MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

　　圖 2

　　事實(shí)上，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓下把RDS（on） 降到5mΩ以下。這有助于提高在最大負(fù)載條件下的效率，還能讓器件工作起來的溫度更低，即便尺寸很小。。

　　這種器件的另一個(gè)好處是布線。從圖2中可以看到，封裝的引腳使其能很容易地集成進(jìn)降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方案中。更特殊之處在于，器件的輸入是在一側(cè)，輸出在另一側(cè)。引腳2和3與DC-DC電路的VIN相對(duì)應(yīng)，是高邊MOSFET的漏極。小焊盤也是高邊元器件的漏極焊盤。較大的焊盤是電路的開關(guān)節(jié)點(diǎn)的焊盤更大，在這個(gè)地方，高邊MOSFET的源極合低邊MOSFET的漏極在內(nèi)部連到器件上。這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)連到電感器。最后，接地是引腳4和5，是低邊MOSFET的源極。引腳1和6 分別連到高邊和低邊MOSFET的柵極。這種布線很簡(jiǎn)單，而且減少了用兩個(gè)器件時(shí)發(fā)生布線錯(cuò)誤的幾率。把多個(gè)器件組合在一起時(shí)需要額外的PCB走線，這種布線還能減少與此種PCB走線相關(guān)的寄生電感：

　　改用較小外形尺寸雙芯片功率封裝的最后一個(gè)好處是能夠?qū)崿F(xiàn)的效率可以幫助提高功率密度。器件安裝在單相降壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估板上，條件如下。

　　VIN = 12 V， VOUT = 1.05 V， VDRIVE = 5.0V， fsw = 300 kHz， IOUT max. = 15 A

　　效率是在整個(gè)功率范圍內(nèi)測(cè)量的。在15A電流下，效率是87%，器件的外殼溫度恰好低于70 °C。峰值效率高于91.5 %。這樣的性能有助于在醫(yī)療系統(tǒng)中減少功率損耗，節(jié)約能量，而且還能實(shí)現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計(jì)。

　　圖 3

　　采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對(duì)稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的消費(fèi)電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。