美光轉向3D芯片 40億美元擴建工廠

　　傳統(tǒng)的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠商開始轉向3D閃存，這其中三星動作最快，去年就已經開始量產第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進，在日本擴建Fab 2工廠準備3D閃存生產，Intel/美光系去年底也公開了他們的3D NAND閃存，現(xiàn)在也準備量產了。日前美光宣布投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠，明年底開始量產第二代3D NAND閃存。

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　　美光斥資40億美元升級Fab 10X晶圓廠生產3D NAND閃存

　　美光在新加坡現(xiàn)有Fab 10N晶圓廠，每月產能約為14萬片等效晶圓，這次投資新建的是Fab 10X晶圓廠，主要生產第二代3D NAND閃存，建成后每月產能還是大約14萬片等效晶圓，不過之后就是3D NAND閃存了，因此總產能更大，在未來的幾年里可支撐每年bit容量增長40-50%。

　　此次投資總額約為40億美元，整個項目要到2017財年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015財年先期投資為5億美元。

　　美光的Fab 10X工廠主要是生產第二代的3D NAND閃存，根據(jù)Intel之前所說，二代3D NAND閃存最高可以堆疊32層NAND，die核心容量則高達256Gb，這樣就能達到1TB容量，如果是TLC閃存，die容量則可以達到384Gb，2mm厚度下就能實現(xiàn)1TB的容量，也就是一張SD卡的大小就有TB+的容量。

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　　美光的3D NAND閃存路線圖

　　在美光的路線圖上，平面的16nm工藝之后他們就會100%專注于3D NAND閃存，2015年底首先會在消費級市場推出3D NAND閃存的固態(tài)硬盤，不過這個應該是第一代3D NAND的，堆疊層數(shù)為16層，比三星的V-NAND略低。