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傳三星半導體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

作者: 時間:2016-02-18 來源:DIGITIMES 收藏

  電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠進行第二階段的投資,日前傳出這項計劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預估,2016年將會進入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況,加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠,也使開始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201602/287043.htm

  目前電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1,而且以目前的設(shè)備來說,已經(jīng)到達最大產(chǎn)能,所以南韓業(yè)界原本認為,三星將在2016年內(nèi)對剩余腹地進行第二階段投資。Digital Times日前引述業(yè)界消息,指三星在西安半導體工廠的第二階段投資計劃恐將延期至2017年以后進行。

  2014年首次啟動的西安工廠,是三星3D V-NAND的核心生產(chǎn)基地。相關(guān)人士表示,啟動不到2年的西安工廠,如以晶圓投入基準來看,已逼近每月10萬片水準,產(chǎn)量大大超過原本預估的6萬~7萬片水準。

  三星之所以不執(zhí)行第二階段投資的理由,很可能與東芝、新帝等大手筆增設(shè)NAND Flash產(chǎn)線有關(guān)。東芝之前和新帝共同投資5,000億日圓(約43億美元)設(shè)立3D NAND Flash生產(chǎn)工廠,預計2017年將開始正式啟動。

  另外,英特爾和美光(Micron)也投入3D NAND Flash量產(chǎn),如果連三星也進入西安廠第二階段投資,NAND Flash市場恐將陷入無法挽回的供給過剩競爭。

  南韓半導體業(yè)界相關(guān)人士進一步解釋,以三星立場來說,擁有最安全量產(chǎn)結(jié)構(gòu)的東芝進入并瓜分市場將是最大擔憂。雖然目前英特爾和美光尚不具有太大危脅,但也有可能蠶食大陸新一代資料中心的市場需求大餅。

  2016年三星策略是對半導體設(shè)備投資減至最低程度,計劃從2017年開始以新一代決勝。三星預估目前處于最糟市況的,可能將在下半年達到最低點,2017年之后開始回升,所以在這時期預計只會啟動平澤工廠第一階段計劃生產(chǎn)最頂尖。

  至于在NAND Flash方面,將以提高3D V-NAND的世代以強化高階市場支配力,另外也計劃強化產(chǎn)品的價格競爭力。三星內(nèi)部相關(guān)人士表示,雖然無法公布半導體設(shè)備的相關(guān)投資計劃,但是三星將視市場情勢變化,靈活運用各種對策因應。



關(guān)鍵詞: 三星 DRAM

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