半導(dǎo)體 文章 進入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
尼康宣布千人裁員計劃 涉及半導(dǎo)體和相機業(yè)務(wù)
- 據(jù)報道,尼康將在日本國內(nèi)削減約1000名員工,這相當(dāng)于該公司在日本國內(nèi)員工總數(shù)的10%。計劃以持續(xù)虧損的半導(dǎo)體制造裝置業(yè)務(wù)和市場不斷縮小的相機業(yè)務(wù)部門為中心,用2~3年時間完成此次裁員。計劃把經(jīng)營資源集中到醫(yī)療器械等新業(yè)務(wù)上。一方面,日本辦公設(shè)備制造商理光也發(fā)布了關(guān)閉生產(chǎn)基地,壓縮間接部門的重組計劃。以高技術(shù)實力而著稱的日本精密設(shè)備行業(yè)也開始出現(xiàn)異常。 直至1990年代,尼康一直在集合大量光學(xué)技術(shù)、被稱為曝光工序的半導(dǎo)體制造裝置業(yè)務(wù)上高居全球市場份額榜首。但近年來被荷蘭ASML奪走市場份額,業(yè)務(wù)
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高通首個半導(dǎo)體制造測試工廠落戶上海 完善中國制造布局
- 11月8日,Qualcomm位于上海外高橋自由貿(mào)易區(qū)的新公司高通通訊技術(shù)(上海)有限公司正式開業(yè),新公司將與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝和測試服務(wù)提供商安靠公司進行合作,開展半導(dǎo)體制造測試業(yè)務(wù)。據(jù)悉,這是Qualcomm首次涉足半導(dǎo)體制造測試業(yè)務(wù)。 高通通訊技術(shù)(上海)有限公司關(guān)注對Qualcomm產(chǎn)品質(zhì)量和性能至關(guān)重要的芯片測試和系統(tǒng)級測試環(huán)節(jié),未來還將拓展至晶圓級測試。結(jié)合Qualcomm的工程技術(shù)優(yōu)勢與安靠公司豐富的測試經(jīng)驗,成為Qualcomm制造布局和半導(dǎo)體業(yè)務(wù)運營體系中的重要一環(huán),有望顯著縮
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全球半導(dǎo)體市場急速回升,Q3銷售額創(chuàng)歷史新高
- 美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(SIA)的發(fā)布資料顯示(英文發(fā)布資料),2016年9月全球半導(dǎo)體銷售額為294.3億美元(3個月的移動平均值,下同)。近幾個月,半導(dǎo)體銷售額急速增長。2016年第三季度(7~9月)銷售額為883億美元,創(chuàng)下該季度銷售額歷史最高記錄。 9月的銷售額環(huán)比增長4.2%。另外,SIA在此次的發(fā)布資料中,將8月的銷售額較上次發(fā)布的280.3億美元上調(diào)到了282.4億美元。4.2%是與上調(diào)后的金額相比的增長率。9月的銷售額同比增長3.6%。 全球及各地區(qū)的單月半導(dǎo)體銷售額(3個
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三業(yè)并舉,后摩爾時代應(yīng)用為王
- 11月8-10日在上海新國際博覽中心,IC China 2016即將拉開帷幕。作為國家級的半導(dǎo)體盛會,IC China每年吸引了活躍在中國市場一線的國內(nèi)外實力半導(dǎo)體企業(yè)參展。 ? 本屆IC CHINA 2016,不但展示IC設(shè)計、芯片制造、封裝測試、半導(dǎo)體專用設(shè)備與材料等半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈,更嘗試拓展半導(dǎo)體應(yīng)用層面,在物聯(lián)網(wǎng)、AR/VR、傳感器、智能制造等方面也有不少實力企業(yè)參展。 ? |半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三業(yè)并舉 半導(dǎo)體企業(yè)兼并重組加劇,芯片業(yè)
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美商務(wù)部長:中國可能扭曲半導(dǎo)體行業(yè)
- 據(jù)報道,美國商務(wù)部長普里茨克(Penny Pritzker)周三(2日)在華盛頓智庫Center for Strategic Studies演講時警告稱,中國政府對半導(dǎo)體行業(yè)的大規(guī)模投資有可能會扭曲全球集成電路市場,導(dǎo)致破壞性的產(chǎn)能過剩并扼殺創(chuàng)新。同一天,美國12名參議員還以國家安全為由,要求對一樁中資收購案叫停。 據(jù)報道,這正值中美貿(mào)易緊張局勢加劇之際,涉及傾銷、工業(yè)產(chǎn)能過剩,以及在中國做生意的外資企業(yè)面臨商業(yè)環(huán)境惡化等問題。 美國商務(wù)部長普里茨克(資料圖)
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中國半導(dǎo)體市場暢旺 東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估
- 根據(jù)彭博社的報導(dǎo),受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營收成長,加上撙節(jié)計畫的奏效,日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝(Toshiba)于31日將公司2016上半年度(4月到9月)的預(yù)期營業(yè)利益上調(diào)36%,來到950億日圓(約新臺幣285.83億元),似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。 根據(jù)報導(dǎo),東芝在聲明中表示,除了上調(diào)2016年上半年的預(yù)期營業(yè)利益之外,還同時微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營收,從2.55兆日圓上調(diào)至2.58兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示,市場分析師平均預(yù)計,東芝2016年上半年的
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奧巴馬成立研究小組:欲讓半導(dǎo)體行業(yè)重奪競爭優(yōu)勢
- 周一的時候,奧巴馬政府宣布成立了一支工作組,旨在研究影響美國半導(dǎo)體行業(yè)的問題,尤其當(dāng)它們涉及國家經(jīng)濟和安全利益時。該工作組隸屬于總統(tǒng)科學(xué)技術(shù)顧問委員會,芯片行業(yè)的“退伍老兵”們將專注于半導(dǎo)體行業(yè)所面臨的核心挑戰(zhàn),提出加強行業(yè)和維護美國在全球領(lǐng)導(dǎo)地位的建議。 白宮聲明稱:“某些國家將該領(lǐng)域看得相當(dāng)重要,對半導(dǎo)體行業(yè)進行補貼、隱式技術(shù)或知識產(chǎn)權(quán)的轉(zhuǎn)讓,以換取更大的市場”。 聲明也提到,更高的生產(chǎn)成本,讓維持技術(shù)進步的步伐(即摩爾定律)變得不切實際
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韓國成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
- 南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國家隊,由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍,籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”,投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商,單是DRAM領(lǐng)域,兩大廠市占率總和超過七成,具有絕對制價與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢,兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”,預(yù)料以存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先,臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠,以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè),短線將面臨更大壓力。 業(yè)界人士分析,此次南韓的&ld
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大聯(lián)大創(chuàng)新設(shè)計大賽公布入圍最終決賽的20強團隊名單
- 2016年10月26日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大宣布,截止到目前,經(jīng)專家慎重評審后,已產(chǎn)生進入第二屆“大聯(lián)大創(chuàng)新設(shè)計大賽”(WPG i-Design Contest)最終決賽的20強團隊,他們有來自清華、成電、哈工大等這種老牌傳統(tǒng)名校,也有出自西京學(xué)院、北華大學(xué)等后起之秀。他們奇思妙想的設(shè)計作品更是提前將評委帶入了未來的機器人時代,相信將會在最后的決賽給觀眾帶來腦洞大開的切身體驗。 大聯(lián)大作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件分銷商,除注重企業(yè)本身的良性生
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半導(dǎo)體上市公司收入曝光 誰提前跨入10億俱樂部
- 目前,中國政府正在大力培育本土半導(dǎo)體廠商,在技術(shù)在資本在政策上都大力支持。 據(jù)IC Insights發(fā)布的最新報告顯示,第三季全球半導(dǎo)體強勁成長9%,不僅遠高于去年同期僅有1%的成長幅度,且優(yōu)于近15年長期平均8%的成長水平。除此之外,IC Insights預(yù)期第四季全球半導(dǎo)體銷售額將再成長1%至769億美元,將打破2014年第四季所創(chuàng)的767億美元,成為單季歷史新高。 國內(nèi)半導(dǎo)體上市公司也是一改此前頹靡之勢,收入紛紛飄紅。在以下小編統(tǒng)計的36家半導(dǎo)體上市公司中,其營業(yè)收入衰退的僅有8家企
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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