臺(tái)積電大陸廠區(qū)獲利則約占臺(tái)積電全年度獲利個(gè)位數(shù)百分比。

從今年第一季度財(cái)報(bào)來(lái)看，中國(guó)大陸業(yè)務(wù)占臺(tái)積電營(yíng)收10%至15%，僅次于北美業(yè)務(wù)。

從臺(tái)積電在中國(guó)大陸的產(chǎn)能布局來(lái)看，臺(tái)積電2002年在上海松江設(shè)立8吋晶圓廠，并于2016年在南京設(shè)12吋晶圓廠和一座設(shè)計(jì)服務(wù)中心。目前，臺(tái)積電南京廠的28nm制程擴(kuò)產(chǎn)已于去年量產(chǎn)。

數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電上海廠營(yíng)收在臺(tái)積電2021年總營(yíng)收當(dāng)中的占比僅約1%，上海與南京廠2021年獲利約200億元新臺(tái)幣（約合人民幣46.4億元），由于臺(tái)積電獲利穩(wěn)健成長(zhǎng)，該年度累計(jì)獲利超過(guò)5,100億元新臺(tái)幣（約合人民幣1184億元），大陸兩個(gè)廠區(qū)獲利貢獻(xiàn)接近4%，仍有相當(dāng)大的成長(zhǎng)空間。

芯智訊認(rèn)為，此次臺(tái)積電上海技術(shù)論壇的召開(kāi)以及傳聞魏哲家將在會(huì)后帶隊(duì)拜訪中國(guó)大陸客戶(hù)，目的是為了進(jìn)一步加強(qiáng)與國(guó)內(nèi)廠商的合作，降低如美國(guó)新規(guī)等外在因素對(duì)于臺(tái)積電與國(guó)內(nèi)客戶(hù)之間正常合作的影響，即明確對(duì)于在非實(shí)體清單內(nèi)的國(guó)內(nèi)客戶(hù)可以不受影響的正常代工合作，也就是說(shuō)目前臺(tái)積電最先進(jìn)的3nm代工都不會(huì)受到影響。對(duì)于這一點(diǎn)，芯智訊也得到了臺(tái)積電內(nèi)部人士的確認(rèn)，并且了解到，目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)有若干客戶(hù)在采用臺(tái)積電3nm工藝代工。不過(guò)，未來(lái)涉及GAA的制程可能存在影（美方有限制GAA相關(guān)EDA）。

對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，在半導(dǎo)體行業(yè)下行周期之下，加強(qiáng)與大陸廠商合作，也有望幫助臺(tái)積電提升產(chǎn)能利用率和維持毛利率。

對(duì)于此次上海論壇的內(nèi)容，除了宣布將推出面向汽車(chē)的N3AE和N3A制程，以及面向射頻的N4PRF制程之外，基本與之前的海外技術(shù)論壇內(nèi)容相近。由于此次活動(dòng)未邀請(qǐng)媒體，臺(tái)積電官方僅向芯智訊提供了一份媒體資料稿，芯智訊結(jié)合資料內(nèi)容以及此前的相關(guān)報(bào)道整理如下：

二、特殊工藝

臺(tái)積電提供了業(yè)界最全面的特殊工藝產(chǎn)品組合，包括電源管理、射頻、CMOS 影像感測(cè)等，涵蓋廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。從2017年到2022年，臺(tái)積電對(duì)特殊工藝技術(shù)投資的年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)40%。到2026年，臺(tái)積公司預(yù)計(jì)將特殊工藝產(chǎn)能提升近50%。

汽車(chē)：將3nm帶入汽車(chē)市場(chǎng)

隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向自動(dòng)駕駛方向發(fā)展，運(yùn)算需求正在快速增加，且需要最先進(jìn)的邏輯技術(shù)。到 2030 年，臺(tái)積電預(yù)計(jì) 90% 的汽車(chē)將具備先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS），其中 L1、L2 和 L2+/L3 將有望分別達(dá)到 30% 的市場(chǎng)占有率。

在過(guò)去三年，臺(tái)積電推出了汽車(chē)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)平臺(tái)（ADEP），通過(guò)提供領(lǐng)先業(yè)界、Grade 1 品質(zhì)認(rèn)證的 N7A 和 N5A 工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)客戶(hù)在汽車(chē)領(lǐng)域的創(chuàng)新。

為了讓客戶(hù)在技術(shù)成熟前就能預(yù)先進(jìn)行汽車(chē)產(chǎn)品設(shè)計(jì)，臺(tái)積電推出了 AutoEarly，作為提前啟動(dòng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)并縮短上市時(shí)間的墊腳石。

●N4AE 是基于 N4P 開(kāi)發(fā)的新技術(shù)，將允許客戶(hù)在 2024 年開(kāi)始進(jìn)行試產(chǎn)。

●從前面的臺(tái)積電的Roadmap來(lái)看，臺(tái)積電計(jì)劃在2024年推出業(yè)界第一個(gè)基于3nm的Auto Early技術(shù)，命名為N3AE。N3AE提供以N3E為基礎(chǔ)的汽車(chē)制程設(shè)計(jì)套件（PDK），讓客戶(hù)能夠提早采用3nm技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)汽車(chē)應(yīng)用產(chǎn)品，以便于2025年及時(shí)采用屆時(shí)已全面通過(guò)汽車(chē)制程驗(yàn)證的N3A 工藝技術(shù)。N3A 也將成為全球最先進(jìn)的汽車(chē)邏輯工藝技術(shù)。

支持 5G 和聯(lián)網(wǎng)性的先進(jìn)射頻技術(shù)

臺(tái)積電在 2021 年推出了 N6RF，該技術(shù)是基于公司創(chuàng)紀(jì)錄的 7 納米邏輯工藝技術(shù)，在速度和能源效率方面均具有同級(jí)最佳的晶體管性能。

●結(jié)合了出色的射頻性能以及優(yōu)秀的 7 納米邏輯速度和能源效率，臺(tái)積電的客戶(hù)可以通過(guò)從 16FFC 轉(zhuǎn)換到 N6RF，在半數(shù)字和半類(lèi)比的射頻 SoC 上實(shí)現(xiàn)功耗降低 49%，減免移動(dòng)設(shè)備在能源預(yù)算以支持其他不斷成長(zhǎng)的功能。

●臺(tái)積電在此次上海技術(shù)論壇上宣布推出最先進(jìn)的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）射頻技術(shù) N4PRF，預(yù)計(jì)于 2023 年下半年發(fā)布。相較于 N6RF，N4PRF 邏輯密度增加 77%，且在相同效能下，功耗降低45%。N4PRF 也比其前代技術(shù) N6RF 增加了 32%的 MOM 電容密度。

不過(guò)，芯智訊并未在臺(tái)積電網(wǎng)站上找到關(guān)于N4PRF 更進(jìn)一步的資料。臺(tái)積電PR部門(mén)表示，該工藝目前還在早期，因此無(wú)法提供更詳細(xì)的信息。

超低功耗

●臺(tái)積電的超低功耗解決方案持續(xù)推動(dòng)降低 Vdd，以實(shí)現(xiàn)對(duì)電子產(chǎn)品而言至關(guān)重要的節(jié)能。

●臺(tái)積電不斷提升技術(shù)水平，從 55ULP 的最小 Vdd 為 0.9V，到 N6e 的 Vdd已低于 0.4V，我們提供廣泛的電壓操作范圍，以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)設(shè)計(jì)來(lái)達(dá)成最佳的功耗∕性能。

● 相較于 N22 解決方案，即將推出的 N6e 解決方案可提供約 4.9 倍的邏輯密度，并可降低超過(guò) 70%的功耗，為穿戴式設(shè)備提供極具吸引力的解決方案。

MCU / 嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器

●臺(tái)積電最先進(jìn)的 eNVM 技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了基于 16/12 納米的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）技術(shù)，令客戶(hù)能夠從 FinFET 晶體管架構(gòu)的優(yōu)秀性能中獲益。

●由于傳統(tǒng)的浮閘式 eNVM 或 ESF3 技術(shù)越來(lái)越復(fù)雜臺(tái)積電還大量投資于RRAM 和 MRAM 等新的嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)。

這兩種新技術(shù)都已經(jīng)取得了成果，正在 22 納米和 40 納米上投產(chǎn)。

臺(tái)積電正在計(jì)劃開(kāi)發(fā) 6 納米 eNVM 技術(shù)。

RRAM：已經(jīng)于 2022 年第一季開(kāi)始生產(chǎn) 40/28/22 納米的 RRAM。

●臺(tái)積電的 28 納米 RRAM 進(jìn)展順利，具備可靠效能，適于汽車(chē)應(yīng)用。

●臺(tái)積電正在開(kāi)發(fā)下一代的 12 納米 RRAM，預(yù)計(jì)在 2024 年第一季就緒。

MRAM：2020 年開(kāi)始生產(chǎn)的 22 納米 MRAM 主要用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，現(xiàn)在，臺(tái)積電正在與客戶(hù)合作將 MRAM 技術(shù)用于未來(lái)的汽車(chē)應(yīng)用，并預(yù)計(jì)在 2023 年第二季取得 Grade 1 汽車(chē)等級(jí)認(rèn)證。

●為了滿(mǎn)足未來(lái)感測(cè)器的需求，實(shí)現(xiàn)更高品質(zhì)且更智能的感測(cè)，臺(tái)積電一直致力于研究多晶圓堆疊解決方案，以展示新的感測(cè)器架構(gòu)，例如堆疊像素感測(cè)器、最小體積的全域快門(mén)感測(cè)器、基于事件的 RGB 融合感測(cè)器，以及具有集成存儲(chǔ)器的 AI 感測(cè)器。

顯示器

●在 5G、人工智能和 AR/VR 等技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，臺(tái)積電正致力于為許多新應(yīng)用提供更高的分辨率和更低的功耗。

●下一代高階 OLED 面板將需要更多的數(shù)字邏輯和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）內(nèi)容，以及更快的幀率，為了滿(mǎn)足此類(lèi)需求，臺(tái)積公司正在將其高壓（HV）技術(shù)導(dǎo)入到 28 奈納米的產(chǎn)品中，以實(shí)現(xiàn)更好的能源效率和更高的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)密度。

●臺(tái)積電領(lǐng)先的 μDisplay on silicon 技術(shù)可以提供高達(dá) 10 倍的像素密度，以實(shí)現(xiàn)如 AR 和 VR 中使用的近眼顯示器所需之更高分辨率。