4Q13全球DRAM產值續(xù)揚,連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚,因此4Q13全球DRAM產值再度攀高至約97.5億美金,QoQ近5%。同時,前兩大DRAM供貨商的獲利能力較上季皆有提升,其中獲利差異點取決于各DRAM廠標準型內存的供給多寡。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/221465.htmTrendForce研究協理吳雅婷表示,就4Q13合約價格走勢做觀察,由于九月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨,DRAM 4GB合約均價最高來到34美元價位,較火災發(fā)生前上漲約二成,供貨不足下主要PC OEM廠紛紛轉向三星及美光要求緊急供貨,亦是這波價格上漲受惠最多的廠商。其中三星受惠于25奈米制程開始放量,供貨最充足,所以盤據成交價的高價部位,美光次之,SK海力士為避免客戶流失,將合約價格放低,為這波漲價潮當中受惠最小的供貨商。2013年DRAM總產值總計達到34.4億美元,年成長約三成。
從全球DRAM廠自有品牌內存市占比例來觀察,三星半導體與SK海力士半導體各為39%與24%,兩者差距再進一步拉大。三星維持原先策略,標準型內存比重進一步提升,并意圖持續(xù)擴大行動式內存對外采購比重;由于三星的25奈米已經順利量產出貨,相較于SK海力士的29奈米以及美光的30奈米,顯然成本結構領先同業(yè)水平,在2014年平均銷售單價可能緩跌的前提下,三星的營業(yè)利益仍舊可以維持20%水位,無疑為產業(yè)獲利最高的廠商。SK海力士受無錫廠大火影響,其市占由3Q13的28.5%微幅下降至23.8%,營業(yè)利益也約略減少約5%。然而該公司傾全力恢復產出,預計產能流失的沖擊可望在今年首季全面回復。
在本次第四季營收市占報告中,TrendForce第二次將美光與日商爾必達合并計算,綜合市占為28.7%,正式超越SK海力士成為排名第二。除此之外,同時受惠于價格上揚與成本下降兩項因素,營業(yè)利益的成長超過10%,為產業(yè)之冠。美光集團2014年目標為逐漸導入爾必達技術為主的20奈米,預計正式量產時程約落在年末,若站在標準型內存的角度觀察,新美光集團的產出比例將占總產業(yè)的三分之一強,對該市場的影響力將大幅增加。
臺系廠部分,南科也積極轉進30nm制程,其投片量已來到總產能近八成,即使第四季停止從華亞科取得晶圓,在營收上仍有9.5%的季成長。力晶在DRAM營收上僅有6%的成長,除了力晶已轉型為代工業(yè)務為主外,去年下半年啟動的P3廠DRAM業(yè)務,也是屬于代工性質,不受DRAM價格波動影響,亦無法帶動DRAM營收繼續(xù)往上攀升。華邦則是受到火災轉單效應與傳統旺季需求,營收成長約9.7%,其中利基型內存的成長約為11%,行動式內存也有5%的成長,今年華邦除了提升投片量至38K外,提升46nm制程轉進比重亦是今年的重點,生產成本降低將有助第一季的獲利表現。
從市場面來觀察,TrendForce認為無錫廠的復工狀況為牽動未來價格走勢的最主要關鍵;由于每年首季都是需求淡季,加上產出增加 (三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士無錫廠復工),TrendForce仍維持原先的預估,價格將呈現緩跌態(tài)勢,而跌幅將隨著旺季來臨而趨緩。后續(xù)獲利能力的持盈保泰將有賴于制程轉進,而產業(yè)供給面將有賴各DRAM廠商共同維持,不貿然進行擴廠計劃;在以上前提成立之下,2014年的DRAM總產值可望進一步提升,并在后20nm時代來臨之前為各家?guī)矸€(wěn)定的獲利。
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