中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)50年發(fā)展路線圖

　　3、市場(chǎng)供求關(guān)系有利國(guó)內(nèi)企業(yè)加入競(jìng)爭(zhēng)格局

　　從市場(chǎng)供求關(guān)系的角度看，在經(jīng)過(guò)了行業(yè)過(guò)去兩年的下行周期后，DRAM和NANDFlash的市場(chǎng)格局均逐步由供過(guò)于求的局面轉(zhuǎn)向了供給略顯不足的趨勢(shì)。

　　從供給端看，根據(jù)Digitimes的數(shù)據(jù)顯示，DRAM行業(yè)的主要廠商韓國(guó)三星和海力士均在2016年不同程度的降低了資本開(kāi)支計(jì)劃，主要的資本投入將會(huì)涉及制程節(jié)點(diǎn)的提升而不是產(chǎn)能的直接擴(kuò)張，美光科技盡管仍然保持了資本開(kāi)支計(jì)劃規(guī)模，但是他們的主要投資方向也是提升技術(shù)實(shí)力以應(yīng)對(duì)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。NANDFlash，包括三星、海力士、美光/英特爾仍然保持了部分的資本開(kāi)支以期在3DNAND Flash方面保持產(chǎn)能擴(kuò)張的趨勢(shì)。根據(jù)WSTS的預(yù)測(cè)，2016~2017年，全球DRAM市場(chǎng)的供給增長(zhǎng)速度維持在25%左右，而NANDFlash的供給增長(zhǎng)則約為45%。

　　從需求端看，我們之前的分析中可以看到，DRAM市場(chǎng)需求的主要驅(qū)動(dòng)因素來(lái)自于移動(dòng)智能終端的需求增長(zhǎng)，PC端的下滑速度放緩，而隨著IDC等數(shù)據(jù)中心建設(shè)的推動(dòng)，來(lái)自服務(wù)器端的內(nèi)存需求也將保持穩(wěn)健的成長(zhǎng)。

　　NAND Flash的需求增長(zhǎng)主要來(lái)自于移動(dòng)終端以及固態(tài)硬盤(SSD)對(duì)于傳統(tǒng)硬盤的取代趨勢(shì)。在蘋果公司的最近產(chǎn)品發(fā)布會(huì)上，新款的iPhone7/7Plus最高配置的存儲(chǔ)容量已經(jīng)提升到了256GB，而其他手機(jī)廠商的新款手機(jī)產(chǎn)品也紛紛提供了更多的存儲(chǔ)空間。

　　SSD市場(chǎng)來(lái)看，根據(jù)iSuppli預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2017年全球市場(chǎng)SSD出貨量將會(huì)達(dá)到2.27億塊，較2012年的3，100萬(wàn)塊大幅提升732%，年復(fù)合增長(zhǎng)率接近50%。

　　因此，我們預(yù)計(jì)在未來(lái)2年，DRAM需求端市場(chǎng)的出貨量增長(zhǎng)速度接近30%，而NANDFlash市場(chǎng)的需求量增速則有望達(dá)到50%以上，因此供求關(guān)系的角度看，行業(yè)市場(chǎng)正在逐步向賣方市場(chǎng)轉(zhuǎn)移，而國(guó)內(nèi)的產(chǎn)能投資有望獲得有效的市場(chǎng)支持。