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回顧美日DRAM芯片之爭(zhēng)

作者: 時(shí)間:2017-07-31 來源:觀察網(wǎng) 收藏
編者按:盛極而衰是自然規(guī)律,商業(yè)領(lǐng)域也是這樣。

  日本電子產(chǎn)業(yè)發(fā)育期

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201707/362391.htm

  自明治維新以來,日本經(jīng)濟(jì)的一大特征,是在政府主導(dǎo)下進(jìn)行產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級(jí)。1948年,日本內(nèi)閣在通商產(chǎn)業(yè)省(簡(jiǎn)稱通產(chǎn)省)下面,設(shè)立了工業(yè)技術(shù)廳,1952年更名為工業(yè)技術(shù)院,經(jīng)費(fèi)完全由財(cái)政撥付,負(fù)責(zé)推動(dòng)日本整體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。1953年日本東京通信工業(yè)公司(SONY前身)副社長(zhǎng)盛田昭夫,耗資900萬(wàn)日元(2.5萬(wàn)美元),從美國(guó)西屋電氣引進(jìn)晶體管技術(shù),生產(chǎn)晶體管收音機(jī)。

  1956年SONY袖珍收音機(jī)上市后一炮而紅,索尼迅速崛起。受此影響,日立、三菱、NEC、OKI、、三洋等公司,相繼花錢從美國(guó)RCA和西屋電氣,購(gòu)買了晶體管專利授權(quán)。隨著規(guī)?;a(chǎn),日本晶體管價(jià)格明顯下降。1953年索尼試制的晶體管一顆為4000日元(11美元),到1958年降為200日元(0.56美元)。1959年日本晶體管產(chǎn)量達(dá)到8650萬(wàn)顆,產(chǎn)值約160億日元(4445萬(wàn)美元)。

  當(dāng)時(shí)日本與美國(guó)相比,技術(shù)上存在差距,唯一的優(yōu)勢(shì)是人工便宜。東京電子廠的日本工人,月薪還不到30美元。而美國(guó)工人月薪是380美元。在計(jì)算機(jī)方面,1956年,通產(chǎn)省工業(yè)技術(shù)院電氣試驗(yàn)所,由高橋茂等人負(fù)責(zé),研制出日本第一臺(tái)晶體管計(jì)算機(jī)ETL MARK III,比美國(guó)晚兩年。隨后東京大學(xué)開發(fā)出PC-2電腦。

  1957年,通產(chǎn)省頒布執(zhí)行電子工業(yè)振興臨時(shí)措置法(電振法57-71年),限制外資進(jìn)入日本,以保護(hù)本國(guó)市場(chǎng),引導(dǎo)日本企業(yè)發(fā)展半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)。1958年4月,日本各大電子廠商合作,組建了日本電子工業(yè)振興協(xié)會(huì)(JEIDA),集體對(duì)計(jì)算機(jī)攻關(guān)。

  1958年9月,在通產(chǎn)省工業(yè)技術(shù)院電氣試驗(yàn)所的技術(shù)援助下,日本NEC公司推出NEAC-2201晶體管計(jì)算機(jī)。這是日本第一臺(tái)完全國(guó)產(chǎn)化的計(jì)算機(jī)。采用北辰電氣(Hokushin Electric)研制的磁鼓存儲(chǔ)器,容量64K。日本為炫耀這一成果,將其運(yùn)到巴黎公開展出。


美日DRAM芯片之爭(zhēng)

  1960年,日本通產(chǎn)省工業(yè)技術(shù)院電氣試驗(yàn)所,研制成功日本第一塊晶體管集成電路。這是參與研制的骨干成員,左起,傳田精一(研究員,東北大學(xué)工學(xué)博士)、垂井康夫(半導(dǎo)體部晶體管研究室主任)、井上ルミ子、鳴神長(zhǎng)昭。

  日本集中全力進(jìn)攻

  1959年2月,美國(guó)德州儀器發(fā)布集成電路。1960年2月,美國(guó)西屋電氣(Westinghouse)公開宣稱:半導(dǎo)體是未來主流技術(shù)。太平洋對(duì)岸的成果,對(duì)日本產(chǎn)生強(qiáng)烈刺激。

  1960年起,日本形成“官產(chǎn)學(xué)”體系,即政府、企業(yè)、大學(xué)聯(lián)合對(duì)集成電路技術(shù)發(fā)起進(jìn)攻。1960年12月,通產(chǎn)省電氣試驗(yàn)所,研制成功日本第一塊晶體管集成電路。研究成員有傳田精一、垂井康夫等人。1961年4月8日,日本東京大學(xué)工學(xué)部的柳井久義、菅野卓雄、多田邦雄、柳川隆之四名教授,發(fā)布了他們與NEC公司合作,在晶體管集成電路上進(jìn)行的基礎(chǔ)研究。

  1962年,日本NEC為了解決晶體管集成電路的制造問題,支付技術(shù)授權(quán)費(fèi),從美國(guó)仙童公司,買來晶體管平面光刻生產(chǎn)工藝。解決生產(chǎn)問題后,日本NEC的集成電路產(chǎn)量暴增。1961年只有50塊,1962年增長(zhǎng)至1.18萬(wàn)塊,1965年達(dá)到5萬(wàn)塊。在此期間,NEC研制了多個(gè)型號(hào)的晶體管集成電路計(jì)算機(jī),如NEAC-1200系列,NEAC-2200系列。

  日立公司與美國(guó)RCA合作,由日立半導(dǎo)體事業(yè)部的大野稔等人,研制出MOS型晶體管。1966年,日立發(fā)布了第一代MOS集成電路HD700,用于計(jì)算器,采用15微米生產(chǎn)工藝。夏普、三菱也紛紛將集成電路新技術(shù),用于各自的計(jì)算器產(chǎn)品,使日本的集成電路迅速形成產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。到1970年,日本NEC的集成電路產(chǎn)量,已經(jīng)達(dá)到3998萬(wàn)塊。

  作為對(duì)比:早在1956年起,中國(guó)科學(xué)院就開始組織黃昆博士、謝希德博士、林蘭英博士、王守武博士等人,研究平面光刻工藝。1963年中國(guó)科學(xué)院計(jì)算機(jī)研究所,研制出第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)晶體管大型計(jì)算機(jī)——109機(jī),用于核武器工程。1964年開發(fā)出晶體管集成電路。以中國(guó)科學(xué)院和電子工業(yè)部為主,中國(guó)大陸形成了由軍事工業(yè)為牽引的龐大電子科研體系,下屬各類電子企業(yè)單位超過2500家,全面領(lǐng)先韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣,但是在市場(chǎng)化程度上不如日本,當(dāng)時(shí)民用消費(fèi)市場(chǎng)僅限于收音機(jī)和電視機(jī)。


美日DRAM芯片之爭(zhēng)

  1968年4月,美國(guó)德州儀器董事長(zhǎng)P.E.Haggerty,與日本索尼社長(zhǎng)井深大簽署協(xié)議,各占股50%,在日本設(shè)立子公司。后排左面站著盛田昭夫副社長(zhǎng)。



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