英特爾高管：未來(lái)凌動(dòng)芯片能耗將低于ARM

　　英特爾首席技術(shù)官賈斯汀當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二表示，該公司新一代凌動(dòng)芯片的能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)，未來(lái)產(chǎn)品的能耗將低于后者。

　　賈斯汀在接受采訪時(shí)說(shuō)，Moorestown芯片待機(jī)狀態(tài)下能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)，Medfield芯片運(yùn)行狀態(tài)下能耗將于ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)。

　　賈斯汀表示：“我預(yù)計(jì)此后我們芯片的能耗將低于ARM架構(gòu)芯片，因?yàn)槲覀冇懈镜男阅軆?yōu)勢(shì)。”

　　分析師之前曾表示，對(duì)于便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)而言，英特爾平臺(tái)的能耗過(guò)高。電池續(xù)航時(shí)間是手機(jī)產(chǎn)業(yè)最重要的指標(biāo)之一。