三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存
三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND,這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進(jìn)的30nm工藝,適用于高端手機(jī)和其他移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝,其存儲(chǔ)密度是當(dāng)前40nm16Gb的兩倍。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/94293.htm每一個(gè)32GB moviNAND都有三部分組成,其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個(gè)MMC控制器,符合最新eMMCv4.3規(guī)范,支持縮短啟動(dòng)時(shí)間的加電啟動(dòng)功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個(gè)固件,能夠改善處理、存儲(chǔ)大容量數(shù)據(jù)時(shí)的性能。
除了32GB,三星30nm moviNAND閃存卡還有16GB、8GB和4GB三種容量。
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