第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

蘋(píng)果刺激NAND Flash需求　各界引頸盼望

　　蘋(píng)果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相，內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場(chǎng)注入強(qiáng)心針!根據(jù)外資和市調(diào)機(jī)構(gòu)估計(jì)，2010年iPad出貨量將介于600萬(wàn)~1,000萬(wàn)臺(tái)不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時(shí)也為產(chǎn)業(yè)開(kāi)創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報(bào)價(jià)波動(dòng)相當(dāng)平靜，并未反映蘋(píng)果效應(yīng)，下游廠指出，大陸在農(nóng)歷年前又開(kāi)始嚴(yán)查走私，因此當(dāng)?shù)匦枨箐J減，預(yù)計(jì)年后才會(huì)發(fā)動(dòng)補(bǔ)貨行情。　　蘋(píng)果推出的平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長(zhǎng)達(dá)一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級(jí)一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達(dá)到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤(pán)，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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DRAM跌價(jià)襲擊　模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚

　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤(rùn)較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。　　存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
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韓國(guó)成功改良NOR芯片可大幅提升手機(jī)性能

　　韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說(shuō)法指出，1組韓國(guó)工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù)，可大幅提升手機(jī)性能。　　首爾大學(xué)表示，該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的NOR芯片，可克服過(guò)去的諸多缺點(diǎn)。負(fù)責(zé)人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因?yàn)镹OR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲(chǔ)存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢(shì)。NAND芯片可用于MP3、攝影機(jī)和USB存儲(chǔ)器等裝置上。　　一般的NOR芯片通常并不特別，不過(guò)首爾大學(xué)工程師所開(kāi)發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)教授表示
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英特爾和美光計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展

　　英特爾公司和美光科技計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展。　　兩家公司有一個(gè)生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應(yīng)用于手機(jī)，音樂(lè)播放器和其他驅(qū)動(dòng)器上。　　2009年，兩家公司表示，它們正開(kāi)發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù)，在芯片的存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲(chǔ)存一位或兩位數(shù)據(jù)。　　這樣，兩家公司就能以更高的存儲(chǔ)性能，更低的成本生產(chǎn)芯片。
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2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化。　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出，在高容量32Gb和64Gb
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。　　2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成長(zhǎng)主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長(zhǎng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士?jī)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(zhǎng)167%。　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(zhǎng)26%及12%，至于N
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內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購(gòu)買(mǎi)海力士

　　業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國(guó)金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司以購(gòu)買(mǎi)其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 　　此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺(tái)灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過(guò)預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來(lái)自韓國(guó)供應(yīng)商. 　　內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對(duì)三星電子的依賴,因?yàn)槿请娮觾?yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 　　另外有消息稱,海力士
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為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢(qián)，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢(qián)，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來(lái)將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚(yú)幫水、水幫魚(yú)的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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三星推出64GB moviNAND閃存芯片

　　三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB，封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計(jì)的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個(gè)芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。　　64GB moviNAND 　　另外，三星還計(jì)劃升級(jí)自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時(shí)，閃存卡的最
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重塑產(chǎn)業(yè)前景迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

　　編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：國(guó)際上有許多市場(chǎng)分析公司與機(jī)構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測(cè)值不同，有時(shí)差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測(cè)都有三類(lèi)，即樂(lè)觀、中等和悲觀。另外，由于每個(gè)市場(chǎng)分析公司其數(shù)據(jù)來(lái)源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來(lái)觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對(duì)可靠(經(jīng)驗(yàn)值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
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飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號(hào)RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計(jì)，包含128和256GB兩種型號(hào)，讀取速度高達(dá)355MB/s,寫(xiě)入速度達(dá)215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計(jì)將面向北美、英國(guó)和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價(jià)大約450美元。　　
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東芝32nm制程N(yùn)AND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市

　　日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷(xiāo)量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計(jì)的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過(guò)目前東芝所售出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無(wú)法享受到32nm制程技術(shù)帶來(lái)低成本實(shí)惠。　　不過(guò)東芝近日宣布，他們將開(kāi)始測(cè)試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品，并將于本季度推出
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一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫(kù)存

　　據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過(guò)2009年對(duì)膨脹的庫(kù)存大幅削減，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫(kù)存，以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。　　半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫(kù)存天數(shù)(DOI)預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫(kù)存預(yù)計(jì)比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫(kù)存會(huì)維持在可滿足要求的平衡水平上，庫(kù)存將達(dá)到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會(huì)接近短缺的邊緣。　　圖示為iSuppli
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND