4G內(nèi)存福音：三星量產(chǎn)新一代LPDDR4移動內(nèi)存顆粒

　　三星電子宣布，已經(jīng)成功量產(chǎn)了全球第一個8Gb(1GB)容量的新一代LPDDR4移動內(nèi)存顆粒，并采用了該公司領先的20nm工藝。

　　這樣的顆粒只需要4顆，就能組成4GB內(nèi)存芯片，用于智能手機，而隨著64位ARM架構、安卓5.0的相繼投入實用，4GB內(nèi)存也將逐漸成為安卓旗艦機的標配。

　　LPDDR內(nèi)存標準今年8月底才剛剛敲定，而早在去年底，三星就迫不及待地宣布了全球第一顆LPDDR4內(nèi)存顆粒，容量就是8Gb(1GB)，不過當時說的工藝還只是2xnm(三星通常稱之為20nm級別)，這次是真正的20nm了。

　　三星這種新型顆粒的頻率也達到了3200MHz，相比于2xnm 4Gb LPDDR3不僅容量翻了一番，性能也提高了一倍，甚至是典型DDR3桌面內(nèi)存的整整兩倍。

　　同時由于電壓降至1.1V，它還更省電。同樣是2GB容量的芯片，8Gb LPDDR4封裝而來的就要比4Gb LPDDR3封裝而來的節(jié)能最多40%(當然其中也有封裝顆粒少一半的緣故)。

　　能做到如此高性能低功耗，低電壓擺幅中斷邏輯(LVSTL) I/O界面的貢獻不容忽視。這是三星提交并被納入LPDDR4標準規(guī)范的一項技術，

　　三星稱，它可以支持4K超高清視頻的錄制和播放，以及2000+萬像素照片的連拍。

　　三星已經(jīng)開始出貨分別基于8Gb、4Gb顆粒的2GB、3GB LPDDR4內(nèi)存芯片，4GB LPDDR4則會在2015年初交付。