臺(tái)積電CEO：2nm工藝已有先導(dǎo)規(guī)劃

近日，全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電舉行了公司成立33周年慶典，董事長(zhǎng)、聯(lián)席CEO劉德音談到了臺(tái)積電的先進(jìn)工藝規(guī)劃，最先進(jìn)的2nm工藝也進(jìn)入了先導(dǎo)規(guī)劃中，明年則會(huì)量產(chǎn)5nm工藝。

劉德音談到了臺(tái)積電一年來的變化，稱公司在“技術(shù)領(lǐng)先、卓越制造、客戶信任”三個(gè)方面都取得了進(jìn)步，其中7nm工藝N7已經(jīng)獨(dú)步全球兩年，產(chǎn)出了超過100萬片12英寸晶圓，首發(fā)EUV工藝的N7+也在今年6月份正式量產(chǎn)。

再往后就是5nm節(jié)點(diǎn)，劉德音表示新竹的Fab 12、臺(tái)南的Fab 18工廠進(jìn)展順利，客戶也十分滿意，2020年就會(huì)量產(chǎn)。

至于研發(fā)、建設(shè)中的工藝，劉德音表示3nm工藝正在依照計(jì)劃進(jìn)行，而更先進(jìn)的2nm工藝也正式進(jìn)入了先導(dǎo)規(guī)劃階段，這也是今年6月份宣布研發(fā)2nm之后臺(tái)積電官方再一次明確2nm工藝的進(jìn)展。

根據(jù)臺(tái)積電之前的規(guī)劃，2nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

預(yù)計(jì)2nm工藝將在2024年完成，正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，不過具體情況現(xiàn)在還不得而知。