基于溫度補(bǔ)償?shù)臒o運放低壓帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計
2 改進(jìn)的低電壓帶隙基準(zhǔn)負(fù)載結(jié)構(gòu)
由式(5)可得,要得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度零相關(guān)的基準(zhǔn)電流I(T0),電阻溫度系數(shù)TCR必須滿足:
通過調(diào)整電阻的阻值可達(dá)到上式要求,但在這種情況下,式(2)中的基準(zhǔn)電壓V(T0)就一定不與溫度零相關(guān),為了產(chǎn)生在一定溫度范圍內(nèi)與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓Iref,現(xiàn)引入了一種新的負(fù)載結(jié)構(gòu),圖1中的負(fù)載電阻R4可改成如圖2中R2的結(jié)構(gòu),基準(zhǔn)電壓Vref可以表示為:
由上可知,滿足式(7)時,可以得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度零相關(guān)的基準(zhǔn)電流I(T0),要得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓Vref,必須滿足:
由于電壓Vbe的溫度系數(shù)室溫下為-1.5 mV/K,所以要選擇具有正溫度系數(shù)的電阻以滿足式(9)的要求。在CMOS工藝中的擴(kuò)散電阻和阱電阻阻值是隨著溫度的升高而增大的,符合電路設(shè)計要求。本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/160474.htm
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