存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ？

據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種，具體類(lèi)型如下：

“凜冬將至”：這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)

2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司（三星、海力士、美光）的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲(chǔ)器的短缺是市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的最主要原因。整整2017年全年，DRAM價(jià)格成長(zhǎng)高達(dá)44%，NAND Flash價(jià)格也上漲了17%。

2018開(kāi)年以后更是延續(xù)了這種良好的態(tài)勢(shì)，數(shù)據(jù)中心、人工智能和汽車(chē)電子等應(yīng)用的成長(zhǎng)，使得整個(gè)市場(chǎng)持續(xù)增溫。以NAND為代表的閃存市場(chǎng)更是快步前進(jìn)。各大存儲(chǔ)器廠商亦紛紛開(kāi)足馬力，據(jù)福布斯報(bào)道，廠商們都在2017年擴(kuò)大了64層3D NAND存儲(chǔ)器的出貨量。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)在2018年初的預(yù)測(cè)報(bào)告中，將2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(銷(xiāo)售額)自2017年11月預(yù)估的4372.65億美元(年增7.0%)修訂至4634.12億美元(年增12.4%)。其中，存儲(chǔ)器的銷(xiāo)售額預(yù)估將暴增26.5%至1567.86億美元。

就在一片看好的聲音中，一些令人不安的預(yù)兆也出現(xiàn)了。部分存儲(chǔ)器價(jià)格在2018年初出現(xiàn)下滑，導(dǎo)致三星電子當(dāng)期的財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)低于預(yù)期。不過(guò)，當(dāng)時(shí)業(yè)界仍認(rèn)為“這種價(jià)格變化在預(yù)期之內(nèi)，并且對(duì)整體市場(chǎng)發(fā)展有益”。

轉(zhuǎn)折卻在無(wú)聲中到來(lái)了。DRAMeXchange發(fā)布了閃存市場(chǎng)分析報(bào)告，稱(chēng)2018下半年，NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力疲軟。報(bào)告指出，由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在2018年上半年，閃存市場(chǎng)已經(jīng)有連續(xù)兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢(shì)下，一些供應(yīng)商甚至?xí)壕徚嗣嫦蚋呙芏却鎯?chǔ)芯片的產(chǎn)能擴(kuò)張，以避免價(jià)格走到崩盤(pán)的局面。

但到了2018年下半年，市場(chǎng)并沒(méi)有好轉(zhuǎn)。摩根斯坦利分析師Shawn Kim就指出，內(nèi)存市況有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫(kù)存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND型閃存的供給則確實(shí)太多。后來(lái)的市場(chǎng)表現(xiàn)果然應(yīng)驗(yàn)了這種預(yù)測(cè)。

來(lái)自Gartner的最新研究報(bào)告顯示，2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入總計(jì)為4183億美元，較2018年同比下降11.9%。而內(nèi)存市場(chǎng)在2019年占據(jù)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的26.7%，該市場(chǎng)在2019年的收入下降了31.5%。

· 其中在內(nèi)存市場(chǎng)，DRAM收入下滑了37.5%，這是由于從2018年底開(kāi)始市場(chǎng)供大于求，這種情況在2019年持續(xù)了全年。供過(guò)于求是由于超大規(guī)模市場(chǎng)的需求突然下降造成的，這表明OEM庫(kù)存水平過(guò)高，導(dǎo)致上半年需要進(jìn)行修正。2019年下半年DRAM供應(yīng)商的庫(kù)存過(guò)剩，推動(dòng)了價(jià)格下降，并導(dǎo)致2019年平均銷(xiāo)售價(jià)格（ASP）下降47.4%。

· NAND閃存在2019年的萎靡狀況比整體內(nèi)存市場(chǎng)溫和一些，這部分收入下降了23.1%，主要?dú)w因于2018年底的庫(kù)存水平上升，而2019年上半年的需求疲軟加劇了這種情況。NAND市場(chǎng)在2019年7月開(kāi)始趨于穩(wěn)定。

據(jù)2019年全球十大半導(dǎo)體公司排名顯示，全球前四大半導(dǎo)體公司均與存儲(chǔ)器有關(guān)，十大半導(dǎo)體公司中有五家與存儲(chǔ)器有關(guān)。以下為Gartner統(tǒng)計(jì)的按收入計(jì)算2019年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top 10名單：

圖：2019年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top 10名單（以收入計(jì)算，單位：百萬(wàn)美元）

按收入計(jì)算，三星在2018年和2017年均位于市場(chǎng)首位。但是，內(nèi)存市場(chǎng)低迷對(duì)三星電子造成了負(fù)面影響，DRAM和NAND閃存的供過(guò)于求和需求下降導(dǎo)致三星的存儲(chǔ)器收入在2019年下降了34%，而這部分收入占據(jù)其銷(xiāo)售額的82%，英特爾重新奪回了市場(chǎng)的頭把交椅。

從蓬勃發(fā)展到寒冬，造成市場(chǎng)反轉(zhuǎn)的元兇是什么？從目前的分析來(lái)看，智能手機(jī)銷(xiāo)量的增長(zhǎng)乏力、中美貿(mào)易戰(zhàn)的陰影，還有產(chǎn)能的盲目擴(kuò)張都是重要因素。在新的驅(qū)動(dòng)力沒(méi)有充分發(fā)展起來(lái)之前，市場(chǎng)恐還會(huì)在低位繼續(xù)運(yùn)行。

今年存儲(chǔ)器市場(chǎng)或許撥云見(jiàn)日

現(xiàn)在，NOR、mask ROM大廠已將庫(kù)存月數(shù)急降到歷史低點(diǎn)的4個(gè)月以下，而DRAM、NAND大廠也將庫(kù)存月數(shù)逐步降低到3.7個(gè)月，并估計(jì)去年四季度的絕對(duì)DRAM、NAND庫(kù)存應(yīng)會(huì)降到20％的同比增長(zhǎng)，這讓最近存儲(chǔ)器的現(xiàn)貨及合約價(jià)格逐步持穩(wěn)小幅反彈，預(yù)計(jì)2020年下半年及2021年存儲(chǔ)器的現(xiàn)貨及合約價(jià)格可能會(huì)全面反彈。

目前存儲(chǔ)器合約價(jià)格不一定會(huì)出現(xiàn)急漲，但整體存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈庫(kù)存水位降低至尾聲，隨著需求穩(wěn)健上揚(yáng)，5G及服務(wù)器應(yīng)用第二季度成長(zhǎng)力增強(qiáng)，預(yù)計(jì)2020年下半DRAM與NAND可能會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊。

雖然目前短期有新型冠狀病毒疫情籠罩，影響手機(jī)存儲(chǔ)器的需求，但總體上估計(jì)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)會(huì)從去年的供過(guò)于求演變到今年下半年及明年年數(shù)個(gè)點(diǎn)的供不應(yīng)求。

在2019年存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格下跌中，有一半的跌幅都發(fā)生在19年的第二季度，而第三季度起市場(chǎng)開(kāi)始需求回升，根據(jù)近期系統(tǒng)廠商的訂單展望，預(yù)期價(jià)格回升將可達(dá)到3成，NAND的回漲速度或?qū)⒈菵RAM價(jià)格更快反應(yīng)。IC Insights預(yù)估，在2020年將分別迎來(lái)19%與12%的年成長(zhǎng)表現(xiàn)，NAND預(yù)期將成為2020年33款I(lǐng)C產(chǎn)品類(lèi)別中，增幅度最高的產(chǎn)品。

原因是固態(tài)硬盤(pán)(SSD)應(yīng)用帶來(lái)的強(qiáng)勁需求以及5G智能手機(jī)的崛起，抵消了低位供應(yīng)增長(zhǎng)的影響。由于工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)疲軟，模擬產(chǎn)品市場(chǎng)同比下降了5.4%；但由于智能手機(jī)攝像頭的銷(xiāo)售強(qiáng)勁，光電產(chǎn)品市場(chǎng)保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)今年整體市場(chǎng)狀況將有所改善，在高水平庫(kù)存清除后，將推動(dòng)芯片平均售價(jià)上升，尤其是在內(nèi)存領(lǐng)域，由此將推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)收入的增加。

存儲(chǔ)器未來(lái)的幾個(gè)需求驅(qū)動(dòng)力：

1. 預(yù)測(cè)2020年1.7-2.0億臺(tái)、2021年3.5-4.0億臺(tái)的5G手機(jī)將比4G配備約2倍的DRAM及NAND。同時(shí)，2020、2021年服務(wù)器市場(chǎng)預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)10％、22％。

2. 云端客戶增長(zhǎng)大幅超越企業(yè)、政府端服務(wù)器客戶。

3. CPU跟DRAM的數(shù)據(jù)將從6改成8通道。

4. 智慧工場(chǎng)，自駕車(chē)，智能物聯(lián)網(wǎng)對(duì)AI大數(shù)據(jù)及存儲(chǔ)器需求的爆增。

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)已進(jìn)入衰退期，加上美國(guó)與中國(guó)之間的貿(mào)易戰(zhàn)山雨欲來(lái)，全球經(jīng)濟(jì)的不確定性也持續(xù)升高?？萍籍a(chǎn)品主管必須為有限的成長(zhǎng)預(yù)做準(zhǔn)備，才能在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中脫穎而出。舉例來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器廠商未來(lái)必須針對(duì)供過(guò)于求和強(qiáng)大的毛利壓力等現(xiàn)象規(guī)劃對(duì)策，針對(duì)節(jié)點(diǎn)過(guò)渡、新興計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)和最新制造技術(shù)的研發(fā)投入資金。

非計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器廠商則必須加強(qiáng)與負(fù)擔(dān)高價(jià)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器主要客戶間初期的共同設(shè)計(jì)?？剂康街悄苁謾C(jī)和平板市場(chǎng)持續(xù)飽和，應(yīng)用程序處理器廠商必須轉(zhuǎn)向相關(guān)的可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn)和汽車(chē)市場(chǎng)尋找商機(jī)。

自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對(duì)生產(chǎn)基本沒(méi)影響，但是全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)依然像是打了雞血，內(nèi)存及SSD硬盤(pán)的現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲而起，1月份就漲價(jià)高達(dá)30%。

那這一波內(nèi)存漲價(jià)要持續(xù)多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報(bào)告評(píng)估了內(nèi)存市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，他認(rèn)為內(nèi)存漲價(jià)將持續(xù)至少7個(gè)季度，也就是到明年Q4季度。

如果是這樣，那今年開(kāi)始的內(nèi)存牛市就會(huì)比2016年開(kāi)始的大漲價(jià)還要強(qiáng)烈，當(dāng)時(shí)是從2016年Q3季度大漲價(jià)，一直持續(xù)到2018年Q4季度價(jià)格才持平，2019年降了4個(gè)季度后又恢復(fù)漲價(jià)了。對(duì)于NAND閃存，Timothy Acuri倒是沒(méi)這么樂(lè)觀，他認(rèn)為漲價(jià)也就持續(xù)到今年底，2021年又會(huì)重返溫和過(guò)剩的情況。

中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的新機(jī)遇

存儲(chǔ)芯片是電子系統(tǒng)的糧倉(cāng)，數(shù)據(jù)的載體，關(guān)乎數(shù)據(jù)的安全，其市場(chǎng)規(guī)模足夠大，約占半導(dǎo)體總體市場(chǎng)的三分之一。

數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)巨大，幾乎完全依賴(lài)進(jìn)口，具體數(shù)據(jù)如下：2016年中國(guó)集成電路進(jìn)口額2271億美元，存儲(chǔ)器進(jìn)口額681億美元，占比30%；2017年中國(guó)集成電路進(jìn)口額2601億美元，存儲(chǔ)器進(jìn)口額近800億美元，占比30.7%；2018年中國(guó)集成電路進(jìn)口額3120億美元，存儲(chǔ)器進(jìn)口額1092億美元，占比35%；2018年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求額占全球市場(chǎng)4766億美元的大約65%。

反觀全球數(shù)據(jù)，2018年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)1653億美元，占全球市場(chǎng)4766億美元的約35%，較2017年1287億美元增長(zhǎng)26%；2018年全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)632億美元，較2017年570億美元增長(zhǎng)11%；2018年全球DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)996億美元，較2017年717億美元增長(zhǎng)39%；DRAM和NAND占到存儲(chǔ)器市場(chǎng)整體的98%。據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球DRAM產(chǎn)值的48%，消耗了全球NAND Flash產(chǎn)值的35%，年進(jìn)口總額高達(dá)880億美元，對(duì)外依賴(lài)度超過(guò)90%。

之前紫光試圖花230億美元兼并美光等，但并未達(dá)成，無(wú)奈之下中國(guó)只能依靠自己的力量進(jìn)行突破。對(duì)中國(guó)廠商來(lái)說(shuō)，中小容量存儲(chǔ)芯片是其中的一個(gè)市場(chǎng)機(jī)會(huì)。據(jù)業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，中小容量存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將保持在120億至200億美元，其中低容量NAND有60億至100億美元，NOR約30億美元，低容量DRAM約70億美元。

隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能終端的快速發(fā)展，將不斷擴(kuò)大對(duì)中小容量存儲(chǔ)芯片的需求，因此中國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)可以從中小容量的存儲(chǔ)芯片開(kāi)始，再向高容量存儲(chǔ)芯片邁進(jìn)。

DRAM及3D NAND閃存是中國(guó)市場(chǎng)需求量最大類(lèi)芯片，因此此類(lèi)核心技術(shù)很難買(mǎi)到。存儲(chǔ)器業(yè)的特點(diǎn)是，它的設(shè)計(jì)并不難，如NAND閃存基本上有兩種結(jié)構(gòu)類(lèi)型，一種是Floating Gate浮柵式結(jié)構(gòu)，美光和英特爾采用這種結(jié)構(gòu)；另一種是Charge Trap電荷捕獲型結(jié)構(gòu)，在3D NAND閃存中成為主流的選擇，包括三星、東芝、SK Hynix在內(nèi)的閃存廠商普遍選擇了Charge Trap結(jié)構(gòu)。

NAND閃存的市場(chǎng)非?！罢T人”，市場(chǎng)巨大，主要產(chǎn)品由固態(tài)存儲(chǔ)（44%）、嵌入式存儲(chǔ)（43%）和存儲(chǔ)卡（12%）三大部分組成，目前被國(guó)際巨頭壟斷。全球前4大陣營(yíng)（廠商）占NAND市場(chǎng)份額99%，2018年全球NAND產(chǎn)150萬(wàn)張晶圓。全球NAND bit需求今年基本保持40%左右的高速增長(zhǎng)。另外，如今NAND產(chǎn)業(yè)鏈成熟，供應(yīng)鏈通暢。

同樣DRAM市場(chǎng)依然存在非常大的市場(chǎng)，目前同樣被國(guó)際巨頭壟斷，全球前3大廠商占DRAM市場(chǎng)份額94%。2018年全球DRAM月產(chǎn)140萬(wàn)張晶圓。通過(guò)2011年-2019年數(shù)據(jù)，如今移動(dòng)端和嵌入式設(shè)備的飛速發(fā)展，DRAM在PC上的占比越來(lái)越低，DRAM產(chǎn)品逐漸向移動(dòng)設(shè)備靠攏。全球DRAM bit需求今年基本保持20%左右的高速增長(zhǎng)。

DRAM量產(chǎn)關(guān)鍵在于生產(chǎn)線的質(zhì)量控制以及持續(xù)的投資、擴(kuò)大產(chǎn)能，最終以數(shù)量與價(jià)格取勝。中國(guó)有龐大的市場(chǎng)以及政府的集成電路大基金的扶持，困難在于產(chǎn)能爬坡速度，及在存儲(chǔ)器的下降周期中能否堅(jiān)持下去。

雖然存儲(chǔ)器每位的價(jià)格波動(dòng)非常激烈，但隨著未來(lái)龐大的數(shù)據(jù)量需求，存儲(chǔ)器需求也隨之保持高速增長(zhǎng)，如此龐大的市場(chǎng)，可謂是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器的一次“機(jī)遇”。