美光發(fā)表3D NAND固態(tài)硬盤，7月開始生產(chǎn)

　　美光在臺(tái)北國(guó)際電腦展上正式發(fā)表兩款3D NAND SSD產(chǎn)品，Micron 1100 SATA與2100 PCIe NVMe，其中Micron 1100 SATA預(yù)計(jì)將在7月開始生產(chǎn)，而2100 PCIe NVMe將在今年夏季末開始生產(chǎn)。

　　今年初宣布旗下的SSD(固態(tài)硬碟)將開始采用3D NAND快閃記憶體后，美光(Micron)在今年臺(tái)北國(guó)際電腦展(Computex Taipei 2016)發(fā)表了3D NAND固態(tài)硬碟產(chǎn)品，包括Micron 1100 SATA與2100 PCIe NVMe，最快將在7月開始生產(chǎn)出貨。

　　3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術(shù)，搭配陣列式CMOS降低晶片尺寸，提高了現(xiàn)今市面上32層3D NAND的儲(chǔ)存密度。根據(jù)美光的說(shuō)明，只要AA電池大小的SSD就能提供3.5TB容量，2.5寸的SSD最高能有10TB的儲(chǔ)存容量。

　　美光在電腦展上發(fā)表的Micron 1100 SATA及Micron 2100 PCIe NVMe SSD，其中1100在2.5寸規(guī)格下，儲(chǔ)存容量最高到2TB，而在單側(cè)M.2規(guī)格下可達(dá)到1TB。另一款2100 PCIe NVMe則是美光首款鎖定用戶端，結(jié)合3D NAND及PCIe NVMe技術(shù)的固態(tài)硬碟。

　　預(yù)定7月將開始生產(chǎn)的Micron 1100 SATA儲(chǔ)存容量提供了256GB、512GB、1TB及2TB，讀取速度為每秒530MB，寫入速度因采用快速寫入技術(shù)可達(dá)到每秒500MB，MTBF可達(dá)到150萬(wàn)小時(shí)。

　　至于Micron 2100 PCIe NVMe針對(duì)英特爾運(yùn)算平臺(tái)最佳化，可在應(yīng)用程式中隨插即用，傳輸頻寬較標(biāo)準(zhǔn)的SSD高出4倍，2100 PCIe NVMe由于仍在測(cè)試中，因此詳細(xì)的SSD儲(chǔ)存容量、存取速度、MTBF等規(guī)格還不得而知，預(yù)計(jì)今年夏季末左右將開始生產(chǎn)。

　　美光儲(chǔ)存事業(yè)單位用戶端SSD與NAND元件團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品行銷經(jīng)理Shawn Adams表示，3D NAND SSD具備了安全、高效能、省電、耐用、易管理等特色，特別適合多媒體及影像大型檔案的存取需求，今年底美光旗下大部份的SSD將會(huì)采用3D NAND快閃記憶體技術(shù)。

　　美光指出兩款3D NAND SSD適用于用戶端的高效能儲(chǔ)存需求，例如Ultrabook、平板電腦或是高效能的桌上型電腦、工作站。

　　不過(guò)，美光并未公布新的3D NAND SSD售價(jià)并未公布，讓外界好奇與一般SSD間的單位儲(chǔ)存成本價(jià)差，對(duì)此，美光不愿多作說(shuō)明，只表示推出的3D NAND SSD將具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。