先進工藝下芯片的勝負手：高效驗證

作者：時間：2020-05-19 來源：愛集微

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Intel發(fā)布了Stratix 10 GX 10M FPGA,這款巨型芯片擁有1020萬個邏輯單元,集成了433億個晶體管。類似的還有AMD發(fā)布的二代霄龍芯片,擁有395.4億個晶體管。這些超大規(guī)模的芯片不斷刷新著晶體管的數(shù)目紀錄,在坐擁性能怪獸稱號的同時,也將芯片的設計生產難度不斷提高。

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202005/413243.htm

據(jù)統(tǒng)計,28nm的IC設計平均費用為5,130萬美元,使用FinFET技術的7nm工藝,則需要2億9,780萬美元,兩者差距為6倍。

高昂的設計費用讓芯片企業(yè)都希望能一次就投片成功,但實際上, 2018 年 ASIC 芯片的一次投片成功率只有 26%。

先進的工藝節(jié)點引發(fā)了新的問題,如果芯片的驗證不能跟上,就會造成反復投片問題,讓芯片設計者可能“血本無歸”。驗證的準確性已經(jīng)決定著芯片的“生死”。

無處不在的驗證

從芯片最初的架構設計到最后的流片,驗證工作貫穿了整個設計流程,整個芯片設計70%左右的工作量已經(jīng)被驗證所占據(jù)。

龐大的芯片設計規(guī)模和指數(shù)增長的芯片結構復雜度,無所不在的連接,平臺的安全性,在先進工藝的環(huán)境下,一顆能完美運行的芯片更需要多層次的反復驗證。

從前往后,通常的芯片驗證包括了IP核/模塊級驗證(Block-LevelVerification)、系統(tǒng)級驗證(System-Level Verification)、靜態(tài)時序分析和時序驗證(Static timing analysis & Timing Verification)、版圖驗證(Physical verification)等多個步驟。

版圖驗證是橫亙在流片之前的最后一道驗證工序,在所有的檢查和驗證都準確無誤的情況下,芯片設計階段就告完成,下面將進入晶圓廠進行制造。

作為連接著設計通向生產大門的守門人,版圖驗證的重要性不言而喻。晶圓廠生產芯片有一定的規(guī)則,設計公司設計出來的版圖如果不遵守這些規(guī)則,就無法從圖紙變成真正的芯片。版圖驗證就是確保芯片要嚴格遵守這些規(guī)則。

這些規(guī)則被叫做設計規(guī)則(Design Rule), 在版圖設計過程中需要不斷進行設計規(guī)則檢查,這個過程叫做DRC(Design Rule Check)。

DRC的主要目標是在設計中實現(xiàn)可靠性并提高芯片的良率。晶圓代工廠提供的所有規(guī)則都以驗證規(guī)則文件的形式作為物理驗證工具的輸入提供。如果違反任何一項規(guī)則,DRC將會反映在設計中。

版圖完成之后還要確保功能與原理圖中的設計是否一致,有專門的工具進行這一項檢查,這項檢查流程叫做LVS(Layout Versus Schematic)。

此外,還有電學規(guī)則檢查ERC(Electrical Rule Check)和針對制造的設計檢查DFM(Design For Manufacture)來發(fā)現(xiàn)影響制造質量與良率的因素。

如此復雜的檢測,如果沒有功能強大的設計工具來支持是無法想象的。目前,市面上有多種版圖驗證工具,“粉絲”最多的就是Mentor公司的Calibre平臺。它也是芯片設計中的Golden Signoff(設計簽收)工具。

設計與先進工藝間的橋梁

Calibre是Mentor公司專為復雜芯片設計的物理驗證挑戰(zhàn)而研發(fā)的業(yè)界最高性能平臺。它基于先進的層次化算法和技術,能夠快速、準確、完善的對混合集成電路進行物理驗證及寄生提取。目前,它已經(jīng)被全球主流的晶圓廠采用,并成為其內部的物理驗證標準。

“該工具持續(xù)發(fā)展提高,和客戶之間形成正反饋,終于穩(wěn)占市場經(jīng)久不衰。”一位業(yè)內專家這樣評價Calibre平臺。

主流的晶圓廠在開發(fā)工藝的時候,會用Calibre平臺去驗證工藝實際效果,當驗證規(guī)則成型以后,再給設計公司使用。如此往復,就在設計公司和晶圓廠之間建立了一座橋梁。

有一個經(jīng)典案例,Mentor與TSMC攜手,在開發(fā)12nm和7nm FinFET Plus工藝時,增加了工具的覆蓋率,還優(yōu)化了設計套件的運行速度。此外,TSMC和Mentor還緊密配合,以便雙方的共同客戶能夠了解Calibre設計規(guī)則檢查(DRC)和多重曝光軟件方面的極紫外(EUV)光刻要求。

TSMC是開發(fā)先進工藝的領路者,與這樣的伙伴合作,Calibre平臺積累大量豐富的經(jīng)驗,開發(fā)了很多先進功能。在與其他晶圓廠或設計公司合作時,這些功能和經(jīng)驗會幫助其避開不少障礙。

整個Calibre平臺包含了很多模塊,針對不同的驗證目標,最主要的模塊如下:

Calibre DRC——作為工作在展平模式下的設計規(guī)則檢查(DRC)工具,Calibre DRC先展平輸入數(shù)據(jù)庫,然后對展平的幾何結果進行操作。

Calibre LVS——作為工作在展平模式下的版圖與原理圖對照(LVS)工具,Calibre LVS先展平輸入數(shù)據(jù)庫,然后對展平的幾何結果進行操作。

Calibre xRC——全芯片寄生參數(shù)提取工具,提供晶體管級、門級和混合級別寄生參數(shù)提取的能力,支持多層次的分析和仿真。

Caliber PERC 平臺——旨在提高可靠性并保護設計免受靜電放電 (ESD) 的影響,該平臺可實現(xiàn)全芯片 IO-ESD 和跨電源域 ESD 設計驗證。

Calibre YieldEnhance——該工具提供了一種自動化的布局增強方法,可以在不犧牲面積的情況下提高產量。

圖1 Calibre在芯片設計各環(huán)節(jié)的應用

芯片設計公司依靠Calibre平臺去解決芯片的可靠性問題,同時也提升了生產良率。因為芯片良率與可靠性之間的緊密聯(lián)系已經(jīng)得到充分的研究和記錄,良率高,可靠性隨之也好。但在進入先進工藝節(jié)點之后,芯片的良率提升已經(jīng)十分困難。好在有了Calibre平臺等一系列驗證工具,讓良率提升有了強大的武器。

提升驗證效率

芯片都是根據(jù)市場需求而生的,而市場需求往往瞬息而變,這就是所謂的“時間窗口”。趕不上時間窗口,芯片就沒有前途。對于晶圓廠而言,工藝成功取決于其控制設計制造工藝窗口(design-manufacturing process window)的能力:不僅要能夠最大限度擴大工藝窗口,還要能夠在盡可能短的時間內預防、發(fā)現(xiàn)、評估和修復熱點。因此,設計工程師和工藝工程師都對EDA的精度和速度都提出了更高的要求。

“在驗證方面,一是要Runtime時間短,驗證周期要短;第二是在兼顧速度的時候,Debug要準,而這些都是Calibre的優(yōu)勢?！盡entor的工程師告訴記者。

Calibre還非常容易上手,使用體驗類似點工具,對新手非常友好。由于已經(jīng)成為物理驗證方面的標準,其他的設計平臺都集成了Calibre工具,設計者一旦掌握就不會受到平臺的限制。

最重要的是,Calibre本身集成了晶圓廠先進工藝的精髓,比如其中的Calibre SmartFill規(guī)則集就是由Mentor和TSMC為TSMC的N16制程而聯(lián)合開發(fā)。SmartFill可以將版圖密度分析和多種填充方案相結合為復雜的數(shù)字、模擬芯片提供最佳的填充策略。

需要解釋的是,Fill(填充)是一個芯片設計中非常重要的工藝,防止芯片在制造過程中由于曝光過渡或不足而導致的蝕刻失敗,金屬(metal)是主要的填充物之一。以前,填充是無規(guī)律進行的,被稱為Dummy metal,容易造成效率低下。針對問題,Mentor發(fā)明了SmartFill技術,可以根據(jù)工藝的實際情況進行填充,極大提升了效率和芯片可靠性。

值得一提的是,SmartFill集成了ECO填充功能,可確保實現(xiàn)較晚的設計更改并快速高效地重新填充設計,同時將運行時間,填充數(shù)據(jù)庫的大小和時序影響最小化。最為重要的應用實例就是,最初為 20nm 設計而研發(fā)的 Calibre YieldEnhancer ECOFill 解決方案現(xiàn)已廣泛應用于 TSMC 7nm 到 65nm 范圍內的所有工藝節(jié)點。各個工藝節(jié)點的設計人員能夠在更改初始設計時最大限度減少填充運行時間、管理分層填充以及盡可能地減少形狀移除的情況。