SK海力士HBM4將采用第六代1c制程DRAM顆粒

5月16日消息，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士在今年的IEEE IMW國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，透露了HBM4E內(nèi)存開發(fā)周期已縮短到一年，也介紹更多細(xì)節(jié)。SK海力士技術(shù)人員Kim Kwi Wook表示，SK海力士正在基于第六代10nm級(jí)1c制程32Gb DRAM裸片構(gòu)建HBM4E內(nèi)存。

目前三大內(nèi)存芯片廠商均尚未量產(chǎn)第六代10nm級(jí)1c制程DRAM內(nèi)存顆粒，但三星、SK海力士首批六代10nm級(jí)1c制程DRAM預(yù)定于今年量產(chǎn)。相比之下，美光要到2025年才量產(chǎn)，新DRAM內(nèi)存顆粒有望使密度和能效更改進(jìn)。

據(jù)了解，SK海力士已經(jīng)量產(chǎn)的HBM3E采用的是第五代10nm級(jí)1b制程DRAM，尚未確認(rèn)HBM4是否更新DRAM裸片制程。

據(jù)韓媒The Elec報(bào)導(dǎo)，SK海力士將HBM4量產(chǎn)時(shí)間提前到2025下半年，沿用第五代10nm級(jí)1b制程更符合研發(fā)節(jié)奏。

目前主流的HBM3E產(chǎn)品均采24Gb DRAM顆粒，HBM3E可因八層堆疊達(dá)24GB單堆疊容量，如果12層堆疊，HBM3E堆疊后容量可達(dá)36GB。將來HBM4E更新到32Gb DRAM裸片后，12層堆疊就能達(dá)48GB單顆容量，16層版更是可以達(dá)到64GB的超大容量，為AI創(chuàng)造更多的可能應(yīng)用的場(chǎng)景。

Kim Kwi Wook預(yù)計(jì)，HBM4E內(nèi)存可較HBM4帶寬提升40%、密度提升30%，同時(shí)能效也提高30%。談到混合鍵合看法，Kim Kwi Wook認(rèn)為目前仍有良率不佳問題，SK海力士下代HBM4采用混合鍵合可能性不大。

編輯：芯智訊-林子