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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開工

  • 　　日本最大的內(nèi)存芯片廠商?hào)|芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃，它將從7月開始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。 　　東芝表示，新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。 　　包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷售的增長(zhǎng)，推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì)，NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(zhǎng)34%達(dá)到181億美元。 　　東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模，但是建立新
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

  • 　　Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。 　　IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下，并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總?cè)萘?GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。 　　Intel NA
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09年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑 亞太供應(yīng)商表現(xiàn)出色

  • 　　2009年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急劇下滑，但亞太的芯片廠商安然無(wú)恙?？偛吭趤喬貐^(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商，2009年合計(jì)營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(zhǎng)2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。 　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，因?yàn)樗麄儗Ｗ⒂跓衢T半導(dǎo)體產(chǎn)品而且受益于該地區(qū)的強(qiáng)勁需求，”iSuppli公司市場(chǎng)情報(bào)服務(wù)資深副總裁Dale Ford表示，“
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SanDisk變身 開始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓

  • 　　據(jù)報(bào)道，包括威剛、創(chuàng)見、PQI勁永等在內(nèi)的臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商以及閃存控制器廠商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開始從SanDisk公司購(gòu)買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設(shè)備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應(yīng)商。 　　據(jù)稱，SanDisk已經(jīng)從閃存制造合作伙伴東芝一道，成了多家臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商的上游供應(yīng)商之一。實(shí)際上，自2008年起就有傳言稱SanDisk將對(duì)外供應(yīng)NAND閃存，但在當(dāng)時(shí)在全球閃存市場(chǎng)供求旺盛的狀況下，SanDisk一致謹(jǐn)慎的實(shí)行自有品牌的戰(zhàn)略。隨著近一兩年全球金融危機(jī)以
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SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局

  • 　　最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競(jìng)爭(zhēng)激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯 片，其對(duì)手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。 　　   　　據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程N(yùn)AND閃存芯片將可適用于兩位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)和三位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲(chǔ)單
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鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程

  • 　　鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制程。他并表示鎂光也計(jì)劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 　　Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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全球存儲(chǔ)器短缺的三個(gè)理由

  • 　　2010年全球存儲(chǔ)器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨，而且非?？赡軙?huì)延續(xù)下去。為什么?可能有三個(gè)原因，1)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇;2)，前幾年中存儲(chǔ)器投資不足;3)，由ASML供應(yīng)的光刻機(jī)交貨期延長(zhǎng)。 　　巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報(bào)告中指出，通過存儲(chǔ)器的食物供應(yīng)鏈看到大量的例證，認(rèn)為目前存儲(chǔ)器供應(yīng)偏緊的局面將持續(xù)2010整年，甚至延伸到2011年。 　　據(jù)它的報(bào)告稱，2010年全球NAND閃存的位增長(zhǎng)可達(dá)70%，而2009增長(zhǎng)為41%。2010年全球DRAM的位增長(zhǎng)達(dá)52%。 　　Luke認(rèn)為
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傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

  • 　　消息人士周三透露，東芝未來(lái)三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。 　　報(bào)道稱，東芝的這一計(jì)劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經(jīng)濟(jì)衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計(jì)劃。 　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報(bào)告稱，全球NAND閃存市場(chǎng)去年第三季度營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其NAND閃存
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Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品

  • 　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 　　按閃存芯片市占率計(jì)算，Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
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傳鎂光公司欲收購(gòu)Numonyx公司

  • 　　業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購(gòu)Numonyx公司事宜，并稱其仍對(duì)NOR閃存市場(chǎng)抱有興趣。一位市場(chǎng)分析師稱：”我聽說鎂光有可能會(huì)收購(gòu) Numonyx公司，這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠商。“ 　　此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來(lái)也是Intel內(nèi)部負(fù)責(zé)NOR閃存的部門，不過后來(lái)Intel將這家公司從Intel分離出來(lái)，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

  • 　　在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭(zhēng)高下，但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。 　　Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕

  • 　　據(jù)報(bào)道，韓國(guó)檢方近日逮捕了兩名美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手海力士。 　　美國(guó)證券交易委員會(huì)的報(bào)告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(guó)(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國(guó)子工廠的高管。 　　應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國(guó)檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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創(chuàng)造消費(fèi)價(jià)值是關(guān)鍵

  • 　　32位MCU強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng) 　　從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場(chǎng)情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長(zhǎng)曲線看，32位微控制器在過去5年增長(zhǎng)了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長(zhǎng)。從銷售額來(lái)看，在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過8位，到10月底時(shí)，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來(lái)說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，這
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危機(jī)中求生存 東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠

  • 　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃今年關(guān)閉其國(guó)內(nèi)2個(gè)NAND閃存工廠之一,而把存儲(chǔ)芯片封裝工作全部集中于另一工廠。 　　即將關(guān)閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產(chǎn)設(shè)備以及約400名員工將被轉(zhuǎn)移到東芝三重縣四日市的工廠。 　　為降低生產(chǎn)成本，東芝會(huì)將日本本部作為其研發(fā)及測(cè)試中心，并加速將量產(chǎn)工作移往海外。
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英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

  • 　　英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個(gè)25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機(jī)、個(gè)人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費(fèi)電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲(chǔ)容量，提供更高的成本效益。 　　NAND閃存可用于存儲(chǔ)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容，即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動(dòng)了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當(dāng)前尺寸最小的NAND技術(shù)，也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)——這項(xiàng)技術(shù)成就將
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第九代 v-nand介紹

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