臺積電CEO：2nm工藝已有先導規(guī)劃

近日，全球第一大晶圓代工廠臺積電舉行了公司成立33周年慶典，董事長、聯(lián)席CEO劉德音談到了臺積電的先進工藝規(guī)劃，最先進的2nm工藝也進入了先導規(guī)劃中，明年則會量產(chǎn)5nm工藝。

劉德音談到了臺積電一年來的變化，稱公司在“技術領先、卓越制造、客戶信任”三個方面都取得了進步，其中7nm工藝N7已經(jīng)獨步全球兩年，產(chǎn)出了超過100萬片12英寸晶圓，首發(fā)EUV工藝的N7+也在今年6月份正式量產(chǎn)。

再往后就是5nm節(jié)點，劉德音表示新竹的Fab 12、臺南的Fab 18工廠進展順利，客戶也十分滿意，2020年就會量產(chǎn)。

至于研發(fā)、建設中的工藝，劉德音表示3nm工藝正在依照計劃進行，而更先進的2nm工藝也正式進入了先導規(guī)劃階段，這也是今年6月份宣布研發(fā)2nm之后臺積電官方再一次明確2nm工藝的進展。

根據(jù)臺積電之前的規(guī)劃，2nm工藝是一個重要節(jié)點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

預計2nm工藝將在2024年完成，正式進入量產(chǎn)階段，不過具體情況現(xiàn)在還不得而知。