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我國前5大晶圓代工企業(yè)囊括國內(nèi)76%的市場

  • 　　據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)iSuppli數(shù)據(jù)顯示，2004年我國晶圓代工企業(yè)前5名，包括中芯國際、華虹NEC、和艦科技、上海先進及宏力半導(dǎo)體，2004年營收合計17.57億美元，占2004年國內(nèi)晶圓代工商場產(chǎn)值23.1億美元規(guī)模的76%。不過，與2004年全球晶圓代工市場產(chǎn)值169.5億美元相比，我國國內(nèi)總產(chǎn)值僅中全球市場比重的近14%。   　　就整體市場而言，2002-2004年間，我國晶圓代工企業(yè)，逐漸在世界舞臺上嶄露頭角，以國內(nèi)最大晶圓代工企業(yè)中芯國際為例，2002年營收僅5000萬美
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KLA-Tencor發(fā)布全新的Puma9000產(chǎn)品晶圓檢測系統(tǒng)

  • KLA-Tencor 公司于今日公開發(fā)表其全新的 Puma 9000 產(chǎn)品晶圓檢測系統(tǒng)—也是第一套新世代的檢測解決方案，堪稱為瑕疵管理需求的完整范圍樹立了全新的效能標準。Puma 9000 的開發(fā)過程中已與客戶密切合作，不僅解決了新的瑕疵問題，同時也在 65-nm 與 45-nm 節(jié)點方面獲致極為優(yōu)異的成果。Puma 9000 將高度?；c可擴充的架構(gòu)與 KLA-Tencor&
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Aviza和SEZ就晶圓污染控制的技術(shù)展開合作

  • 　　美國Aviza科技公司和澳大利亞SEZ集團日前就在利用ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）技術(shù)形成高介電常數(shù)（high-k）膜時，對附著在晶圓頂端或背面而造成元件污染的薄膜進行清除的技術(shù)達成了合作協(xié)議（發(fā)布資料1）。  　　避免high-k材料造成污染的風(fēng)險  　　ALD技術(shù)可用于形成high-k膜，目前業(yè)界正在探討將其導(dǎo)入45nm工藝（hp65）以后的晶體管中。與真空濺鍍法相比，能夠形成均質(zhì)薄膜且覆蓋率高；另一方面，晶圓的頂端和
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IR推出新型12V、100A有源ORing參考設(shè)計

  • 有效減少50%的元件數(shù)量和電路尺寸 　　全球電源管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款針對+12V、100A有源應(yīng)用的參考設(shè)計IRAC5001。長期以來，在12V大電流系統(tǒng)中，有源ORing以其更完善的系統(tǒng)效率和成本優(yōu)勢成功地取代了二極管ORing。與市面上采用TO-220元件的其他方案相比，IR新推的IRAC5001解決方案進一步將所需場效應(yīng)管的數(shù)量減少了50%。此外，憑借IR DirectFET封裝MOSFET優(yōu)異的雙面冷卻功能，整個解決方
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南亞科技公司自建的12寸晶圓廠2007年投產(chǎn)

  •     據(jù)港臺媒體報道，南亞科技(2408)總經(jīng)理連日昌12日表示，目前已通過董事會向母公司臺塑集團(1301)溝通，表達希望能夠自行興建12寸晶圓廠的意愿，預(yù)計最快在2007年時，南亞科所屬12寸晶圓廠將正式投產(chǎn)，初步估計此一晶圓廠規(guī)模將與現(xiàn)在華亞半導(dǎo)體相當，因此，南亞科于2006年將會有一波新的募資計劃，傾向以通過銀行聯(lián)貸方式進行，不希望采用發(fā)行CB方式，避免股本過度膨脹。       　　環(huán)顧當前臺灣地區(qū)DRA
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Aviza與瑟思將重點集中于ALD膜層的晶圓背面和倒角處的去除解決方案

  • 　　2005年7月11日訊—經(jīng)過量產(chǎn)驗證的熱處理系統(tǒng)以及原子膜層沉積（ALD）的全球供應(yīng)商Aviza Technology公司, 和半導(dǎo)體業(yè)界中單晶圓濕式處理技術(shù)的市場領(lǐng)先者及首要的技術(shù)創(chuàng)新者SEZ（瑟思）集團于今日聯(lián)合宣布，將攜手應(yīng)對新一代IC制造過程中面臨的關(guān)于去除ALD膜層的一系列重要挑戰(zhàn)。協(xié)議約定，兩個公司將利用雙方的專家技術(shù)，共同開發(fā)應(yīng)用于ALD高級膜層的沉積和去除等解決方案，合作重點將是晶圓的背面和倒角。 　　SEZ全球新興技術(shù)部總監(jiān)Leo Archer 博士評論說：“隨著半導(dǎo)體器件的日益復(fù)
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使用光電耦合器時的部分設(shè)計考慮因素

  • 　　設(shè)計牢靠的電子系統(tǒng)是一件極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。所挑釁的元器件必需滿足環(huán)境條件要求，其中可能包括電磁干擾、靜電放電、共模瞬變和高壓。通過提供信號隔離及高壓絕緣功能，光電耦合器解決了所有這些挑戰(zhàn)。 　　傾向較低的工作電壓以降低功耗，及縮小封裝以裝在小型電子組件的限定空間中，這些市場發(fā)展趨勢給設(shè)計人員帶來了新的挑戰(zhàn)。與印刷電路板布局、工作條件、專用參數(shù)和規(guī)范要求有關(guān)的其它因素也非常重要，在早期設(shè)計階段必須考慮這些因素。設(shè)計人員通?？梢赃x擇不同的解決方案和技術(shù)。本文將重點介紹與光電耦合器有關(guān)的部分設(shè)計考慮因素。
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泰科電子Raychem電路保護部網(wǎng)上研討會

  • 【媒體邀請函】 主題： 　　泰科電子Raychem電路保護部的快速動作表面貼裝保險絲產(chǎn)品介紹研討會 　　隨著消費性及便攜式電子產(chǎn)品日新月異，企業(yè)致力于如何提供高效能的電源管理及電流保護系統(tǒng)，為業(yè)界研發(fā)提供更具可靠性及高性能的消費性電子產(chǎn)品。泰科電子Raycham電路保護部將于6月29日（星期三）舉辦網(wǎng)上研討會。Raychem電路保護部的專家將會介紹所推出的全新電子芯片保險絲系列，適用于筆記本、多媒體裝置、移動電話，以及其它便攜式電子設(shè)備。本系列快速動作表面貼裝保險絲能為使用最高63V的DC電源系統(tǒng)提
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DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)硬　出貨報價決不妥協(xié)

  • 　　進入第二季底，多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對季底作帳而壓低DRAM報價，不過，由于日前合約價公布后竟逆勢上漲1～3%，讓所有DRAM廠吃下定心丸，不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價壓力。DRAM渠道商指出，現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說是相當強硬，客戶端若無法接受其報出價位，寧可不賣也不愿壓低報價。  　　全球DRAM最新合約價公布后，盡管無法達到DRAM廠原本希望上調(diào)到3～5%的幅度，但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調(diào)1～3%的事實，而DRAM廠之所以能順勢漲價，最重要因素在于目
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多晶硅材料匱乏　2006年硅晶圓價格增長5%

  •     美國東部時間6月23日（北京時間 6月24日）當?shù)貢r間本周四，分析師警告說，由于全球多晶硅材料匱乏的程度比我們原先預(yù)期的更糟糕，將導(dǎo)致2006年硅晶圓的價格增長5%。     普林斯頓技術(shù)研究公司分析師 Paul Leming 表示，可能增加的硅晶圓價格將沖擊全球的供應(yīng)鏈，由于材料價格的原因?qū)⑹拱雽?dǎo)體的價格增長0.5%。     據(jù)今年5月
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應(yīng)汽車電子化半導(dǎo)體需求 Denso增設(shè)晶圓廠

  • 　　汽車電子大廠Denso日前表示，為了因應(yīng)汽車電子化的半導(dǎo)體需求，該公司計劃于生產(chǎn)據(jù)點—幸田制作所增設(shè)一座8吋晶圓廠，預(yù)定于今年6月動工，2006年2月竣工，同年6月正式投產(chǎn)。第一階段投資預(yù)定于2006年度前投入約170億日圓；第二階段以后的投資，則將視市況需求，于2010年前分階段進行。      幸田制作所目前月產(chǎn)能約為2萬3000片6吋晶圓。此次增設(shè)的新廠，2010年以前月產(chǎn)能可望達到1萬片8吋晶圓。屆時該據(jù)點總月產(chǎn)能也將達到4萬片6吋晶圓。&nb
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TI攜手Ember打造全球最低功耗ZigBee芯片組解決方案

  • TI 片上信號鏈 MSP430 MCU 使互操作無線傳感器網(wǎng)絡(luò)成本更低、設(shè)計時間更短 2005 年 6 月 20 日  北京訊 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布與 Ember 公司合作推出全球功耗最低的 ZigBee™ 網(wǎng)絡(luò)與微控制器 (MCU) 平臺。ZigBee 是一種標準化的無線電廣播技術(shù)，能夠滿足遠程監(jiān)控、控制與傳感器網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的特殊需求，這些應(yīng)用包括家庭監(jiān)控與報警、樓宇自動化、工業(yè)自動化、資產(chǎn)管理與國防安全。Ember 已將其符合 EM2420 802.15.4/Zig
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全球SDRAM市場回暖 兩岸晶圓代工信心重現(xiàn)

  •     全球SDRAM市場需求節(jié)節(jié)攀升，下游客戶端庫存量已降至相對低點，加上DRAM廠紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至NAND型Flash，使得近來SDRAM出現(xiàn)難得一見的榮景，不僅顆粒報價水漲船高，晶圓代工廠商也雨露均沾，相繼調(diào)漲代工報價，其中，力晶及中芯受惠最大，近年來SDRAM價格慘澹的悲情局面，終于曙光乍現(xiàn)。 　　內(nèi)存渠道商指出，目前全球SDRAM市場相當火熱，需求如潮涌般一波接一波，其中，來自于DVD錄放機、ADSL設(shè)備及Set top box等終端產(chǎn)品需求相當暢
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沒有ATE生成向量的精密測試

  • 消費類電子產(chǎn)品正在變得更復(fù)雜和更快速，因而使得測試成本成為問題。大的和復(fù)雜的SoC往往是消費類產(chǎn)品的心臟，不管它們的性能多么先進，其成本必須是低的。各種內(nèi)裝自測試（BIST）已應(yīng)用于測試DUT（被測器件）的內(nèi)部性能，導(dǎo)致產(chǎn)品較低的生產(chǎn)成本。剩下的主要問題是快速串行接口（如PCI Express，Serial ATA，F(xiàn)ibreChannel和Serial Rapidio）的全面測試。這些高速鏈路在計算、通信和音視頻娛樂前進中是不可缺少的。重視測試成本是一個重要的問題，設(shè)計人員已應(yīng)用BIST技術(shù)到串行I/O
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IR推出新型DirectFET MOSFET芯片組

  • 使336W轉(zhuǎn)換器效率提升至97%面積較四分之一磚小29％ 　　世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發(fā)布的IR2086S全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實現(xiàn)效率高達97%的336W功率。 　　全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器總線
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