三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價(jià)格爆沖22%

　　因中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣智能手機(jī)廠商紛紛強(qiáng)化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機(jī)、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉(zhuǎn)趨走揚(yáng)，指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內(nèi)飆漲22%。

　　報(bào)道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價(jià)格揚(yáng)升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來(lái)首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過(guò)3美元，且進(jìn)入7月以來(lái)價(jià)格仍持續(xù)走揚(yáng)。據(jù)英國(guó)調(diào)查公司指出，2016年全球NAND整體出貨量預(yù)估將年增3成至超過(guò)100億個(gè)。

　　據(jù)報(bào)道，6月中旬三星位于西安的半導(dǎo)體工廠因附近變電廠爆炸導(dǎo)致電壓不足而一度停工，而該座工廠目前雖已重啟生產(chǎn)，不過(guò)據(jù)悉上述變電廠爆炸事件目前仍對(duì)供應(yīng)量帶來(lái)影響。三星西安工廠主要生產(chǎn)3D NAND Flash。

　　韓國(guó)媒體朝鮮日?qǐng)?bào)日文版6月20日?qǐng)?bào)道，三星關(guān)系人士表示，“就像鄰居水管破裂會(huì)造成水壓不足一樣，三星西安工廠部分半導(dǎo)體設(shè)備因感測(cè)到電壓下滑、而自動(dòng)停工，西安工廠半導(dǎo)體產(chǎn)能約10%因此受到影響”。

　　BusinessKorea、韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)道，消息人士透露，小米創(chuàng)辦人雷軍或?qū)w往韓國(guó)，會(huì)晤三星記憶體部門主管Jeon Young-hyun，預(yù)料會(huì)向三星加碼采購(gòu)記憶體。

　　近來(lái)記憶體容量增大成了業(yè)界趨勢(shì)。三星Galaxy S7和LG G5都有4GB LPDDR4 DRAM和超過(guò)20GB NAND flash，小米尚未趕上，因此急尋供應(yīng)商，推測(cè)小米應(yīng)會(huì)向三星采購(gòu)NAND flash。