半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

為什么中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的崛起如此艱辛

未來中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展，雖然有其具天時(shí)，地利的優(yōu)勢(shì)，但是也面臨缺乏IP及人材的問題，加上西方的不理解和圍堵等，注定是條十分艱辛之路。唯有依靠自身的努力，加強(qiáng)研發(fā)，才有成功的希望。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體芯片

德國(guó)反悔阻陸資并購半導(dǎo)體設(shè)備大廠

　　德國(guó)政府撤回中資企業(yè)收購當(dāng)?shù)匦酒O(shè)備制造商 Aixtron 的批準(zhǔn)，為這項(xiàng) 6.7 億歐元(約 49.4 億人民幣)交易，在最后階段設(shè)置障礙。　　Aixtron 表示，德國(guó)經(jīng)濟(jì)部撤回上月 8 日授予中國(guó)福建宏芯基金(FGC)的批準(zhǔn)，宣布計(jì)劃重啟對(duì)這項(xiàng)并購交易的評(píng)估。德國(guó)政府考量是否需要實(shí)行更多措施保護(hù)該國(guó)關(guān)鍵技術(shù)。德國(guó)經(jīng)濟(jì)部曾于今年 9 月 8 日批準(zhǔn) FGC 收購 Aixtron 約 65% 股份，交易金額達(dá) 6.7 億歐元。FGC 已于上周五(21日)完成對(duì) Aixtron 的收購要約。　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 Aixtron

半導(dǎo)體人必須看的IC產(chǎn)業(yè)70年發(fā)展變遷

本文主要介紹半導(dǎo)體行業(yè)近30年的發(fā)展軌跡,通過這樣的介紹使讀者能更全面的了解半導(dǎo)體行業(yè),建立對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí),從而利用目前半導(dǎo)體行業(yè)的現(xiàn)狀分析來有效預(yù)測(cè)未來發(fā)展趨勢(shì).
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 TI

SK海力士與美史丹佛大學(xué)攜手研發(fā)類人腦半導(dǎo)體元件

　　SK海力士(SK Hynix)與美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)以及相關(guān)設(shè)備及材料業(yè)者合作，將共同研發(fā)結(jié)構(gòu)類似人類腦神經(jīng)構(gòu)造的新半導(dǎo)體元件，期盼能提升巨量資料(Big Data)的運(yùn)算速度，加速人工智能(AI)時(shí)代來臨。　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士與美國(guó)史丹佛大學(xué)簽約，將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導(dǎo)體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項(xiàng)研究計(jì)劃的參與單位還包括半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者科林研發(fā)(
關(guān)鍵字： SK海力士半導(dǎo)體

日本半導(dǎo)體設(shè)備商近半年中國(guó)營(yíng)收創(chuàng)歷史新高

　　根據(jù) 《日本經(jīng)濟(jì)新聞》的報(bào)導(dǎo)，日本的各大半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)正在中國(guó)市場(chǎng)擴(kuò)大訂單和銷售。包括東京電子、 DISCO 、以及東京精密等廠商，在 2016 年 4 到 9 月在中國(guó)市場(chǎng)的銷售金額都創(chuàng)下歷史新高。　　報(bào)導(dǎo)指出，日本的建筑機(jī)械和鋼鐵業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)陷入苦戰(zhàn)。但是，在中國(guó)政府希望培養(yǎng)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推波助瀾下，日本的設(shè)備廠商獲益正在增加。　　一直以來，日本半導(dǎo)體設(shè)備廠商在中國(guó)市場(chǎng)的銷售幾乎全部從日本進(jìn)口。東京電子 2016 年 4 到 9 月在中國(guó)市場(chǎng)的半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售金額超過 50
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體

全球半導(dǎo)體晶圓出貨量有望創(chuàng)新高

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布的年度報(bào)告預(yù)計(jì)，2016年全球整體晶圓出貨量將較去年增長(zhǎng)2%，達(dá)到10444百萬平方英寸(MSI)，創(chuàng)歷史新高。預(yù)計(jì)2017年和2018年將繼續(xù)維持2%的年增速，進(jìn)一步創(chuàng)新高。　　晶圓是半導(dǎo)體重要的基礎(chǔ)構(gòu)件。SEMI方面表示，今年初硅晶圓出貨原本表現(xiàn)疲軟，但近幾個(gè)月開始走強(qiáng)，預(yù)計(jì)動(dòng)能將延續(xù)，明后兩年晶圓出貨量將保持溫和增長(zhǎng)的趨勢(shì)。　　下半年以來，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)回暖的態(tài)勢(shì)。據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)公布的數(shù)據(jù)，8月全球半導(dǎo)體平均銷售額為280.34億美元
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓

人類拍攝到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子運(yùn)動(dòng)

　　英國(guó)《自然—納米技術(shù)》雜志11日在線發(fā)表論文稱，科學(xué)家們利用飛秒技術(shù)首次成功拍攝到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子狀態(tài)變化。該成果將提供對(duì)半導(dǎo)體核心器件前所未有的洞察。　　自20世紀(jì)后期以來，半導(dǎo)體器件技術(shù)進(jìn)步集中且明顯，譬如晶體管、二極管以及太陽能電池等。這些器件的核心，正是電子在半導(dǎo)體材料中進(jìn)行的內(nèi)部運(yùn)動(dòng)，然而，由于電子的速度極快，測(cè)量電子運(yùn)動(dòng)是一個(gè)重大難題。一直到2008年，瑞典科學(xué)家才運(yùn)用具有超短和超強(qiáng)特點(diǎn)的飛秒脈沖，以強(qiáng)激光產(chǎn)生的瞬時(shí)脈沖首次拍下單個(gè)電子運(yùn)動(dòng)的連續(xù)影片。　　但遺憾的是，
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體內(nèi)部電子

大陸芯片設(shè)備需求帶旺日本設(shè)備制造商

　　大陸需求上升，帶動(dòng)日本半導(dǎo)體設(shè)備制造商業(yè)績(jī)大漲，截至 9 月以前 6 個(gè)月，東京電子 (Tokyo Electron) 和迪斯科 (Disco) 在大陸市場(chǎng)銷售破紀(jì)錄。大陸對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求，與工程機(jī)械、鋼鐵生產(chǎn)市況呈現(xiàn)兩樣情。　　日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，大陸芯片設(shè)備需求提升，部分原因是政府在培養(yǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，大陸政府支持是日本設(shè)備制造商在大陸業(yè)績(jī)大漲的推動(dòng)力之一。今年 4-9 月，東京電子在大陸營(yíng)收年增 60%，超過 4.83 億美元，大陸營(yíng)收占比達(dá) 20%，2008 年 3 月時(shí)只有 4%。　　東京電
關(guān)鍵字：芯片半導(dǎo)體

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)崛起的突破口：存儲(chǔ)器

　　上兩回我們分析了風(fēng)口浪尖的武漢新芯和紫光集團(tuán)，這回我們一起來看一下另一個(gè)可能決定中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)命運(yùn)的地方合肥。　　據(jù)媒體報(bào)道，由日本爾必達(dá)的元社長(zhǎng)坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技(Sino King Technology)和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，兆基科技將主導(dǎo)合肥市政府總額高達(dá)8000億日元(460億人民幣)的大規(guī)模半導(dǎo)體工廠興建企劃。新工廠將生產(chǎn)由兆基科技所設(shè)計(jì)研發(fā)、具備低耗電力的計(jì)算機(jī)內(nèi)存(DRAM)，計(jì)劃在2018年下半年開始量產(chǎn)，以12吋晶圓換算的月產(chǎn)能達(dá)10萬片的國(guó)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

物聯(lián)網(wǎng)三大最具“錢景”領(lǐng)域

未來，擁有物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)越多的企業(yè)，賺的錢會(huì)越多。這意味著傳統(tǒng)的市場(chǎng)規(guī)則可能被打破，新的挑戰(zhàn)者也會(huì)到來。
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) 半導(dǎo)體

中國(guó)科大設(shè)計(jì)合成出新型多形體硫化物半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)

　　近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授俞書宏課題組與李震宇課題組合作，在多形體硫化物半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)合成及光電轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面取得了新進(jìn)展。研究成果以封面論文發(fā)表在9月26日出版的《美國(guó)化學(xué)會(huì)志》(J. Am. Chem. Soc. 2016,138(39), 12913-12919)上，并被JACS Spotlights選為研究亮點(diǎn)。　　新穎的納米晶材料的合成及其形成機(jī)理是目前膠體濕化學(xué)方法合成納米晶研究的重點(diǎn)。硫化銅(Cu2-xS)是一類傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，隨著x值的變化呈現(xiàn)出不同的晶體結(jié)構(gòu)，當(dāng)x值增加時(shí)，其禁帶寬
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體納米

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的突變: 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的未來之一

"大數(shù)據(jù)"和"云計(jì)算"時(shí)代會(huì)給存儲(chǔ)帶來幾何式增長(zhǎng)需求，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)選擇存儲(chǔ)芯片作為崛起的突破口最重要的原因也是迎合"大數(shù)據(jù)"和"云計(jì)算"時(shí)代的到來。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓

釋放高壓創(chuàng)新的力量

　　　　高壓創(chuàng)新為何如此重要?這是我們常聽到的問題，而答案可能會(huì)讓你大吃一驚。最近，我與我的同事Chris Schairbaum就如何通過高壓創(chuàng)新重新定義電源管理的問題共同撰寫了一篇白皮書。我們?cè)谶@篇白皮書中回答了一些客戶常常詢問有關(guān)高壓的問題。　　問：高壓創(chuàng)新如何對(duì)不斷增加的電力需求產(chǎn)生影響? 　　答：高壓創(chuàng)新旨在提高電力傳輸和轉(zhuǎn)換的效率，從而降低電源和終端設(shè)備之間的功耗。這些創(chuàng)新帶來發(fā)電方式的改變，例如，引入了可再生能源，并且提升了電機(jī)和致冷設(shè)備等耗電量較大設(shè)備的節(jié)電性能
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體集成電路

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整并瘋誰名列收購清單？

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)放緩是無可避免的，畢竟對(duì)晶片供應(yīng)商來說，目前大多數(shù)的目標(biāo)市場(chǎng)已經(jīng)成熟，這些都是吸引晶片供應(yīng)商進(jìn)行收購的原因。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 ARM

中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

　　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)在東莞召開。國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì)主任曹健林，廣東省副省長(zhǎng)袁寶成、省科技廳廳長(zhǎng)黃寧生，市委副書記、市長(zhǎng)梁維東，國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)并見證簽約儀式。　　副市長(zhǎng)楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會(huì)主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。　　為廣東實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 GaN

共5450條 83/364 |‹ « 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 » ›|

半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]