三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存
三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND,這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進的30nm工藝,適用于高端手機和其他移動消費電子設備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝,其存儲密度是當前40nm16Gb的兩倍。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/94293.htm每一個32GB moviNAND都有三部分組成,其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個MMC控制器,符合最新eMMCv4.3規(guī)范,支持縮短啟動時間的加電啟動功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個固件,能夠改善處理、存儲大容量數(shù)據時的性能。
除了32GB,三星30nm moviNAND閃存卡還有16GB、8GB和4GB三種容量。
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