三星宣布投產(chǎn)40納米8Gb融合閃存芯片

        三星稱，通過采用40nm新工藝和8Gb大容量，F(xiàn)lex-OneNAND閃存芯片的生產(chǎn)效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180％。40nm Flex-OneNAND當前主要面向智能手機，不過三星認為今年底就會走入全高清電視、網(wǎng)絡(luò)電視(IPTV)和其他高端應(yīng)用領(lǐng)域，而且隨著數(shù)據(jù)傳輸率的提高，會有越來越多的高端手機集成1GB乃至32GB嵌入式內(nèi)存。