華虹無錫一期項目二階段擴(kuò)產(chǎn)完成，實(shí)現(xiàn)總產(chǎn)能9.45萬片/月

1月27日消息，近日業(yè)內(nèi)消息顯示，華虹無錫12英寸產(chǎn)線已經(jīng)完成了一期的增資擴(kuò)產(chǎn)，新增12英寸產(chǎn)品投片2.95萬片/月，實(shí)現(xiàn)了一期項目月產(chǎn)9.45萬片總目標(biāo)。

資料顯示，2017年8月，華虹無錫一期項目落戶無錫高新區(qū)。一期項目 (華虹七廠)投資25億美元，建成投片的一條工藝等級90 ~ 65/55納米、月產(chǎn)能4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線。2019年9月17日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地一期12英寸生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)。

2021年，無錫華虹集成電路一期擴(kuò)能項目啟動，計劃總投資52億元，將形成一條工藝等級90-65/55nm、月產(chǎn)能達(dá)到6.5萬片的12吋特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線。

2022年6月，無錫華虹集成電路一期（二階段）擴(kuò)能項目開始規(guī)劃，總投資在758664萬元，2023年1月動工，在2023年6月~9月期間進(jìn)行調(diào)試，驗(yàn)收報告完成于2023年11月，并在2023年12月發(fā)布公示，新增12英寸產(chǎn)品投片2.95萬片/月。

目前，一期項目經(jīng)過兩輪擴(kuò)產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)9.45萬片總目標(biāo)。在這9.45萬片投片中，包含2 萬片/月嵌入式非易失性存儲器、 1.7 萬片/月模擬和電源管理芯片、 2.95 萬片/月邏輯和射頻開關(guān)芯片、 2.8 萬片/月功率半導(dǎo)體芯片。工藝維持在90nm-65/55nm 工藝。

值得一提的是，華虹無錫一期項目是全球領(lǐng)先的12英寸特色工藝生產(chǎn)線，也是全球第一條12英寸功率器件代工生產(chǎn)線。華虹無錫工藝節(jié)點(diǎn)覆蓋90~65/55納米，先進(jìn)“特色I(xiàn)C + Power Discrete”強(qiáng)大的工藝平臺有力支持新能源汽車、綠色能源、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域應(yīng)用，其卓越的質(zhì)量管理體系亦滿足汽車電子芯片生產(chǎn)的嚴(yán)苛要求。

2023年6月8日，華虹集團(tuán)決定由華虹宏力在無錫高新區(qū)啟動實(shí)施華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期（華虹九廠）項目，投資67億美元，新建一條產(chǎn)能8.3萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線。2023年6月30日，華虹無錫二期項目正式開工，12月24日項目主廠房鋼屋架吊裝完成，在不到半年時間內(nèi)，廠房主體建設(shè)就已完成70%。

編輯：芯智訊-浪客劍