英特爾辟謠暫停馬來(lái)西亞新芯片封裝和測(cè)試項(xiàng)目

近日行業(yè)內(nèi)有消息稱，英特爾已暫停部分其在馬來(lái)西亞檳城的新芯片封裝和測(cè)試項(xiàng)目，該項(xiàng)目是三年前宣布的70億美元（約合人民幣500億元）投資的一部分。

對(duì)此，英特爾發(fā)言人近日正式回應(yīng)表示，其在馬來(lái)西亞擴(kuò)展業(yè)務(wù)未有任何變化，即該項(xiàng)目照常推進(jìn)中。

官方資料顯示，英特爾于2021年宣布建設(shè)檳城新項(xiàng)目，承諾在10年內(nèi)投資70億美元。當(dāng)時(shí)報(bào)道稱，這項(xiàng)投資將在該國(guó)創(chuàng)造4000多個(gè)英特爾工作崗位以及5000多個(gè)建筑工作崗位。據(jù)悉，英特爾擴(kuò)建檳城業(yè)務(wù)的目的是將其打造成美國(guó)境外首個(gè)先進(jìn)3D芯片封裝工廠，將聚焦最先進(jìn)的3D IC封裝Foveros，預(yù)計(jì)會(huì)在2024或2025年啟用。

公開(kāi)資料顯示，英特爾的兩大主要專業(yè)封裝技術(shù)是EMIB和Foveros。其中，F(xiàn)overos是一個(gè)希臘語(yǔ)單詞，意為“獨(dú)特的，特殊的”。該技術(shù)是英特爾發(fā)明的一種高性能三維集成電路（3D IC）面對(duì)面堆疊封裝技術(shù)，于2019年面世。

今年1月，英特爾宣布3D Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)已在美國(guó)新墨西哥州Fab 9開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。從英特爾先進(jìn)封裝布局情況來(lái)看，該公司除了在美國(guó)奧勒岡州有相關(guān)研發(fā)與產(chǎn)能之外，包括新墨西哥州及上述提及的馬來(lái)西亞檳城新廠，3個(gè)據(jù)點(diǎn)的3D先進(jìn)封裝產(chǎn)能相加，將于2025年時(shí)增加四倍，不過(guò)未透露廠區(qū)的產(chǎn)能。

Foveros技術(shù)旨在將兩個(gè)或多個(gè)芯片組裝在一起，進(jìn)行橫向和縱向之間的互連，進(jìn)一步降低凸點(diǎn)間距。但實(shí)際上，F(xiàn)overos的邏輯芯片3D堆疊并不是一種芯片，而是邏輯晶圓3D堆疊技術(shù)，也就是把chiplet/die面對(duì)面疊起來(lái)。該技術(shù)通過(guò)巧妙的設(shè)計(jì)，可以通過(guò)將存儲(chǔ)堆疊在活動(dòng)組件之上來(lái)顯著改善某些組件的延遲和帶寬。產(chǎn)品可以分成更小的小芯片 (chiplet) 或塊 (tile)，其中 I/O、SRAM和電源傳輸電路在基礎(chǔ)芯片中制造，高性能邏輯小芯片或塊堆疊在頂部。

圖片來(lái)源：英特爾

Foveros在芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低功耗和高密度的芯片間連接，最小化了分區(qū)的開(kāi)銷，能夠?yàn)槊總€(gè)區(qū)塊選擇理性的芯片工藝，并保障了成本和性能提升，簡(jiǎn)化了SKU（庫(kù)存量單元）的創(chuàng)建，更容易定制且更快速地上市。不同的技術(shù)版本包含F(xiàn)overos Omni、Foveros Direct。

英特爾第一代Foveros是采用10nm工藝推出，功耗極低，為每比特0.15皮焦耳，帶寬是同類2.5D Si中介層的2-3倍，功率可從3W擴(kuò)展到1千瓦，當(dāng)時(shí)凸點(diǎn)間距為50微米。
Foveros Omni允許芯片分離，靈活性強(qiáng)，可以在混合芯片節(jié)點(diǎn)上將多個(gè)頂芯片塊和多個(gè)基塊混合在一起，為芯片到芯片互連和模塊化設(shè)計(jì)提供了性能3D堆棧技術(shù)。

Foveros Direct則是Foveros Omni的補(bǔ)充，是支持直接連接一個(gè)或多個(gè)小芯片至作用中底層芯片，以創(chuàng)造復(fù)雜系統(tǒng)模組。據(jù)英特爾指出，“直接”連接是透過(guò)將個(gè)別小芯片的銅線以熱壓縮方式與晶圓連接，或是直接讓整個(gè)晶圓彼此堆疊連接。此連接技術(shù)可以是“面對(duì)面”或是“面對(duì)背”，并納入來(lái)自不同晶圓代工的芯片或晶圓，提高產(chǎn)品架構(gòu)彈性。而連接頻寬由銅線間距(以及產(chǎn)生的密度) 決定。第一代Foveros Direct 3D會(huì)使用9um的間距連接銅線；第二代則會(huì)縮小到間距只有3um。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了10微米以下的碰撞間距，提高了3D堆棧的互連密度，為功能芯片分區(qū)開(kāi)創(chuàng)了過(guò)去無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新概念。

Foveros Direct 3D在堆疊芯片之間支援高頻寬且低延遲的互連（圖片來(lái)源：英特爾）

英特爾曾強(qiáng)調(diào)，隨著整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入在單個(gè)封裝中集成多個(gè)小芯片（Chiplets）的異構(gòu)時(shí)代，英特爾的3D Foveros 和2.5D EMIB等先進(jìn)封裝技術(shù)將可以達(dá)成在單個(gè)封裝中整合一兆個(gè)電晶體，以便在2030年之后繼續(xù)持續(xù)推動(dòng)摩爾定律的前進(jìn)。

EMIB技術(shù)也在持續(xù)升級(jí)，今年5月末，AMD和Intel公布了3.5D封裝。值得關(guān)注的是，英特爾的EMIB 3.5D是在一個(gè)封裝中嵌入多晶?；ミB橋接和Foveros 技術(shù)，適合需要在一個(gè)封裝中組合多個(gè)3D堆棧的應(yīng)用。其Data Center GPU Max Series SoC，使用 EMIB 3.5D，打造出英特爾有史以來(lái)大批量生產(chǎn)的最復(fù)雜的異構(gòu)芯片，該芯片擁有超過(guò)1000億個(gè)晶體管、47個(gè)活動(dòng)磁貼和5個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。