挺進(jìn)20nm：臺(tái)積電2011年將開始在Fab12工廠裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設(shè)備

　　據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的副總裁蔣尚義表示，2011年臺(tái)積電從荷蘭ASML公司訂購(gòu)的極紫外(EUV，波長(zhǎng)13.5nm)光刻設(shè)備將運(yùn)抵廠內(nèi)，這批訂 購(gòu)的設(shè)備將為臺(tái)積電公司2013年將公司制程能力升級(jí)到20nm級(jí)別鋪平道路.蔣尚義是在本月24日舉辦的臺(tái)積電技術(shù)論壇會(huì)議上說出這番話的,他同時(shí)還指 出EUV光刻技術(shù)要想投入商用還需要更加成熟，另外他還透露這批訂購(gòu)的EUV光刻工具每小時(shí)能刻制100片晶圓。

　　臺(tái)積電首批EUV光刻設(shè)備將被安裝在300mm Fab12工廠內(nèi)，而臺(tái)積電未來的研發(fā)重點(diǎn)則將放在28nm及更高級(jí)別制程技術(shù)的研發(fā)方面。

　　臺(tái)積電早些時(shí)候曾宣布他們會(huì)跳過22nm制程節(jié)點(diǎn)，直接從28nm節(jié)點(diǎn)跳至20nm制程，這家公司透露將于2012年下半年開始20nm制程芯片的試產(chǎn)。

　　EUV(極紫外光：波長(zhǎng)13.5nm)是目前比較流行的DUV(深紫外光：波長(zhǎng)193nm)光刻技術(shù)的下一代技術(shù)，與眼下流行的沉浸式光刻+193nm波長(zhǎng)技術(shù)這種增加光刻系統(tǒng)數(shù)值孔徑的方案相比，EUV從另外一個(gè)方面即直接縮短光波的波長(zhǎng)入手來提升制程的等級(jí)。不過目前EUV光刻技術(shù)由于需要重新開發(fā)光掩膜技術(shù)，提升光源功率，因此這項(xiàng)技術(shù)要想走向主流仍有較多困難需要克服。