英特爾Haswell提升電池壽命和繪圖效能

 　　在2012 IDF上，英特爾(Intel)介紹了首款采用其22nm三閘極(tri-gate)電晶體制程的嶄新架構──新一代處理器Haswell，強調可強化電池使用壽命和繪圖效能。

　　英特爾架構部門總經理Dadi Perlmutter表示，雙核心和四核心的客戶端版本Haswell 將在今年四月隨PC出貨。他指出，該晶片的早期版本在一款原型系統(tǒng)上執(zhí)行時，功耗便已低于8W，遠低于英特爾現(xiàn)有Sandy Bridge 處理器的17W。

　　Linley Group公司資深分析師兼《微處理器報告》編輯Kevin Krewell表示，新處理器對許多消費者帶來的最直接影響，將會是更長的電池壽命和更好的繪圖性能，。然而，除非你去最佳化和編譯該晶片的強化AVX2程式碼，否則你無法得到這款處理器的大多??數(shù)真正優(yōu)勢。

　　該架構適用的領域將比英特爾之前任何一款處理器都更寬廣，從無風扇平板到高階伺服器都包含在內。一種稱之為S0ix的全新超低主動功耗狀態(tài)進一步推升了Haswell 的電源管理能力，并讓閑置功耗可再降低20倍。

　　“當Haswell 平臺在處理少量任務時，它幾乎都是處在這個新的狀態(tài)之下”英特爾院士Per Hammarlund說。

　　Haswell 在高低功耗之間的轉換速度也比現(xiàn)有x86晶片快得多。另外，它還為Serial ATA, PCI Express和USB埠采用了新的低功耗模式。

　　Haswell 執(zhí)行功率小于8W，而Intel目前的處理器超過17W。

　　在繪圖部份，Haswell提供了全新的GT3版本，它復制了現(xiàn)有Ivy Bridge繪圖晶粒部份的關鍵部份。這讓它具備比現(xiàn)行英特爾CPU高出兩的繪圖效能。

　　新的AVX2指令包括一個融合的多倍址，如此一來該晶片便可在每周期執(zhí)行兩次，實現(xiàn)比Sandy Bridge架構高出一倍的浮點性能。其他的新指令還有助于加密或簡化平行任務。

　　例如，該晶片支援兩種形式的事務型記憶體(transactional memory)，可用于大型資料庫的自動更新，這種能力對伺服器特別有用。

　　Haswell的快取記憶體和前一代晶片相同，但英特爾表示，為增加性能，該公司為L1和L2快取增加了一倍頻寬。

　　Krewell估計，現(xiàn)有的軟體將可因新的CPU獲得10%的性能增益。但采用新指令集的程式碼將可獲得更大優(yōu)勢。