三星擴產(chǎn)東芝芯片出售 “中國芯”何時能夠主導存儲器市場？

　　存儲器作為信息存儲的載體，廣泛應(yīng)用于手機、平板、PC及各類智能終端產(chǎn)品中，在半導體產(chǎn)品當中占有舉足輕重的地位。而該市場今年以來最重要的一個關(guān)鍵詞就是缺貨漲價，由缺貨導致的漲價已經(jīng)困擾了存儲器芯片市場許久，甚至下游的智能手機產(chǎn)品也受到波及隨之提價。

　　不過這一情況或許會在不久的將來得到緩解，市場龍頭企業(yè)三星已宣布擴建西安生產(chǎn)線，且東芝芯片業(yè)務(wù)出售案也終于塵埃落定，這些或成為處于“漲漲漲”狀態(tài)的存儲器市場歸于平靜的加速者。為何說三星和東芝此番動作或有非凡意義呢?我們先來看看存儲器芯片的構(gòu)成和主要玩家，以便看清三星和東芝在該市場的地位和影響力。

　　DRAM、NAND Flash、Nor Flash是主流的存儲器產(chǎn)品，DRAM屬于斷電后存儲器內(nèi)的信息就流失的易失性類，該市場基本被三星、SK海力士和美光所壟斷;NAND Flash、Nor Flash屬于斷電后存儲器內(nèi)信息還會存在的非易失性類，其中NAND Flash也是一個高度壟斷的市場，三星、SK海力士、東芝、美光、閃迪(被西部數(shù)據(jù)收購)、英特爾六家公司幾乎瓜分了該市場;相對來說，市場較小的Nor Flash分散度大一點。

　　三星和東芝作為存儲器市場上數(shù)一數(shù)二的廠商，此番一家擴產(chǎn)一家出售業(yè)務(wù)，后續(xù)將對于市場產(chǎn)生的作用是非常值得期待的，尤其東芝芯片業(yè)務(wù)的出售對象包括已經(jīng)拿下了閃迪的西部數(shù)據(jù)。

　　“壕”三星 70億美元擴產(chǎn)西安廠

　　近日，三星宣布計劃未來三年投資70億美元(約為463億元人民幣)擴大旗下中國西安工廠的NAND Flash芯片產(chǎn)能。公司在文件中表示，這筆預期投資中的23億美元已在周一獲得管理委員會的批準。另外，報道稱新建生產(chǎn)線將全部用于制造V-NAND(垂直閃存)。

　　據(jù)了解，三星于2012年宣布在西安建設(shè)閃存芯片工廠，一期投資70億美元，2014年建成生產(chǎn)線，目前開工率100%。此外，三星(中國)半導體有限公司2013年和2015年曾先后兩次增資擴股，投資總額增加至105億美元，注冊資本增加至35億美元，增資部分則是用于12英寸閃存芯片擴產(chǎn)。

　　三星在存儲器芯片領(lǐng)域毋庸置疑是領(lǐng)跑者，今年第二季更是憑借其在存儲器芯片領(lǐng)域的深厚功底超越英特爾正式成為全球最大芯片制造商。作為存儲器芯片漲價的獲益者，三星旗下半導體業(yè)務(wù)在第二季實現(xiàn)158億美元營收和72億美元盈利，超越了英特爾148億美元營收和38億美元盈利，英特爾保持了24年的世界第一位置宣告易主，而這其中最大的“功臣”就是存儲器芯片。

　　中國是消費電子大國，個人所擁有的終端產(chǎn)品數(shù)量將隨國民生活水平提升而增加，對于半導體芯片的需求巨大，眾多國際大廠紛紛選擇到中國建廠以便獲得競爭優(yōu)勢。而三星此次擴充產(chǎn)能或?qū)φ崿F(xiàn)自主替代的國內(nèi)存儲器芯片廠商造成壓力。

　　東芝芯片業(yè)務(wù)能否順利“嫁”西部數(shù)據(jù)?

　　說完了在NAND Flash芯片占據(jù)第一名的三星，我們來說說第二名東芝。不同于三星的風光，東芝這幾年過的并不稱心如意，由于投資美國西屋電氣失利，迫使東芝不得不出售旗下優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)閃存芯片業(yè)務(wù)用來自救。但此次出售也是一波三折劇情相當?shù)?ldquo;反套路”，最終花落西部數(shù)據(jù)所在財團不知讓多少關(guān)注者意外。

　　自東芝打算出售閃存芯片業(yè)務(wù)以來，西部數(shù)據(jù)就是很活躍的競購方，早前東芝曾計劃將芯片業(yè)務(wù)出售給SK海力士所在的“日美韓聯(lián)盟”時，西部數(shù)據(jù)還曾發(fā)出過反對聲音，雙方因出售案發(fā)生的分歧之大甚至已訴諸法院。此外，東芝8月初還因未能達成一致而獨自投資芯片業(yè)務(wù)建設(shè)生產(chǎn)線。沒想到劇情峰回路轉(zhuǎn)，東芝與西部數(shù)據(jù)所在的財團達成協(xié)議，將以174億美元價格出售芯片業(yè)務(wù)。據(jù)悉，除西部數(shù)據(jù)外，日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)、美國私募股權(quán)投資公司KKR都是此次收購聯(lián)合體的成員。

　　出售案結(jié)局看似已定，西部數(shù)據(jù)所在財團如愿獲得東芝芯片業(yè)務(wù)，但消息人士透露，雙方目前還有許多分歧待解決，且還要考慮到中國《反壟斷法》的影響，否則可能會拉長審查時間。如去年東芝向佳能出售醫(yī)療系統(tǒng)公司時，中國方面的審查花了9個月，日本公平交易委員會的審查時間則是3個月，而此次涉及到半導體業(yè)務(wù)的出售案審查想必非常嚴格。此外，還有消息稱美國私募股權(quán)公司貝恩資本領(lǐng)銜的財團為東芝芯片業(yè)務(wù)開出了182億美元的競購價，而這其中還包含了蘋果公司部分。

　　西部數(shù)據(jù)在此之前已經(jīng)拿下了閃存領(lǐng)域的重量級廠商閃迪，此次所在財團與東芝達成協(xié)議，在閃存芯片和固態(tài)硬盤崛起的當下，將成為西部數(shù)據(jù)守住自己硬盤之王地位的有利條件，只是不知道能否搶過出價更高的貝恩資本領(lǐng)銜的財團。

　　進擊的兆易創(chuàng)新 獲大基金支持

　　在了解了閃存芯片兩大王者的動態(tài)之后，將目光轉(zhuǎn)到國內(nèi)，Nor Flash市場主導者之一、國內(nèi)存儲器中堅力量兆易創(chuàng)新近日發(fā)布公告，表示收到股東啟迪中海、盈富泰克通知，二者與大基金簽署了《股份轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，轉(zhuǎn)讓占公司股份總數(shù)11%的股份給后者。

　　據(jù)悉，兆易創(chuàng)新成立于2005年，旗下產(chǎn)品包括Nor Flash、NAND Flash及MCU，可用于手持移動終端、消費類電子產(chǎn)品、個人電腦及周邊、網(wǎng)絡(luò)、電信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、辦公設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等多個領(lǐng)域。

　　兆易創(chuàng)新是為數(shù)不多在Nor Flash芯片領(lǐng)域具有領(lǐng)先地位的國內(nèi)企業(yè)。根據(jù)公司近日發(fā)布的財報顯示，報告期內(nèi)兆易創(chuàng)新實現(xiàn)9.39億元營業(yè)收入，同比增長43.29%;凈利潤1.79億元，同比增長99.59%。為適應(yīng)市場應(yīng)用需求，公司上半年繼續(xù)加大研發(fā)投入豐富產(chǎn)品線。針對物聯(lián)網(wǎng)市場推出了超低功耗的Nor Flash產(chǎn)品，并且持續(xù)推進先進工藝技術(shù)，保持業(yè)界領(lǐng)先地位穩(wěn)步推進45nm Nor Flash產(chǎn)品研發(fā)。NAND Flash方面在原來基礎(chǔ)上，調(diào)試優(yōu)化24nm技術(shù)產(chǎn)品并取得顯著進展為后續(xù)發(fā)展做好技術(shù)儲備。此外，還持續(xù)打造MCU產(chǎn)品線競爭力，加大擴展市場占用率并加強在各個階層應(yīng)用的覆蓋率。

　　對于大基金收購兆易創(chuàng)新股份的目的，公告亦有提及，表示是為發(fā)揮大基金支持國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引導作用，支持其成為國際領(lǐng)先的存儲芯片和MCU設(shè)計公司，進一步提升其研發(fā)能力和技術(shù)水平，推動兆易創(chuàng)新產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，形成良性自我發(fā)展能力，帶動國家存儲產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展，同時為大基金出資人創(chuàng)造良好回報。

　　征奪市場 中國有三大力量

　　兆易創(chuàng)新在整個存儲器芯片領(lǐng)域地位趕不上三星和東芝，但在壟斷程度沒有那么高的Nor Flash市場上，亦是有一定的行業(yè)影響力，尤其是美光和賽普拉斯都打算淡出這個市場后。那么在我國大力發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)尤其是存儲器的當下，閃存芯片冠亞軍三星、東芝加上Nor Flash領(lǐng)軍者之一兆易創(chuàng)新此番的擴產(chǎn)、出售、股權(quán)轉(zhuǎn)讓等行為受到關(guān)注，進一步體現(xiàn)了存儲器芯片對于產(chǎn)業(yè)鏈上下游發(fā)展的影響力。正如在智能手機時代，我們已通過不同存儲規(guī)格手機定價差異之大了解到存儲器芯片之重要。在物聯(lián)網(wǎng)時代，聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量激增將造就海量信息存儲需求，將為存儲器開拓出更為廣闊的應(yīng)用市場。那么，在DRAM和NAND Flash等市場中國廠商準備的怎么樣了?

　　據(jù)悉，目前我國已有了長江存儲、福建晉華和合肥長鑫等三大存儲器勢力，其中長江存儲前身是武漢新芯，一期工程是就32層3D NAND Flash展開的，計劃2018年實現(xiàn)量產(chǎn)2019年達成產(chǎn)能滿載。此外，盛傳該公司組建了20/18nm DRAM技術(shù)開發(fā)團隊。福建晉華項目是國家重點支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，由聯(lián)電協(xié)助其開發(fā)相關(guān)制程技術(shù)，開發(fā)的技術(shù)應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn)上，預計將在2018年開始試產(chǎn)。合肥長鑫投資72億美元，打造的12寸存儲晶圓廠將以19nm DRAM產(chǎn)品為主，計劃在2019年年底實現(xiàn)12.5萬片月產(chǎn)能。

　　近些年我國一直通過政策、資金等方面建設(shè)半導體產(chǎn)業(yè)，以實現(xiàn)自主替代擺脫“缺芯之痛”。在這條路上我們已經(jīng)走出了很遠，已擁有兆易創(chuàng)新這樣在Nor Flash市場占有一席之地的企業(yè)，更是在全力開啟DRAM和NAND Flash市場大門。相信在上下一心的建設(shè)下，“中國芯”必有出頭之日。