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三星量產(chǎn)第二代LPDDR4X內(nèi)存:功耗再降10%

作者: 時間:2018-07-27 來源:IT之家 收藏

  根據(jù)外媒TechLookover的報道,第二代10nm級別工藝的內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),相比第一代,雖然性能沒有提升,但是功耗再降10%,可使手機平板等移動設(shè)備更省電。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201807/389627.htm


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  據(jù)悉,電子今天宣布已開始批量生產(chǎn)業(yè)界首款第二代10納米級(1y-nm) DRAM,降低當今高端智能手機和其他移動應(yīng)用的電池消耗。

  與當前旗艦移動設(shè)備中最常用的移動DRAM內(nèi)存芯片相比,第二代 DRAM的功耗降低了10%,同時保持了4266MHz的相同數(shù)據(jù)速率。

  “10nm級移動DRAM的問世將為下一代旗艦移動設(shè)備提供顯著增強的解決方案,這些移動設(shè)備將于今年晚些時候或2019年上半年首次上市?!眱?nèi)存銷售高級副總裁Sewon Chun說道,“我們將繼續(xù)發(fā)展我們的優(yōu)質(zhì)DRAM陣容,引領(lǐng)'高性能,高容量,低功耗'內(nèi)存領(lǐng)域,以滿足市場需求并增強我們的業(yè)務(wù)競爭力?!?/p>



關(guān)鍵詞: 三星 LPDDR4X

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