南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入　全面反制三星大擴產(chǎn)計畫

　　繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出，臺系DRAM廠亦不甘示弱，臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入 42及45納米制程，較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，40納米世代技術(shù)對半導(dǎo)體業(yè)者是很大挑戰(zhàn)，但對于美光(Micron)與南亞科而言，42納米是50納米制程延伸技術(shù)，只要跨過50納米，快速銜接42納米制程并不難。

　　面對三星來勢洶洶，半導(dǎo)體事業(yè)資本支出高達80 億~90億美元，臺系DRAM廠因應(yīng)之道就是加速制程微縮腳步，臺系DRAM廠現(xiàn)在都卯足勁加速制程轉(zhuǎn)換，提前新一代制程導(dǎo)入時間點。南亞科和瑞晶不約而同將旗下40納米制程世代，提前于6月導(dǎo)入，相較于原本計畫提前整整1季。存儲器業(yè)者表示，一方面是因為ASML浸潤式微影設(shè)備(Immersion Scanner)陸續(xù)交貨，另一方面則是受到三星的刺激，決定要加快新制程速度，免得未來在技術(shù)和成本競爭力與三星越拉越大。

　　南亞科指出，目前12寸晶圓廠3萬片產(chǎn)能中，50與68納米制程各占50%，預(yù)計第3季全數(shù)轉(zhuǎn)進50納米，而原本第3季才投片試產(chǎn)的42納米制程，將提前于6月投片，預(yù)計42納米制程成本結(jié)構(gòu)可較50納米下降 30%，相當具有競爭力。至于同集團的華亞科42納米制程進度亦是同步提前，原本計劃第4季導(dǎo)入，目前預(yù)計9月開始試產(chǎn)。

　　瑞晶亦決定提前在6月導(dǎo)入爾必達45納米制程，事實上，瑞晶早就希望在第2季導(dǎo)入45納米制程，但因ASML浸潤式微影設(shè)備一直延宕交貨，使得瑞晶被迫延后，原本以為要等到第3季，如今確定6月開始導(dǎo)入，預(yù)計可趕上第3季底逐漸量產(chǎn)。瑞晶目前主流投片制程為63納米，預(yù)計7月旗下8萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能可全數(shù)轉(zhuǎn)進63納米，同時亦全力提升45納米制程良率。

　　白培霖認為，40納米制程世代對于所有半導(dǎo)體廠包括DRAM廠、晶圓代工廠，都是很大挑戰(zhàn)，要從 60或70納米直接跳到40納米制程，技術(shù)門檻很高，但南亞科和美光狀況不一樣，美光42納米幾乎是50納米微縮延伸版本，美光、南亞科和華亞科都花很多時間轉(zhuǎn)進50納米，未來在導(dǎo)入42納米時，技術(shù)難度就不會這么高。

　　瑞晶和力晶目前大量導(dǎo)入63納米制程，優(yōu)點是投入極少資本支出，但獲得成本效益并不輸美光陣營50納米制程技術(shù)，但缺點是采用63納米制程無法生產(chǎn)2Gb容量芯片，雖然可以用2顆1Gb芯片來堆疊出貨，但在封裝成本效益及省電上，1Gb芯片還是無法與2Gb芯片相比。

　　由于三星宣布將投入高達80億~90億美元資本支出在半導(dǎo)體事業(yè)上，其中一半資金用在升級現(xiàn)有DRAM廠機器設(shè)備和制程技術(shù)，顯見三星對于其46納米、甚至下一代30納米制程相當有信心，因此，DRAM市場在2010年下半會面臨三星產(chǎn)能大幅增加的嚴峻考驗。南亞科認為，這一波DRAM產(chǎn)業(yè)榮景可持續(xù)到2011年底或2012年上半，除觀察各廠新產(chǎn)能開出時間點，還要看企業(yè)換機需求能維持多久。