三星第二代10nm級別8Gb DDR4內(nèi)存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳
加入技術(shù)交流群
三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級別(1y-nm)的8Gb DDR4內(nèi)存顆粒，新的內(nèi)存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級別(1x-nm)的高30%，然而價格嘛……應(yīng)該暫時不會降。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201712/373355.htm
新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù)，性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以后的高頻內(nèi)存要以3600MHz起步了。
目前1y-nm內(nèi)存的生產(chǎn)還沒有用上EUV極紫外光設(shè)備，這次用的是高靈敏度細(xì)胞數(shù)據(jù)傳感系統(tǒng)(high-sensitivity cell data sensing system)與空氣墊片(air spacer)方案，前者可以更準(zhǔn)確地確定每個單元中存儲的數(shù)據(jù)，從而顯著提高電路集成度和生產(chǎn)效率，后者是在位線周圍布置獨特的空氣墊片，這樣可以顯著降低寄生電容。
現(xiàn)在1y-nm DDR4內(nèi)存模組已經(jīng)完成了與CPU廠商的相關(guān)驗證工作，接下來計劃于全球IT客戶合作，開發(fā)下一代計算系統(tǒng)，隨著1y-nm內(nèi)存投產(chǎn)所帶來的技術(shù)儲備，三星可以加速下一代內(nèi)存產(chǎn)品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研發(fā)，可以進(jìn)一步鞏固三星在存儲市場上的地位。
評論