美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)

　　今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。

　　對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2D NAND閃存好得多，廠商也會借此降低成本，提高產(chǎn)量。以美光為例，他們的2D NAND閃存主力是16nm工藝的，MLC/TLC閃存的核心容量不過128Gb，而3D NAND技術(shù)的MLC閃存核心容量就有256Gb，TLC更是達到384Gb，大大高于2D NAND閃存。

　　在轉(zhuǎn)向3D NAND方面，實力最強的三星跑得最快，東芝/閃迪、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比較慢的了，不過一旦3D NAND閃存開始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢，產(chǎn)能超過2D NAND閃存是遲早的事。美光CFO Ernie Maddock在參加巴克萊銀行全球技術(shù)、媒體及通訊大會上就確認，該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能與2D NAND閃存已經(jīng)來到拐點上，也就是說3D閃存的產(chǎn)能(以bit容量計)要超過2D NAND閃存了。

　　美光第一代3D NAND閃存成本比2D NAND閃存至少降低20%

　　Ernie Maddock還提到他們第一代3D NAND閃存在降低成本上已經(jīng)達到預期目標，此前美光在今年上半年的路線圖上指出3D NAND閃存比2D NAND降低至少20%的成本，現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn)了20-25%的成本降低。

　　美光第二代3D NAND閃存也即將量產(chǎn)

　　對美光來說，好事還不止這一件，他們的第二代3D NAND閃存也要量產(chǎn)了，早前美光公布消息稱第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工廠開始生產(chǎn)，相比目前的32層堆棧，第二代3D NAND閃存堆棧層數(shù)提升到64層，容量進一步提高，成本也會進一步降低30%。