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英諾賽科赴港IPO:三年虧損67億元,被英飛凌等起訴專利侵權(quán)!

發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2024-07-05 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

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6月12日晚間,氮化鎵龍頭大廠英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”)正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請(qǐng),如果一切順利的話,英諾賽科將可借助資本市場(chǎng)的力量,進(jìn)一步加速自身的發(fā)展。


全球氮化鎵功率半導(dǎo)體龍頭,累計(jì)出貨量超過(guò)5億顆


根據(jù)招股書顯示,英諾賽科成立于2015年12月,其是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè),公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體,主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓(15V-1200V)的氮化鎵功率器件。截至2023年12月31日,公司在全球有約700項(xiàng)專利及專利申請(qǐng),涵蓋芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測(cè)試等關(guān)鍵領(lǐng)域。


英諾賽科表示,其是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司,在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大突破。相較于6英寸硅基氮化鎵晶圓,英諾賽科的8英寸量產(chǎn)技術(shù)使晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%,單一器件成本降低30%。同時(shí),英諾賽科還是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。


具體來(lái)看,在2023年,英諾賽科氮化鎵晶圓總產(chǎn)能為9.27萬(wàn)片,產(chǎn)量為6.66萬(wàn)片左右,產(chǎn)能利用率為71.8%。其中,蘇州工廠2023年產(chǎn)能為4.8萬(wàn)片/年,產(chǎn)量為4.13萬(wàn)片左右,產(chǎn)能利用率為86%;珠海工廠2023年產(chǎn)能為4.47萬(wàn)片,產(chǎn)量為2.5萬(wàn)片左右,產(chǎn)能利用率為56.5%。

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截至2023年12月31日,英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,月產(chǎn)能高達(dá)10000片晶圓,晶圓良率超過(guò)95%。


目前英諾賽科設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及制造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件,已經(jīng)廣泛用于各種低中高壓應(yīng)用場(chǎng)景,產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V。


從應(yīng)用端來(lái)看,英諾賽科的氮化鎵產(chǎn)品已在激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無(wú)線充電、車載充電器、LED燈照明驅(qū)動(dòng)等方面發(fā)布產(chǎn)品方案,并與國(guó)內(nèi)多家應(yīng)用頭部企業(yè)開(kāi)展深度合作,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。


根據(jù)弗若斯特沙利文的資料顯示,按收入統(tǒng)計(jì),英諾賽科于2023年在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。該公司2023年收入為5.93億元,占氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)份額的33.7%。截至2023年12月31日,以折算氮化鎵分立器件計(jì),公司累計(jì)出貨量超過(guò)5億顆。


招股書還顯示,英諾賽科在IPO之前總?cè)谫Y額突破60億元。在英諾賽科2024年4月的E輪融資中,武漢高科與東方富興斥資6.5億元入股,認(rèn)購(gòu)了2.77%的股份,對(duì)于英諾賽科的估值已經(jīng)達(dá)到了235億元。


近三年累計(jì)虧損67億元


招股書顯示,2021年、2022年及2023年,英諾賽科實(shí)現(xiàn)收入分別是6821.5萬(wàn)元、1.36億元、5.93億元,呈現(xiàn)持續(xù)倍增態(tài)勢(shì);同期分別虧損34億元、22.05億元、11.02億元,累計(jì)虧損額約67億元;經(jīng)調(diào)整凈虧損分別為10.81億元、12.77億元和10.16億元,合計(jì)虧損33.74億元。經(jīng)營(yíng)活動(dòng)所用現(xiàn)金凈額分別是5.62億元、9.36億元、5.94億元;年末現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物分別為12.79億元、7.11億元、3.29億元。

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收入的區(qū)域來(lái)源看,2023年英諾賽科境外銷售收入5800萬(wàn)元,占同期總收入的9.8%,境內(nèi)銷售收入占比高達(dá)90.2%。累計(jì)向約100名境內(nèi)外客戶提供了氮化鎵產(chǎn)品。


從前五大客戶貢獻(xiàn)的營(yíng)收占比看,2021年、2022年及2023年,來(lái)自公司最大客戶的收入分別為0.22億元、0.14億元、1.9億元,占其同期總收入的32.7%、10.2%及32.1%;來(lái)自公司五大客戶的總收入分別占其同期總收入的63.5%、39.7%及56.3%。顯示對(duì)于前五大客戶的依賴程度并不算高。


對(duì)于近三年持續(xù)虧損的原因,英諾賽科稱,主要是由于生產(chǎn)設(shè)備大幅折舊、大額研發(fā)開(kāi)支、銷售及營(yíng)銷開(kāi)支的不斷增加導(dǎo)致。


招股書也顯示,2021年至2023年,英諾賽科的銷售成本快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),分別達(dá)到了2.5億元、5.3億元、9.55億元;英諾賽科的銷售及營(yíng)銷開(kāi)支也在快速增長(zhǎng),分別達(dá)到了2840萬(wàn)元、6930萬(wàn)元和9010萬(wàn)元;相比之下,研發(fā)開(kāi)支持續(xù)降低,為6.62億元、5.81億元、3.49億元。


對(duì)于研發(fā)開(kāi)支有所減少的問(wèn)題,英諾賽科解釋稱,主要是公司自2022年第二季度起,從研發(fā)階段進(jìn)展至大規(guī)模生產(chǎn)階段。招股書顯示,在初步研發(fā)階段,公司已分配大量資源來(lái)開(kāi)發(fā)專有技術(shù),包括8英吋硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)及設(shè)計(jì)技術(shù),經(jīng)驗(yàn)證后,該等技術(shù)有望產(chǎn)生長(zhǎng)期成果。隨著不斷完善技術(shù)及流程以及擴(kuò)大產(chǎn)能,研發(fā)投資開(kāi)始轉(zhuǎn)化為日益增長(zhǎng)的商業(yè)成功。


英諾賽科預(yù)計(jì),不久將來(lái)通過(guò)持續(xù)收入增長(zhǎng)、規(guī)模經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及經(jīng)營(yíng)杠桿有所改善下提高財(cái)務(wù)表現(xiàn)及實(shí)現(xiàn)盈利。后續(xù),計(jì)劃采取推動(dòng)全球氮化鎵生態(tài)發(fā)展并提升市場(chǎng)滲透率、擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品組合及客戶群、加大產(chǎn)能擴(kuò)張、持續(xù)研發(fā)并夯實(shí)技術(shù)壁壘及實(shí)施全球化戰(zhàn)略等戰(zhàn)略。


擬募資擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能


此次港股IPO募資,英諾賽科擬將募資中約50%用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器及招聘生產(chǎn)人員;約17%用于償還銀行貸款;約15%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合,以提高終端市場(chǎng)(如消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心)中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率;約8%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò);約10%用于營(yíng)運(yùn)資金及其他一般公司用途。


英諾賽科認(rèn)為,隨著公司業(yè)務(wù)及收入增長(zhǎng),其預(yù)期將受惠于規(guī)模經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),繼而令毛利及毛利率顯著改善,“預(yù)計(jì)我們的毛利率將在不久的將來(lái)顯著改善并實(shí)現(xiàn)正毛利”。


英諾賽科指出,隨著產(chǎn)品出貨量增加及規(guī)模經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),折舊(作為固定成本是銷售成本的重大部分)按每件產(chǎn)品的出貨成本計(jì)預(yù)計(jì)將大幅攤??;公司亦預(yù)計(jì)其運(yùn)營(yíng)成本(主要包括封裝及測(cè)試、材料及能源)占收入的比例將繼續(xù)得到優(yōu)化。


英諾賽科還計(jì)劃提高經(jīng)營(yíng)杠桿,將有效管理開(kāi)支占總收入的百分比,并預(yù)期通過(guò)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益及增強(qiáng)經(jīng)營(yíng)杠桿來(lái)提高利潤(rùn)率?!半S著我們擴(kuò)大業(yè)務(wù)規(guī)模、規(guī)模經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)、提高經(jīng)營(yíng)杠桿及更有效管理營(yíng)運(yùn)資金,我們預(yù)期經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流入凈額將進(jìn)一步改善,將在不久將來(lái)實(shí)現(xiàn)經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流入?!?/p>


駱薇薇控制了約34.47%的股權(quán)


招股書顯示,目前,英諾賽科的創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)及執(zhí)行董事駱薇薇,其直接持股比例為5.9%,間接持股比例為23.1%。駱薇薇、InnoHolding、英諾芯、InnoHK、英諾優(yōu)朋和芯生大鵬共同組成控股股東集團(tuán)。

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駱薇薇通過(guò)作為InnoHolding的控制人,其持有公司約10.31%的權(quán)益;其為英諾芯的最終普通合伙人,持有公司約3.95%的權(quán)益;通過(guò)作為InnoHK控制人,其持有公司約3.37%的權(quán)益;通過(guò)作為英諾優(yōu)朋的最終普通合伙人,其持有公司約4.19%的權(quán)益;及通過(guò)作為芯生大鵬的普通合伙人,其持有公司1.28%的權(quán)益。


此外,根據(jù)駱薇薇及執(zhí)行董事JayHyungSon于2021年10月15日約定的投票權(quán)安排,JayHyungSon同意(其中包括)就彼直接及間接擁有或?qū)碛械墓炯癐nnoHolding股份權(quán)益所附帶投票權(quán)利的一切過(guò)往及未來(lái)行動(dòng),一直并將繼續(xù)根據(jù)駱薇薇的指示行事。在公司及InnoHolding股東大會(huì)上提呈任何建議或行使任何投票權(quán)前,JayHyungSon一直并將有責(zé)任征詢駱薇薇的意見(jiàn),并根據(jù)駱薇薇所表達(dá)的意見(jiàn)通過(guò)投票權(quán)安排所概述的特定溝通渠道行使其股東權(quán)利。因此,截至本文件日期,駱薇薇亦被視作擁有JayHyungSon持有的公司已發(fā)行股本總額中5.47%權(quán)益。


也就是說(shuō),駱薇薇通過(guò)直接、間接持股,以及約定的投票權(quán)安排,控制了英諾賽科約34.47%的股權(quán)權(quán)益。


被英飛凌等起訴專利侵權(quán)


英諾賽科在招股書中提到,通過(guò)長(zhǎng)期致力于研發(fā),英諾賽科在8英吋硅基氮化鎵工藝技術(shù)方面占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位。截至2023年底,公司擁有397名研發(fā)人員。公司在全球有約700項(xiàng)專利和專利申請(qǐng),涵蓋芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測(cè)試等關(guān)鍵領(lǐng)域。


不過(guò),招股書顯示,英諾賽科正面臨兩名競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手針對(duì)其若干產(chǎn)品潛在知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)提出的三項(xiàng)訴訟。目前,這三項(xiàng)訴訟事項(xiàng)仍處于相對(duì)較早階段,若判決不利,公司可能會(huì)被禁止上產(chǎn)或銷售侵權(quán)產(chǎn)品、或責(zé)令支付金錢賠償。


據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道顯示,2023年氮化鎵(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地區(qū)法院以及美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提起訴訟,稱英諾賽科侵犯了其四項(xiàng)專利,涵蓋了EPC專有的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和大批量制造工藝的核心方面。


英諾賽科隨后發(fā)布聲明,稱EPC對(duì)比英諾賽科從商業(yè)規(guī)模、業(yè)務(wù)范圍到技術(shù)實(shí)力上都差距懸殊,其由個(gè)別員工工作變動(dòng)而幻想出的技術(shù)抄襲清潔屬臆想行為,沒(méi)有事實(shí)依據(jù)。


今年3月,英飛凌在其官網(wǎng)發(fā)布消息稱,為防止自己擁有的與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的美國(guó)專利收到侵犯,對(duì)英諾賽科提起訴訟,且正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權(quán)利要求涵蓋了氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件的核心方面,其中包括可實(shí)現(xiàn)英飛凌專有的氮化鎵(GaN)器件可靠性和性能的創(chuàng)新。


編輯:芯智訊-浪客劍


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