非易失性光存儲(chǔ)器，利用相變材料實(shí)現(xiàn)

　　由英國(guó)和德國(guó)大學(xué)及研究所的研究人員組成的研究小組開發(fā)出了可用光線寫入信息并用光線讀取信息的光存儲(chǔ)芯片。材料采用了電存儲(chǔ)器也使用的相變存儲(chǔ)材料，此次首次實(shí)現(xiàn)了非易失性光存儲(chǔ)器。

　　預(yù)計(jì)隨著存儲(chǔ)器的光化，將來存儲(chǔ)器的密度將不斷提高，耗電量和訪問時(shí)間將大幅減少。介紹技術(shù)詳情的論文已發(fā)表在學(xué)術(shù)雜志《自然光子學(xué)》(Nature Photonics)上。

　　開發(fā)出這款光存儲(chǔ)芯片的是英國(guó)牛津大學(xué)、德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院(KIT)、德國(guó)明斯特大學(xué)(University of Muenster)、英國(guó)埃克塞特大學(xué)(Exeter University)的研究者們。

　　使用的相變材料是相變存儲(chǔ)器一般使用的Ge2Sb2Te5 (GST)。信息記錄采用的原理是通過GST在結(jié)晶狀態(tài)與非晶狀態(tài)之間變化，或在非晶狀態(tài)之間變化時(shí)，光的透過性會(huì)隨之發(fā)生變化。另外，電相變存儲(chǔ)器則是利用隨著結(jié)晶/非晶狀態(tài)的不同，電阻值發(fā)生變化的特點(diǎn)來記錄信息的。

　　信息擦寫時(shí)，通過向GST照射能量高但波長(zhǎng)非常短的光脈沖來實(shí)現(xiàn)結(jié)晶與非晶狀態(tài)。而讀入時(shí)，采用能量較弱的光脈沖，來讀取GST的狀態(tài)。此次開發(fā)的芯片實(shí)現(xiàn)了利用尺寸大約為1ns的一個(gè)元件便可記錄3bit、8值狀態(tài)的多值化。擦寫時(shí)的切換頻率大約為1GHz。