新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 挺進(jìn)20nm:臺(tái)積電2011年將開始在Fab12工廠裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設(shè)備

挺進(jìn)20nm:臺(tái)積電2011年將開始在Fab12工廠裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設(shè)備

作者: 時(shí)間:2010-06-28 來源:digitimes 收藏

  據(jù)公司負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的副總裁蔣尚義表示,2011年從荷蘭ASML公司訂購(gòu)的極紫外(EUV,波長(zhǎng)13.5nm)將運(yùn)抵廠內(nèi),這批訂 購(gòu)的設(shè)備將為公司2013年將公司制程能力升級(jí)到級(jí)別鋪平道路.蔣尚義是在本月24日舉辦的臺(tái)積電技術(shù)論壇會(huì)議上說出這番話的,他同時(shí)還指 出EUV光刻技術(shù)要想投入商用還需要更加成熟,另外他還透露這批訂購(gòu)的EUV光刻工具每小時(shí)能刻制100片晶圓。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/110339.htm

  臺(tái)積電首批EUV將被安裝在300mm Fab12工廠內(nèi),而臺(tái)積電未來的研發(fā)重點(diǎn)則將放在28nm及更高級(jí)別制程技術(shù)的研發(fā)方面。

  臺(tái)積電早些時(shí)候曾宣布他們會(huì)跳過22nm制程節(jié)點(diǎn),直接從28nm節(jié)點(diǎn)跳至制程,這家公司透露將于2012年下半年開始制程芯片的試產(chǎn)。

  EUV(極紫外光:波長(zhǎng)13.5nm)是目前比較流行的DUV(深紫外光:波長(zhǎng)193nm)光刻技術(shù)的下一代技術(shù),與眼下流行的沉浸式光刻+193nm波長(zhǎng)技術(shù)這種增加光刻系統(tǒng)數(shù)值孔徑的方案相比,EUV從另外一個(gè)方面即直接縮短光波的波長(zhǎng)入手來提升制程的等級(jí)。不過目前EUV光刻技術(shù)由于需要重新開發(fā)光掩膜技術(shù),提升光源功率,因此這項(xiàng)技術(shù)要想走向主流仍有較多困難需要克服。



評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉