競逐蘋果供應(yīng)商 臺(tái)積電三星都拿到了啥?
在全球半導(dǎo)體代工行業(yè),韓國三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部和中國臺(tái)灣臺(tái)積電一直處于競爭狀態(tài),兩家公司每年為了爭搶蘋果的A系列處理器鬧得不可開交。之前一直傳言,兩家企業(yè)為了能夠拿到蘋果處理器訂單,正在就半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝進(jìn)行激烈競爭。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/341848.htm定了 臺(tái)積電為蘋果生產(chǎn) A11 芯片?
根據(jù)外電報(bào)導(dǎo),分析機(jī)構(gòu) BlueFinResearc Partners 的分析師表示,蘋果 (Apple) 芯片供應(yīng)商臺(tái)積電將會(huì)在 2017 年 4 月時(shí)開始生產(chǎn)蘋果的 A11 芯片,而且消息指出,該款芯片將采用臺(tái)積電的 10 納米先進(jìn)制程進(jìn)行生產(chǎn)。
報(bào)導(dǎo)指出,其實(shí)早在 2016 年 9 月份,臺(tái)積電已經(jīng)就未來發(fā)展藍(lán)圖表示,將會(huì)在 2016 年底之前開始投產(chǎn) 10 納米制程的芯片。
不過,BlueFin 指出,2017 年采用臺(tái)積電 10 納米先進(jìn)制程的芯片,將不僅僅是蘋果的 A11 芯片而已,另外包括蘋果新一代 iPad 中采用地的 A10X 芯片,以及聯(lián)發(fā)科 (MediaTek) 的 Helio X30 高端芯片,都將會(huì)采用臺(tái)積電的 10 納米制程,而且這兩款芯片的生產(chǎn)時(shí)間都會(huì)比蘋果的 A11 芯片的時(shí)間早。
與 A11 芯片相比,蘋果的 A10X 和聯(lián)發(fā)科的 Helio X30 芯片的出貨量相對比較小。也就是說,在 A11 芯片正式出貨前,10 納米制程的芯片出貨量就臺(tái)積電的總出貨量中比較,其所占有的比例將不會(huì)很大。
不過,但是等到 A11 芯片正式開始量產(chǎn)之際,為了應(yīng)付新款 iPhone 的準(zhǔn)備上市,蘋果將需要大量 10 納米制程的 A11 芯片,臺(tái)積電屆時(shí)就需要確保芯片的產(chǎn)能不缺乏。因?yàn)?,如果臺(tái)積電無法保證產(chǎn)量以滿足蘋果的需求,那么最終臺(tái)積電的收益等會(huì)受到影響,而蘋果也可能選擇在供應(yīng)鏈中多加一家芯片供應(yīng)商,以確保足夠的貨源。這對虎視眈眈的競爭對手——韓國三星來說,將會(huì)是個(gè)好的消息。
錯(cuò)失A11訂單
三星將為新一代iPhone大量供應(yīng)零部件!
據(jù)福布斯報(bào)道,隨著蘋果和三星的法律糾紛最終塵埃落定,美國最高法院作出有利于三星的判決后,三星將在明年再次成為iPhone的主要零部件供應(yīng)商。三星或與蘋果A11無緣,不過能夠?yàn)樾乱淮鷌Phone大量供應(yīng)零部件,對于三星來說,也會(huì)是不錯(cuò)的成績。
三星最初曾是蘋果的主要零部件供應(yīng)商,供應(yīng)NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)芯片。但是,從2011年起,三星開始減少對蘋果的零部件供應(yīng)。因?yàn)榫驮谀且荒?,蘋果以侵犯專利為由,將三星告上法庭。蘋果手機(jī)拆解報(bào)告顯示,三星如今只向iPhone 7供應(yīng)DRAM芯片。
顯示面板和存儲(chǔ)芯片(NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)芯片)向來是蘋果iPhone上面最貴的一些零部件。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的報(bào)告,以32GB版本的iPhone 7為例,這些零部件的成本加起來占到物料總成本(219.80美元)的四分之一以上。有報(bào)道稱,三星將再次為下一代iPhone供應(yīng)OLED顯示屏和NAND閃存芯片。而提供DRAM芯片將讓三星從數(shù)百家供應(yīng)商中脫穎而出,成為下一代iPhone的主要供應(yīng)商。
■ A系列芯片(與臺(tái)積電競爭激烈)
由于臺(tái)積電的存在,芯片代工是三星目前唯一面臨激烈競爭的領(lǐng)域。此前三星和臺(tái)積電都為蘋果代工制造iPhone 6手機(jī)上使用的A9芯片,不過臺(tái)積電隨后贏得了為iPhone 7生產(chǎn)A10芯片的獨(dú)家合同?,F(xiàn)在,有分析師表示,臺(tái)積電將會(huì)繼續(xù)為蘋果生產(chǎn)A11 芯片,該款芯片將采用臺(tái)積電的 10 納米先進(jìn)制程進(jìn)行生產(chǎn)。
臺(tái)積電的優(yōu)勢在于它的一體化FoWLP封裝技術(shù),該公司表示這種技術(shù)使得封裝速度和厚度都有所改善,而且晶圓熱性能也有所增強(qiáng)。市場研究機(jī)構(gòu)IHS Markit半導(dǎo)體制造部門高級(jí)主管萊恩·耶利內(nèi)克(Len Jelinek)表示,“封裝設(shè)計(jì)上的改進(jìn),以及芯片設(shè)計(jì)的優(yōu)化,將給蘋果帶來SoC性能優(yōu)勢,以及電路板組裝的物理優(yōu)勢,這種技術(shù)改進(jìn)有助于臺(tái)積電獲得蘋果訂單。 ”
■ OLED顯示屏(獨(dú)占蘋果訂單)
此前有報(bào)道稱,蘋果將于明年推出配備曲面屏的下一代iPhone,新款iPhone采用OLED顯示屏,而三星將成為獨(dú)家OLED顯示屏供應(yīng)商。而在OLED顯示屏市場,蘋果的選擇并不多,畢竟三星主導(dǎo)著這一市場。韓國現(xiàn)代證券的兩位分析師杰夫·金(Jeff Kim)和凱文·金(Kevin Kim)表示:“目前,在柔性O(shè)LED顯示屏市場,三星是唯一一家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的公司,而且在OLED智能手機(jī)和OLED顯示屏市場都雄居第一?!?/p>
■ 存儲(chǔ)芯片(占蘋果大量訂單)
三星是全球最大的NAND閃存芯片供應(yīng)商,在全球的市場份額超過三分之一。據(jù)韓國媒體ETNews報(bào)道,由于旗下?lián)碛斜姸鄻I(yè)務(wù),三星過去幾年對蘋果NAND閃存的需求置之不理。不過如今三星卻需要像蘋果這樣更大的買家,才能充分挖掘其新建的半導(dǎo)體工廠的制造能力。2014年,三星曾投入156萬億韓元(約合147億美元)在韓國本土新建了一家芯片工廠,這也是三星對其單個(gè)工廠所做的最大一筆投資。據(jù)ETNews報(bào)道,新工廠于明年開始投入生產(chǎn)后,三星也將再次向蘋果提供閃存芯片。
實(shí)際上,蘋果也無法徹底撇清與三星的關(guān)系。目前,蘋果從多家供應(yīng)商采購NAND閃存,但不用最大NAND閃存芯片供應(yīng)商三星的產(chǎn)品,理由似乎站不住腳。此外,因?yàn)槿菗碛幸苿?dòng)DRAM市場大約60%的份額,蘋果還不可避免會(huì)用到三星DRAM存儲(chǔ)芯片。
■ 三星10納米芯片已經(jīng)開始量產(chǎn)?
說起10納米工藝,三星在今年10月17日已經(jīng)宣布,其系統(tǒng)芯片業(yè)務(wù)已啟動(dòng)了10納米工藝芯片的量產(chǎn)。三星也成為了業(yè)內(nèi)采用10納米工藝的廠商。三星在公告中表示,明年初發(fā)布的一款產(chǎn)品將會(huì)采用10納米芯片。不過三星沒有透露具體是哪一款產(chǎn)品。
韓國媒體曾有報(bào)道稱,三星將是高通驍龍835芯片的獨(dú)家代工商,這款芯片將會(huì)采用10納米工藝制造。預(yù)計(jì)三星將于明年初推出下一代Galaxy S手機(jī),而將有約一半的這款手機(jī)搭載驍龍835芯片。
臺(tái)積電和三星
在競爭的10納米制程到底是什么呢?
所謂的“10納米”指的是半導(dǎo)體芯片的線寬,線寬越小,芯片的面積越小,單位面積整合的晶體管數(shù)量越多,性能可以更加強(qiáng)勁。
制程工藝是指IC內(nèi)電路與電路之間的距離。制程工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發(fā)展。密度愈高的IC電路設(shè)計(jì),意味著在同樣大小面積的IC中,可以擁有密度更高、功能更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)。微電子技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步,主要是靠工藝技術(shù)的不斷改進(jìn),使得器件的特征尺寸不斷縮小,從而集成度不斷提高,功耗降低,器件性能得到提高。
芯片制造工藝在1995年以后,從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90納米、65納米、45納米、32納米、28納米、22納米,一直發(fā)展到現(xiàn)在的的16納米、14納米、10納米······
■ 縮小制程有什么好處?
納米很小,那么縮小制程的用意,縮小晶體管的最主要目的,就是可以在更小的芯片中塞入更多的晶體管,讓芯片不會(huì)因技術(shù)提升而變得更大;其次,可以增加處理器的運(yùn)算效率;再者,減少體積也可以降低耗電量;最后,芯片體積縮小后,更容易塞入移動(dòng)設(shè)備中(比如手機(jī)),滿足未來輕薄化的需求。
■ 尺寸縮小有物理限制
不過,制程并不能無限制的縮小,當(dāng)我們將晶體管縮小到20納米左右時(shí),就會(huì)遇到量子物理中的問題,晶體管的漏電現(xiàn)象,抵銷縮小L時(shí)獲得的效益。作為改善方式,就是導(dǎo)入FinFET(Tri-Gate)這個(gè)概念,如右上圖。在Intel以前所做的解釋中,可以知道借由導(dǎo)入這個(gè)技術(shù),能減少因物理現(xiàn)象所導(dǎo)致的漏電現(xiàn)象。
更重要的是,借由這個(gè)方法可以增加Gate端和下層的接觸面積。在傳統(tǒng)的做法中(左上圖),接觸面只有一個(gè)平面,但是采用 FinFET(Tri-Gate)這個(gè)技術(shù)后,接觸面將變成立體,可以輕易的增加接觸面積,這樣就可以在保持一樣的接觸面積下讓Source-Drain端變得更小,對縮小尺寸有相當(dāng)大的幫助。
■ 為什么10納米制程引起很大關(guān)注
邁入10nm很困難。各大廠進(jìn)入10納米制程面臨相當(dāng)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),主因是1顆原子的大小大約為0.1納米,在10納米的情況下,一條線只有不到100顆原子,在制作上相當(dāng)困難,而且只要有一個(gè)原子的缺陷,像是在制作過程中有原子掉出或是有雜質(zhì),就會(huì)產(chǎn)生不知名的現(xiàn)象,影響產(chǎn)品的良率。
如果無法想象這個(gè)難度,可以做個(gè)小實(shí)驗(yàn)。在桌上用100個(gè)小珠子排成一個(gè)10×10的正方形,并且剪裁一張紙蓋在珠子上,接著用小刷子把旁邊的的珠子刷掉,最后使他形成一個(gè)10×5的長方形。這樣就可以知道各大廠所面臨到的困境,以及達(dá)成這個(gè)目標(biāo)究竟是多么艱巨。
當(dāng)然,攀登科學(xué)高峰必然會(huì)遇到很多的困難。如今三星10納米芯片已經(jīng)宣布開始量產(chǎn),臺(tái)積電也宣布將用10納米芯片生產(chǎn)新一代iPhone的處理器A11。三星和臺(tái)積電在10納米制程上一直處于競爭狀態(tài),雖然臺(tái)積電拿到蘋果A11訂單的可能性更大,但雙方的競爭,更加促進(jìn)了10納米制程的投入,使得原本很難的技術(shù)得以克服,并取得一定的成績。這對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說,都是很有意義的進(jìn)步。
評(píng)論