第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)
RISC-V是個機會:阿里、華為等中國廠商將全力跟進
- 正在烏鎮(zhèn)舉行的第六屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會上,中國工程院院士、中國開放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟(CRVA)理事長倪光南發(fā)表演講稱,要推動開源的RISC-V成主流。倪光南表示,從世界的角度來看,兩類架構(gòu)的CPU已經(jīng)占據(jù)市場。第一代是X86,英特爾和AMD兩家公司掌握,在服務(wù)器等領(lǐng)域占有壟斷地位;第二個是ARM,在移動領(lǐng)域有壟斷的地位。不過他強調(diào),X86架構(gòu)是壟斷的,ARM架構(gòu)的授權(quán)費用又很高 ,“海思和國防科技大學(xué)買到的ARM終身架構(gòu)授權(quán)需要花費很高,錢花的比較多?!弊鳛橹袊_放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟(C
- 關(guān)鍵字: 華為 阿里巴巴 RISC-V
兆易創(chuàng)新MCU進入RISC-V賽道,提供百貨商店式的豐富方案
- 王?瑩?(《電子產(chǎn)品世界》,北京?100036) 摘?要:2019年8月,兆易創(chuàng)新推出全球首個RISC-V內(nèi)核32位通用MCU——GD32VF103,面向主流型開發(fā)需求,且與自己已有的Arm MCU——GD32F103對標,二者可以自由切換。兆易創(chuàng)新為何要第一個吃螃蟹?作為國內(nèi)最大的通用32位MCU廠商,MCU戰(zhàn)略是什么? 關(guān)鍵詞:RISC-V;MCU;Arm 1 為何要做RISC-V MCU? 多年來,兆易創(chuàng)新堅持的兩個原則是市場導(dǎo)向和客戶需求。 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的多元化、差異化需求大,可
- 關(guān)鍵字: 201910 RISC-V MCU Arm
Power Integrations推出汽車級200 V Qspeed二極管,可大幅增強音頻放大器的性能
- 美國加利福尼亞州圣何塞,2019年9月10日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日宣布其200 V Qspeed?二極管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ – 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù),可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。最新通過認證的200 V二極管具有業(yè)界最低的反向恢復(fù)電荷
- 關(guān)鍵字: PI 200 V Qspeed二極管 音頻放大器
中國首款!長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)
- 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
- 關(guān)鍵字: 3D NAND
全球首款碳納米管通用計算芯片問世!RISC-V架構(gòu),5倍于摩爾定律,Nature連發(fā)三文推薦
- “Hello, World!I am RV16XNano, made from CNTs”.“你好,世界!我是 RV16XNano,由碳納米管制成。”這句話,出自MIT研究團隊發(fā)明的16位碳納米管芯片執(zhí)行的程序。是的,你沒有看錯,他們用與硅相同的制作工藝,基于碳納米管做出了具有完整架構(gòu)的芯片,還與世界打了招呼。剛剛,Nature刊發(fā)了這一研究成果,并發(fā)表相應(yīng)的新聞、評論進行重點推薦。碳納米管,被認為是替代硅材料首選,而且比硅導(dǎo)電更快,效率更高。從理論上來說,效率達到硅的10倍,運行速度為3倍,而僅僅只需要
- 關(guān)鍵字: RISC-V
將ADuM4135柵極驅(qū)動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
- 簡介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件,甚至是半橋器件,如為圖1所示設(shè)計選擇的。本應(yīng)用筆記所述設(shè)計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件,采用Microsemi Corporation?專有的視場光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開關(guān)頻率,以及由于對稱設(shè)計,具有低雜散電感的軟恢復(fù)并聯(lián)二極管
- 關(guān)鍵字: ADI ADuM4135柵極驅(qū)動器 Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊
NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)
- 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機出現(xiàn),NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn),而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢,長期須關(guān)注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長,短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn),集邦咨詢分析指出,因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑,下游
- 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
印度第一顆CPU橫空出世:八大系列 軟件開發(fā)啟動
- 我們忙著推進國產(chǎn)芯片的同時,隔壁的印度也沒閑著。作為印度頂級高校的印度理工學(xué)院(IIT)之馬德拉斯校區(qū)已經(jīng)發(fā)布了其首顆處理器“Shakti”(代表女性力量的印度神話人物)的SDK軟件開發(fā)包,并承諾會很快放出開發(fā)板。這樣,在處理器商用上市之前,開發(fā)者們已經(jīng)可以著手開發(fā)軟件了。印度Shakti處理器2016年啟動開發(fā),基于開源的RISC-V指令集架構(gòu),得到了印度電子和信息技術(shù)部的大力支持。Shakti處理器首批就規(guī)劃了多達6個不同系列,各自針對不同的市場,號稱在核心面積、性能、功耗方面相比當(dāng)前商用處理器都很有
- 關(guān)鍵字: CPU處理器,印度,RISC-V
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
- 關(guān)鍵字: ?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
第九代 v-nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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