臺(tái)積電殺進(jìn)3納米 決戰(zhàn)三星

臺(tái)積電在7納米、5納米制程完封三星后，目前更加快3納米研發(fā)，以延續(xù)領(lǐng)先地位，不讓對手三星有先縫插針搶單的機(jī)會(huì)，據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電3納米傳出提前啟動(dòng)，位于南科30公頃用地，可望提前4個(gè)月、預(yù)計(jì)于今年底即可完成交地，擺明就是沖著三星而來。

報(bào)導(dǎo)指出，相較于三星陷入7納米EUV制程良率困境，臺(tái)積電7納米以下制程持續(xù)推進(jìn)，幾乎吃下所有芯片大廠訂單，而5納米預(yù)計(jì)明年第2季量產(chǎn)，目前傳出蘋果、華為和高通將搶下首波產(chǎn)能。

三星7月底曾宣布將在3納米制程推出全新“環(huán)繞柵極”（Gate-All-Around，GAA）技術(shù)，號稱超前臺(tái)積電1年，更贏過英特爾2~3年。

三星推出全新GAA技術(shù)的3納米制程跟當(dāng)前7納米相較，可使耗能降低50%，芯片面積縮減45%，效能提高35%，預(yù)計(jì)2021年正式量產(chǎn)；而臺(tái)積電也持續(xù)加快3納米技術(shù)研發(fā)，預(yù)計(jì)2021年進(jìn)行試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，至于3納米技術(shù)細(xì)節(jié)并未披露。