臺積電率先推出40納米制程
臺積公司40納米制程重點:
芯片閘密度(Raw gate density)是65納米制程的2.35倍,
運作功率(Active power)較45納米制程減少幅度可達15%,
創(chuàng)下業(yè)界SRAM單位元尺寸及宏尺寸的最小紀錄,
提供泛用型制程及低耗電制程以滿足多種不同產品應用,
已經有數十個客戶進行產品設計,
客戶已經頻繁使用晶圓共乘服務進行產品驗證。
繼2007年為客戶成功投產45納米產品后,臺積公司又迅速地締造新的里程碑,率先推出具備更佳競爭優(yōu)勢的40納米低耗電量及泛用型制程。原本45納米制程的芯片閘密度是65納米制程的2倍,經由制造上的創(chuàng)新,40納米低耗電量及泛用型制程的芯片閘密度更進一步提高,達到65納米制程的2.35倍。此外,40納米制程低耗電量制程的芯片運作功率較45納米制程減少幅度可達15%。
臺積公司先進技術行銷處資深處長尉濟時表示:「芯片設計人員無需更改芯片設計或采用新的設計準則,只要采用臺積公司45納米制程設計流程,便可以直接獲得40納米制程所提供的競爭優(yōu)勢。臺積公司的努力是務必使在芯片制造端這一轉換過程清楚透明,讓芯片設計人員沒有后顧之憂,可以專心致力于提升產品的效能?!?br />
40納米低耗電量制程適用于對晶體管漏電高度敏感的產品應用,例如通訊及行動產品;40納米泛用型制程則適用于高效能的產品應用,例如中央處理器、繪圖處理器、游戲機、網絡、可程序化邏輯門陣列(FPGA)以及其它高效能消費型產品應用。40納米制程是由45納米制程直接微縮 (Linear shrink),而其SRAM效能則完全相同,單位元面積僅有0.242平方微米,創(chuàng)下目前業(yè)界的最小紀錄。
除了尺寸及效能的雙重優(yōu)勢外,不論是40納米泛用型制程或是低耗電量制程,都可以搭配混合信號、射頻以及嵌入式DRAM制程,以滿足多種不同的產品應用。臺積公司40納米制程結合了193納米浸潤式曝影技術以及超低介電系數(Extreme low-k dielectric, ELK)組件連接材料的優(yōu)勢,其邏輯制程可搭配低耗電量三閘級氧化層(Triple gate oxide, LPG)來支持高效能無線及行動產品應用。此外,40納米泛用型及低耗電量制程皆提供多種不同運作電壓以及1.8伏特及2.5伏特的輸入/輸出電壓以滿足不同產品的需求。
臺積公司今年的40納米制程晶圓共乘服務預計于四月、六月、八月、十月及十二月推出。目前,第一波客戶采用45納米/40納米晶圓共乘服務已超過200個共乘座(Shuttle Block)。臺積公司將先于晶圓十二廠提供40納米泛用型及低耗電量制程制造服務,未來會視客戶需求再擴展至晶圓十四廠。
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