回顧美日DRAM芯片之爭(zhēng)

　　平面制造工藝

　　現(xiàn)代芯片制造，主要采用光刻法和蝕刻法工藝。光刻法最早的構(gòu)想，源自印刷行業(yè)的照相曝光制版工藝，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室在1954年開(kāi)始采用光刻法工藝。

　　1970年代后，光刻法發(fā)展為重復(fù)步進(jìn)曝光，電子束掩模等新工藝，制造精度大為提高。仙童公司在光刻法應(yīng)用初期，進(jìn)行了大量技術(shù)改進(jìn)。

　　1958年仙童向IBM供貨后，便出現(xiàn)了問(wèn)題。民兵洲際導(dǎo)彈發(fā)射時(shí)，巨大的震動(dòng)會(huì)導(dǎo)致一些金屬粉塵顆粒脫離，可能會(huì)使硅晶體管暴露的接頭處出現(xiàn)短路。仙童公司需要對(duì)此改進(jìn)工藝。

　　1959年1月，仙童公司為了向IBM穩(wěn)定供貨，對(duì)硅晶體管工藝進(jìn)行攻關(guān)。主要成員包括羅伯特·諾伊斯博士、杰·拉斯特博士，吉恩·赫爾尼博士、戈登·摩爾博士。其中，拉斯特和諾伊斯主要開(kāi)發(fā)使用16毫米電影鏡頭的光刻掩模技術(shù)，對(duì)掩模板、光致抗蝕劑(光刻膠)進(jìn)行改進(jìn)。

　　他們首先把具有半導(dǎo)體性質(zhì)的雜質(zhì)，擴(kuò)散到高純度硅片上，然后在掩模板上繪好晶體管結(jié)構(gòu)，用照相制版的方法縮小，將晶體管結(jié)構(gòu)顯影在硅片表面氧化層，再用光刻法去掉不需要的部分。擴(kuò)散、掩模、照相、光刻，顯影，整個(gè)過(guò)程叫做平面處理技術(shù)。

　　1959年1月23日，諾伊斯在日記中提出一個(gè)技術(shù)設(shè)想：既然能用光刻法制造單個(gè)晶體管，那為什么不能用光刻法來(lái)批量制造晶體管呢?他們首先面對(duì)的是密集電路的短路問(wèn)題。赫爾尼提出在硅片表面形成二氧化硅絕緣層，解決短路問(wèn)題。

　　1959年8月，仙童公司組建由拉斯特博士領(lǐng)導(dǎo)的晶體管集成電路研制團(tuán)隊(duì)。

　　1960年9月，成功開(kāi)發(fā)出世界第一代晶體管集成電路。然而由于集成電路項(xiàng)目耗費(fèi)巨大，仙童副總裁Tom Bay建議結(jié)束研發(fā)項(xiàng)目，專(zhuān)注于二極型晶體管生產(chǎn)。在此情況下，拉斯特博士選擇辭職離開(kāi)仙童公司。

　　Lionel Kattner接管了研發(fā)團(tuán)隊(duì)，最終在摩爾的全力支持下，仙童決定將晶體管集成電路投入批量生產(chǎn)。1961年，Lionel Kattner也辭職離開(kāi)了仙童公司，創(chuàng)辦了西格尼蒂克(Signetics)半導(dǎo)體公司(1975年被荷蘭飛利浦收購(gòu))。仙童公司如同蒲公英一般，將人才散布到硅谷的每個(gè)地方，推動(dòng)硅谷集成電路產(chǎn)業(yè)迅速興起。

　　1962年，仙童公司在緬因州南波特蘭，創(chuàng)建了世界第一家晶體管生產(chǎn)、測(cè)試及封裝工廠(chǎng)。并以收取技術(shù)授權(quán)費(fèi)的方式，向其他企業(yè)傳播平面制造工藝。嗅覺(jué)敏感的日本企業(yè)，迅速通過(guò)仙童公司，掌握了這一核心技術(shù)。同一年，美國(guó)開(kāi)發(fā)出MOSFET——金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，成為世界電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上的重要里程碑。為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的問(wèn)世，奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

　　1966年，美國(guó)IBM公司托馬斯·沃森研究中心的羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)博士，發(fā)明DRAM原理。老頭在IBM公司工作了半個(gè)世紀(jì)，現(xiàn)在八十多歲了。2009年獲得IEEE榮譽(yù)勛章。這是電子電氣領(lǐng)域的最高榮譽(yù)。

　　DRAM內(nèi)存之父

　　1960年代早期，美國(guó)電子產(chǎn)業(yè)，主要由IBM、摩托羅拉、德州儀器、美國(guó)無(wú)線(xiàn)電公司(RCA)等老牌企業(yè)控制。他們依靠二戰(zhàn)時(shí)期，美國(guó)政府的巨額軍工訂單，發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)巨無(wú)霸。二戰(zhàn)后主要生產(chǎn)電視機(jī)、收音機(jī)等新興的家用電器，并為美軍武器提供電子裝備。

　　電子計(jì)算機(jī)也是新的產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，IBM具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

　　IBM公司在1956年，花費(fèi)巨資從王安手里，購(gòu)買(mǎi)磁芯存儲(chǔ)器專(zhuān)利，主要是為了解決大型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)問(wèn)題。磁芯存儲(chǔ)器并不完美，不但磁芯容易損壞，而且價(jià)格昂貴，運(yùn)行速度也慢。然而，磁芯存儲(chǔ)器比磁鼓有個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)：電腦斷電后，磁芯保存的數(shù)據(jù)不會(huì)消失。為解決磁芯存儲(chǔ)器存在的不足，IBM進(jìn)行了長(zhǎng)達(dá)十幾年的研究。

　　1961年，IBM在紐約州成立了以半導(dǎo)體為方向的托馬斯·沃森研究中心。仙童當(dāng)時(shí)是IBM的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，并且發(fā)展非常迅速。1965年，仙童公司的戈登·摩爾，在《電子學(xué)》雜志發(fā)表文章預(yù)言：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)量，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。這個(gè)預(yù)言后來(lái)被稱(chēng)為“摩爾定律”。

　　1966年，IBM托馬斯·沃森研究中心，34歲的羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)博士，提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，來(lái)制作存儲(chǔ)器芯片的設(shè)想。原理是利用電容內(nèi)，存儲(chǔ)電荷的多寡，來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。每一個(gè)bit只需要一個(gè)晶體管加一個(gè)電容(1T/1C結(jié)構(gòu))。1968年6月，IBM注冊(cè)了晶體管DRAM專(zhuān)利(3387286號(hào)專(zhuān)利)。但是由于IBM正在遭受美國(guó)司法部的反壟斷調(diào)查，拖延了DRAM項(xiàng)目商業(yè)化進(jìn)度，這給其他公司帶來(lái)了機(jī)會(huì)。

　　此時(shí)，晶體管集成電路已經(jīng)成為產(chǎn)業(yè)熱潮，大批美國(guó)公司投入這一領(lǐng)域。1969年，加州桑尼維爾的Advanced Memory system公司，最早生產(chǎn)出1K容量的DRAM，并出售給計(jì)算機(jī)廠(chǎng)商霍尼韋爾。但是由于存在DRAM工藝上的缺陷，霍尼韋爾后來(lái)向新成立的英特爾公司尋求幫助。

　　1972年前后，英特爾公司為美國(guó)Prime電腦公司，生產(chǎn)的微型電腦主板上，焊接了128顆1K存儲(chǔ)容量的C1103 DRAM內(nèi)存，組成128K容量的內(nèi)存，以便運(yùn)行類(lèi)似DOS的操作系統(tǒng)。1GB=1048576KB，如今一根最普通的4G內(nèi)存，容量等于這塊老古董的3.2萬(wàn)倍。最大的單根內(nèi)存容量達(dá)到128G，是這家伙的100萬(wàn)倍。

　　英特爾DRAM內(nèi)存商業(yè)化大獲成功

　　1967年，仙童半導(dǎo)體成立十年時(shí)，公司營(yíng)業(yè)額已接近2億美元(作為對(duì)比1967年中國(guó)外匯儲(chǔ)備為2.15億美元)。但是隨著德州儀器、摩托羅拉、國(guó)家半導(dǎo)體在晶體管市場(chǎng)的崛起，仙童的利潤(rùn)迅速下滑，加之巨額研發(fā)投入，企業(yè)內(nèi)部矛盾?chē)?yán)重。仙童的行業(yè)第一地位，迅速被德州儀器取代。

　　1968年8月，仙童總經(jīng)理鮑勃·諾伊斯，拉著研發(fā)部門(mén)負(fù)責(zé)人戈登·摩爾辭職。從風(fēng)險(xiǎn)投資家阿瑟·洛克那里拉來(lái)250萬(wàn)美元投資，正式成立了英特爾(Intel)公司，洛克出任董事長(zhǎng)。Intel在英文中含有智慧和集成電路的意思，商標(biāo)是花1.5萬(wàn)美元，從一家酒店手里買(mǎi)的。當(dāng)時(shí)公司只有諾伊斯和摩爾兩個(gè)員工，他們招兵買(mǎi)馬時(shí)，又從仙童公司挖來(lái)了工藝開(kāi)發(fā)專(zhuān)家安迪·格魯夫，擔(dān)任運(yùn)營(yíng)總監(jiān)。

　　英特爾成立之初，繼承了仙童的技術(shù)能力。公司制定的發(fā)展方向是研制晶體管存儲(chǔ)器芯片，這是一個(gè)全新的市場(chǎng)。當(dāng)時(shí)的半導(dǎo)體工藝主要有雙極型晶體管，和場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管。這兩項(xiàng)工藝都是仙童的長(zhǎng)項(xiàng)。但是哪一種工藝用來(lái)生產(chǎn)的芯片更好，他們并不清楚。于是公司成立了兩個(gè)研發(fā)小組。1969年4月，雙極型小組推出了64bit容量的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)芯片C3101，只能存儲(chǔ)8個(gè)英文字母。這是英特爾的第一個(gè)產(chǎn)品，客戶(hù)是霍尼韋爾。

　　此時(shí)在美國(guó)電腦市場(chǎng)上，IBM已經(jīng)成為無(wú)可爭(zhēng)議的霸主，被稱(chēng)為藍(lán)色巨人，其他電腦廠(chǎng)商在重壓下苦不堪言?；裟犴f爾公司為了提高其計(jì)算機(jī)性能，正在尋找SRAM存儲(chǔ)器，這為英特爾帶來(lái)了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。與此同時(shí)，仙童公司的市場(chǎng)主管杰里·桑德斯，又拉走了一批人，成立了AMD公司。由于融資困難，桑德斯找到了英特爾公司的諾伊斯尋求幫助，最后拉來(lái)了155萬(wàn)美元投資。此后的半個(gè)世紀(jì)里，英特爾和AMD成為一對(duì)難分難解的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　1969年7月，場(chǎng)效應(yīng)管小組推出了256bit容量的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片C1101。這是世界第一個(gè)大容量SRAM存儲(chǔ)器?；裟犴f爾很快下達(dá)了訂單。隨后，英特爾研究小組不斷解決生產(chǎn)工藝中的缺陷，于1970年10月，推出了第一個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片C1103，有18個(gè)針腳。容量有1Kbit，售價(jià)僅有10美元，它標(biāo)志著DRAM內(nèi)存時(shí)代的到來(lái)。

　　當(dāng)時(shí)的大中型計(jì)算機(jī)上，還在使用笨重昂貴的磁芯存儲(chǔ)器。為了向客戶(hù)宣傳DRAM的性能優(yōu)勢(shì)，英特爾開(kāi)展全國(guó)范圍的營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng)，向計(jì)算機(jī)用戶(hù)宣傳DRAM比磁芯更便宜(1比特僅需1美分)的概念。由于企業(yè)客戶(hù)出于安全考慮，不會(huì)購(gòu)買(mǎi)獨(dú)家供貨的產(chǎn)品，必須要有可替代的第二供貨源。

　　于是英特爾選擇了加拿大的一家小公司，微系統(tǒng)國(guó)際公司(MIL)合作，授權(quán)他們用1英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行生產(chǎn)，每年收取100萬(wàn)美元的授權(quán)費(fèi)用。C1103的用戶(hù)主要包括惠普電腦的HP9800系列，和DEC公司的PDP-11計(jì)算機(jī)，產(chǎn)量有幾十萬(wàn)顆。

　　1972年，憑借1K DRAM取得的巨大成功，英特爾已經(jīng)成為一家擁有1000名員工，年收入超過(guò)2300萬(wàn)美元的產(chǎn)業(yè)新貴。C1103也被業(yè)界稱(chēng)為磁芯存儲(chǔ)器殺手，成為全球最暢銷(xiāo)的半導(dǎo)體芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型計(jì)算機(jī)上，也開(kāi)始使用DRAM內(nèi)存。到1974年，英特爾占據(jù)了全球82.9%的DRAM市場(chǎng)份額。

　　東京國(guó)立博物館藏品，照片左邊是1976年日本NEC研制的TK-80系統(tǒng)，采用仿制英特爾8080的兼容處理器(型號(hào)μPD8080A)，當(dāng)年售價(jià)88500日元，賣(mài)了1.7萬(wàn)臺(tái)。中間是英特爾為日本廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)的MCS-4系統(tǒng)，采用4004處理器，右側(cè)是日本Busicom電子計(jì)算器。多數(shù)人不知道，美國(guó)英特爾最早開(kāi)發(fā)CPU，是為了日本人。