中芯國(guó)際與臺(tái)灣旺宏提出銅基電阻型RAM

　　6月15-17日于夏威夷 由VLSI技術(shù)公司組織的討論會(huì)上將聽(tīng)到兩篇有關(guān)基于銅基的電阻型隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)方面的報(bào)告。

　　其中一個(gè)研究小組來(lái)自上海復(fù)旦大學(xué)和中芯國(guó)際，它們提出采用銅與二氧化硅(CuxSiyO)的混合物，已經(jīng)制成1Mbit存儲(chǔ)器，并集成在標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝中。(注：通常邏輯工藝是無(wú)法與存儲(chǔ)器工藝集成在一起制造)

　　該小組研究人員在文章前言中表示，通常被半導(dǎo)體知曉的兩種銅的二氧化物，它們的銅空穴在特定的混合體CuxSiyo中遷移的激活能要比CuxO高出5倍多，因而大大改善性能。

　　同樣來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的Macronix(旺宏國(guó)際) (臺(tái)灣新竹)在討論會(huì)上也發(fā)表一篇文章。他們把通常更廣泛用在相移存儲(chǔ)器中的硫族化合物與銅及二氧化硅組合在一起，制造出一種電化學(xué)的電阻型隨機(jī)存儲(chǔ)器。(注：旺宏電子為全球最大及最先進(jìn)的只讀存儲(chǔ)器生產(chǎn)制造公司。)

　　一種基于電化學(xué)感應(yīng)的導(dǎo)電橋式的固體電解液被利用在TiTe加上Cu GeSbTe/SiO2材料中制成的電阻型存儲(chǔ)器。

　　作者表示器件由一種銅摻雜的GeSbTe離子源， 一層SiO2及TiTe離子緩沖層組成。由于離子緩沖層把銅導(dǎo)電路徑與銅離子源層分隔開(kāi)，因而增加了材料的穩(wěn)定性。此種三層器件具有很低的熱阻及良好的電學(xué)特性。