半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新合作模式在碰撞中逐步確立

半導(dǎo)體領(lǐng)域最近動(dòng)作頻頻，一系列重要投資的落地，說(shuō)明政策對(duì)于外資半導(dǎo)體公司的態(tài)度以及新的合作方式更加趨于明朗。
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從科技新應(yīng)用、整并題材看半導(dǎo)體通路業(yè)

　　由于2016～2017年半導(dǎo)體通路業(yè)所面臨的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均持續(xù)處于成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，況且半導(dǎo)體通路商扮演技術(shù)服務(wù)業(yè)的角色，隨著科技新應(yīng)用領(lǐng)域不斷浮現(xiàn)與深化，也為半導(dǎo)體通路商帶來(lái)成長(zhǎng)契機(jī)，加上現(xiàn)階段從庫(kù)存管理和營(yíng)運(yùn)資金角度來(lái)看，亦相對(duì)有利于半導(dǎo)體通路商的經(jīng)營(yíng)，且上下游制定共同的服務(wù)和備貨標(biāo)準(zhǔn)，將有效提升整體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的效率，因此2017年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體通路業(yè)景氣仍可樂(lè)觀看待。　　2017年全球電子市場(chǎng)將主要聚焦智能手持裝置發(fā)展、個(gè)人物聯(lián)網(wǎng)傳感器、5G、工業(yè)4.0、人工智能、虛擬個(gè)人助理和機(jī)器人程序、行動(dòng)支
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 5G

中國(guó)正以新的心態(tài)吸引半導(dǎo)體國(guó)際投資

　　半導(dǎo)體領(lǐng)域最近動(dòng)作頻頻，一系列重要投資的落地，說(shuō)明政策對(duì)于外資半導(dǎo)體公司的態(tài)度以及新的合作方式更加趨于明朗。　　全球第二大晶圓生產(chǎn)商Global Foundries(格羅方德)上周剛宣布和成都市成立一家合資公司——格芯(成都)集成電路制造有限公司，將在成都新建一家合資晶圓廠，預(yù)計(jì)該合資公司累計(jì)投資規(guī)模將超過(guò)100億美元，同時(shí)在中國(guó)啟用新的“格芯”品牌開(kāi)展業(yè)務(wù)。　　過(guò)去兩三年，國(guó)際知名半導(dǎo)體廠商中，英特爾、高通在中國(guó)也不乏投資動(dòng)作，或成立了相關(guān)合資
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格羅方德“入川” 中美半導(dǎo)體領(lǐng)域博弈日趨激烈

　　“用美國(guó)貨，雇美國(guó)人”，美國(guó)總統(tǒng)特朗普在他“Make America Great Again”的口號(hào)中反復(fù)強(qiáng)調(diào)將工作機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)移回美國(guó)本土的決心和意志，而大批的制造型企業(yè)在這一過(guò)程中就成了首要針對(duì)的目標(biāo)。而政府的施壓顯然也起到了一定的作用，英特爾和富士康先后傳出將投入70億美元在美國(guó)建立工廠。　　然而，一切也顯然并非都如特朗普所預(yù)期。2月10日，全球第二大晶圓代工廠商格羅方德(Global Foundries)宣布以百億美元在中國(guó)成都建立12英寸晶圓制造
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紐約時(shí)報(bào):全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心繼續(xù)向中國(guó)轉(zhuǎn)移

　　在英特爾(Intel)和富士康(Foxconn)宣布將在美國(guó)修建先進(jìn)的工廠后，也許看上去美國(guó)似乎在高端制造業(yè)勢(shì)頭強(qiáng)勁。　　但周五，總部設(shè)在加利福尼亞州的芯片制造商GlobalFoundries宣布了一個(gè)投資額達(dá)100億美元(約合700億元人民幣)的項(xiàng)目，投資的目的地是中國(guó)。這表明，重心繼續(xù)在向太平洋對(duì)岸轉(zhuǎn)移。　　該公司計(jì)劃在中國(guó)腹地的成都新建一座先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠。這只是最近在中國(guó)政府的支持下進(jìn)入中國(guó)的一系列投資中距今最近的一筆。這些投資的主體通常是大型跨國(guó)企業(yè)。相關(guān)項(xiàng)目已明顯變得更加高
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半導(dǎo)體五年內(nèi)進(jìn)入將2納米，臺(tái)灣欲靠基礎(chǔ)研究突破物理極限

　　臺(tái)灣科技部長(zhǎng)陳良基今天表示，美國(guó)特斯拉總裁伊隆?馬斯克(Elon Musk)已對(duì)外表示，2030年將送人類到火星，屆時(shí)每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)“比人聰明”的人工智能器材，2040年每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)機(jī)器人，這些科技創(chuàng)新都在美國(guó)矽谷，因此臺(tái)灣學(xué)界必須與硅谷連結(jié)，半導(dǎo)體作為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力核心，未來(lái)幾年跨入3納米、2納米，將遭遇到物理極限，這些都必須靠學(xué)界基礎(chǔ)研究突破。　　陳良基表示，他上任后將推動(dòng)三件工作，分別是支持學(xué)術(shù)研究、提振產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與建置科技研究環(huán)境，他強(qiáng)調(diào)，負(fù)責(zé)科研獎(jiǎng)助的
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英特爾CEO響應(yīng)特朗普號(hào)召宣布投資70億美元在美建廠

　　北京時(shí)間2月9日消息，據(jù)《財(cái)富》雜志網(wǎng)絡(luò)版報(bào)道，英特爾日前在美國(guó)總統(tǒng)辦公室宣布，將斥資70億美元在亞利桑那州建造一座新的半導(dǎo)體工廠，待工廠完工并開(kāi)始運(yùn)營(yíng)時(shí)，將創(chuàng)造3000個(gè)工作崗位。　　當(dāng)著美國(guó)總統(tǒng)特朗普的面，英特爾CEO柯再奇向記者宣布了這筆投資，這顯示出，美國(guó)公司正努力適應(yīng)“愛(ài)憎分明”的新政府。　　特朗普透露，柯再奇曾在幾周前致電，稱他希望與特朗普會(huì)面，以宣布一項(xiàng)重大事宜。　　柯再奇則表示，英特爾希望建造該工廠已經(jīng)有數(shù)年時(shí)間。他稱希望在白宮宣布該投資，以示對(duì)
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大陸攻堅(jiān)半導(dǎo)體臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)面臨歷史性抉擇

中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)走向全球的過(guò)程中，其實(shí)質(zhì)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍位于大洋彼岸。臺(tái)灣自我封閉的做法除了削弱自己的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，使自己逐漸邊緣化之外，并不會(huì)對(duì)中國(guó)大陸實(shí)現(xiàn)自己的目標(biāo)造成多大的影響。
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鐘情NAND型閃存郭臺(tái)銘攪局東芝半導(dǎo)體招標(biāo)

　　NHK4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，為了出售即將成立的半導(dǎo)體事業(yè)新公司部分股權(quán)，東芝已于3日舉行第一次招標(biāo)，而除了美國(guó)投資基金之外，多家半導(dǎo)體廠商也參與競(jìng)標(biāo)。另外，據(jù)關(guān)系人士指出，東芝對(duì)參與競(jìng)標(biāo)的企業(yè)表示，除了對(duì)半導(dǎo)體新公司出資之外、也希望能考慮對(duì)東芝本體出資數(shù)千億日元。　　時(shí)事通信社4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，為了挑選半導(dǎo)體新公司的出資企業(yè)，東芝已于3日開(kāi)始展開(kāi)招標(biāo)作業(yè)，而據(jù)關(guān)系人士指出，在內(nèi)存事業(yè)上和東芝合作的美國(guó)Western Digital西數(shù)等多家企業(yè)似乎已表明將參與競(jìng)標(biāo)，預(yù)計(jì)招標(biāo)手續(xù)將階段性推進(jìn)，東芝將在2月份內(nèi)選出出資企
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跟上節(jié)奏半導(dǎo)體行業(yè)假期動(dòng)態(tài)匯總

　　新年剛過(guò)，小編為您匯整了假期內(nèi)，您絕不該錯(cuò)過(guò)的最新半導(dǎo)體新聞動(dòng)態(tài)!快跟上最新的行業(yè)節(jié)奏!瞧瞧這些半導(dǎo)體巨頭不打烊都在做些甚么努力?先來(lái)看看2017其后半導(dǎo)體行業(yè)的總體展望：　　PART 1 　　2017年半導(dǎo)體總體“運(yùn)勢(shì)” 　　Gartner公布2017年半導(dǎo)體行業(yè)同比增長(zhǎng)4.7%，達(dá)3400億美元; 　　WSTS于2016年11月秋季預(yù)測(cè)，2016年半導(dǎo)體同比下降0.1%，以及2017年半導(dǎo)體增長(zhǎng)3.3%; 　　SEMI預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在3D NAND
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美國(guó)步步緊逼中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)崛起難在哪里？

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)若想實(shí)現(xiàn)超越，一定是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的超越，不會(huì)是單一環(huán)節(jié)單一企業(yè)的勝出，但實(shí)現(xiàn)它的路徑，仍必須先有關(guān)鍵環(huán)節(jié)的突破。
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半導(dǎo)體，一個(gè)即將“消失”的貴族產(chǎn)業(yè)?

　　半導(dǎo)體芯片行業(yè)近兩年出現(xiàn)大規(guī)模并購(gòu)風(fēng)潮背后的原因何在?洶涌而來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)浪潮帶給芯片產(chǎn)業(yè)怎樣的沖擊?為何一邊是芯片公司對(duì)應(yīng)用市場(chǎng)的迷茫，而另一邊硬件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者卻又找不到合適的芯片?　　芯片產(chǎn)業(yè)并購(gòu)“瘋”潮背后的困境與焦慮　　半導(dǎo)體芯片行業(yè)在2015年發(fā)生史上規(guī)模最大的并購(gòu)“瘋”潮之后，2016上半年稍微平息，到下半年又“瘋”波再起，接連出現(xiàn)幾樁大規(guī)模的并購(gòu)案例，包括高通收購(gòu)NXP、ADI收購(gòu)凌力爾特(Linear)，瑞薩收購(gòu)Intersil?！　∵@背后透露出整個(gè)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的困境與焦慮。在互聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)
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東芝計(jì)劃借半導(dǎo)體新公司股份實(shí)現(xiàn)增資3000億日元

　　據(jù)共同社報(bào)道，處于經(jīng)營(yíng)重組期的東芝公司正在探討于3月底前增資3000億日元(約合人民幣180億元)規(guī)模。東芝計(jì)劃讓參與半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新公司的企業(yè)和投資基金認(rèn)購(gòu)沒(méi)有表決權(quán)的優(yōu)先股，準(zhǔn)備賦予優(yōu)先股可轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體新公司股份的權(quán)利。　　東芝的美國(guó)核電業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)最大虧損7000億日元，負(fù)債可能超過(guò)資產(chǎn)陷入資不抵債的境地。由于可預(yù)見(jiàn)東芝公司單純招募資金也會(huì)因?yàn)楦唢L(fēng)險(xiǎn)而難以實(shí)現(xiàn)，因此計(jì)劃附加可轉(zhuǎn)換為優(yōu)良的半導(dǎo)體新公司股份的條件，憑借這一罕見(jiàn)方法渡過(guò)財(cái)年決算期的難關(guān)，但基金等機(jī)構(gòu)是否應(yīng)允尚是未知數(shù)。　　東芝公司將在
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SIA：2016年全球半導(dǎo)體銷售創(chuàng)新高，中國(guó)區(qū)增長(zhǎng)最快

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)2日公布，2016年12月份全球半導(dǎo)體銷售額來(lái)到310億美元，和前月持平;和去年同期相比，上揚(yáng)12.3%。2016年第四季半導(dǎo)體銷售額為930億美元，季增5.4%、年增12.3%。　　2016年全年半導(dǎo)體銷售額為3,389億美元，創(chuàng)下空前新高，年增率為1.1%。　　SIA總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)JohnNeuffer聲明稿指出，2016年年初全球半導(dǎo)體市場(chǎng)起步緩慢，年中開(kāi)始加速成長(zhǎng)，一路上沖，年度銷售將近3,400億美元，締造新紀(jì)錄。　　2016年買氣最佳的半導(dǎo)
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2017年半導(dǎo)體銷售額將達(dá)3640億美元

　　根據(jù)市調(diào)公司Gartner調(diào)查，今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)7%，主要是由于芯片庫(kù)存補(bǔ)充及平均售價(jià)提高。　　Gartner(康乃狄克州史丹佛分部，Stamford， Conn.) 表示，預(yù)估2017年半導(dǎo)體銷售總額將達(dá)到3，640億美元，高于去年的3，400億美元。該單位并指出，會(huì)做出增加2017年半導(dǎo)體銷售總額預(yù)測(cè)，且與先前做出的預(yù)測(cè)多出141億美元，其中有100億美元是來(lái)自對(duì)內(nèi)存銷售的預(yù)估。　　“目前，最糟的情況已經(jīng)結(jié)束，由于庫(kù)存補(bǔ)充和特定市場(chǎng)的平均銷售價(jià)格(ASP)增加，特
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]