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Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前,Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案,在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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可管理NAND:適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲

  • 與多年前相比,現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,功能豐富,能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是,存儲...
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10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價(jià)看漲

  •   市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價(jià)看漲。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外,不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價(jià)格飆漲,同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。   集邦科技指出,盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象,不過,海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。   集邦預(yù)期,近期1至2個(gè)月
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用DNW通過USB燒uboot到nand

  • 燒寫前提:已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動(dòng)才可以使用US...
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采取多元化戰(zhàn)略,加強(qiáng)在華合作

  • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措:一,完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購;二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議??梢姡琒pansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司,并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

  •   三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

  •   不讓韓國三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺后段封測廠力成(6239)營運(yùn)挹注成長動(dòng)能。   這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定,因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。   研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
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NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

  • 據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲市場追蹤報(bào)告,今年第一季度中國低端智能手機(jī)的需求大增,讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及,刺激了NAND閃存市場的增長并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
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第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級本與PC平板領(lǐng)域

  • 據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報(bào)告,超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
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芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

  •   據(jù)國外媒體報(bào)道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是,盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計(jì),2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測,2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。   當(dāng)然,SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
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2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

  •   根據(jù)國外媒體的報(bào)道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。   這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。   不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

  •   導(dǎo)語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機(jī)市場的需求趨于飽和,曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢崛起,以及中國移動(dòng)市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動(dòng)   隨著中國低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報(bào)。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機(jī)市場
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內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

  •   7月5日消息,由于中國廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長,由于中國移動(dòng)設(shè)備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn),開始收獲金錢了。   在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,盡管市場增速?zèng)]過去那么快了,但是,這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會刺激內(nèi)存銷售的增長。   兩種趨勢之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價(jià)能力。   I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
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NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場面

  •   存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季,并指出未來12個(gè)月,NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限,但需求十分強(qiáng)勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容,因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。   根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查,由于全球4大供應(yīng)商近一年來沒有擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩,第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%,但因行動(dòng)裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進(jìn)入
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NAND閃存閃現(xiàn)光芒,今年?duì)I業(yè)收入有望大增

  • 據(jù)IHS公司的閃存市場動(dòng)態(tài)簡報(bào),由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,NAND閃存市場今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
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