美國(guó)政府向格芯提供3500萬(wàn)美元資助，提升氮化鎵芯片供應(yīng)能力

11月1日消息，晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）已經(jīng)從美國(guó)政府手中獲得了3,500萬(wàn)美元的聯(lián)邦資金資助，以加速該公司位于美國(guó)佛蒙特州Essex Junction的晶圓廠對(duì)于第三代半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）的大規(guī)模量產(chǎn)。

GaN芯片在處理高電壓和高溫環(huán)境能力方面表現(xiàn)突出，使其能為基礎(chǔ)設(shè)施、手機(jī)、汽車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的5G和6G通信提供出色的性能和效率。

此前美國(guó)國(guó)防部Trusted Access Program Office（TAPO）給予的31億美元新資金，格芯計(jì)劃購(gòu)買(mǎi)額外的工具，以擴(kuò)大開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)能力，更接近大規(guī)模生產(chǎn)8英寸GaN晶圓。做為投資的一部分，格芯計(jì)劃實(shí)施新的計(jì)劃，以減少公司及其客戶對(duì)鎵（Ga）供應(yīng)鏈限制的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)提高美國(guó)制造的GaN芯片的速度、供應(yīng)能力和競(jìng)爭(zhēng)力。

格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示，GaN是高性能射頻、高壓功率開(kāi)關(guān)等新興市場(chǎng)的控制應(yīng)用理想技術(shù)，將對(duì)6G無(wú)線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)生重大的影響。而格芯與美國(guó)政府有著長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系，這筆資金對(duì)于使GaN芯片能更接近大量生產(chǎn)階段。另外，這些芯片也將使格芯的客戶能夠達(dá)成大膽的新設(shè)計(jì)，進(jìn)一步突破每天所依賴關(guān)鍵技術(shù)的能耗和性能極限。

格芯位于美國(guó)佛蒙特州伯靈頓附近Essex Junction的晶圓廠為美國(guó)最早的主要半導(dǎo)體制造基地之一。如今，約有1,800員工在此地工作。在此格芯晶圓廠所制造出來(lái)的芯片將被用于世界各地的智能型手機(jī)、汽車(chē)和通信基礎(chǔ)設(shè)施上。另外，該晶圓廠是也DMEA認(rèn)證的可信賴晶圓廠，用以與美國(guó)國(guó)防部合作生產(chǎn)安全芯片，應(yīng)用于美國(guó)一些最敏感的航空航天和國(guó)防系統(tǒng)上。

編輯：芯智訊-林子