芯片尺寸縮小五倍!英特爾新技術(shù)設(shè)想10年內(nèi)取代CMOS
12月4日,英特爾在一項名為“自旋電子學(xué)”的技術(shù)領(lǐng)域取得了進(jìn)展,未來芯片尺寸可縮小5倍,能耗最多可降低30倍。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201812/395301.htm英特爾和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員展示了他們的“自旋電子學(xué)”方面的研究進(jìn)展,這項新技術(shù)可以將未來的芯片尺寸縮小到目前的五分之一,能耗將降低10到30倍。
一直以來,芯片都依賴著CMOS技術(shù),但隨著元器件尺寸不斷接近原子級別大小,芯片的發(fā)展也遇到瓶頸。
英特爾的這項研究是一種名為“磁電自旋軌道”(MESO)的邏輯元件,利用了多鐵性材料的自旋性質(zhì),使用氧、鉍和鐵原子的晶格,提供有利的電磁屬性以便外力可存儲并讀取信息。這種元件所需功率遠(yuǎn)小于CMOS晶體管。
研究人員表示,由于這種元件不需要電就能保留信息,所以它們可以在設(shè)備閑置時提供更加節(jié)能的睡眠模式。
英特爾高級院士指出,“我們正在研究超越CMOS的信息時代的革命性和非進(jìn)化性方法。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎(chǔ)。它將量子材料創(chuàng)新與計算結(jié)合在一起。我們對我們?nèi)〉玫倪M(jìn)展感到非常興奮,并期待著未來能進(jìn)一步降低開關(guān)電壓,發(fā)揮它更大的潛力?!?/p>
英特爾元件研究機(jī)構(gòu)項目負(fù)責(zé)人SasikanthManipatruni在一份聲明中說,“我們在努力在產(chǎn)業(yè)和晶體管研究領(lǐng)域引發(fā)新一輪創(chuàng)新?!薄蹲匀弧冯s志星期一發(fā)表了這項研究論文,Manipatruni是第一作者。
雖然實驗原型顯示出很不錯結(jié)果,但該技術(shù)尚處于起步階段。根據(jù)研究人員的說法,該技術(shù)需要進(jìn)行更多的研究,商用化還有很長的路要走,至少還需要十年。
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