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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

迎戰(zhàn)三星 臺塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

  • 　　南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺系廠商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。 　　三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場。 　　南亞科董事
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NAND閃存銷售Q1微增 三星東芝主宰市場

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場，僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。 　　按美元統(tǒng)計，今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計算出供應(yīng)商的實際銷售收入。iSuppli稱，這是一個好消息，因為歷史
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Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程N(yùn)AND閃存芯片

  • 　　繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產(chǎn)的25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。 　　這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時時長的視頻片段。 　　目前還不清楚首款配置這
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今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山

  • 　　據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場調(diào)查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場的絕大部分份額，其中三星的營收 份額最高，達(dá)到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場總值達(dá)到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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Intel 開始出貨25nm 8GB 閃存芯片

  • 　　英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存，容量為8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存儲能力卻增加了一倍，這種芯片主要面向智能手機(jī)和多媒體播放器。 　　同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產(chǎn)品將在今年年末出現(xiàn)，使用的應(yīng)該也就是這款閃存芯片。
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由單片IC構(gòu)成的廉價100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

  • 電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器，這是一種廉價的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標(biāo)準(zhǔn)電路，它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

  • 　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

  • 　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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傳英特爾今年發(fā)布600GB 25nm SSD

  • 　　Fudzilla消息，英特爾今年將有SSD方面的大計劃，預(yù)計在今年第四季度，公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產(chǎn)品。 　　這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技術(shù)，容量包括160、300和600GB，屬于第二代X25-M產(chǎn)品序列，包含1.8和2.5英寸版本。 　　其中1.8英寸版本最大容量300GB，將成為供應(yīng)家庭娛樂和消費電子的主推產(chǎn)品。
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

  • 　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。 　　該公司補(bǔ)充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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通過28-nm FPGA 解決100-GbE 線路卡設(shè)計挑戰(zhàn)

  • 各種標(biāo)準(zhǔn)組織逐步完成了傳送網(wǎng)、以太網(wǎng)和光接口的100G 標(biāo)準(zhǔn)， FPGA 在100G 產(chǎn)品系統(tǒng)設(shè)計早期技術(shù)應(yīng)用中扮演了關(guān)鍵角色。由于帶寬需求越來越大，服務(wù)提供商為他們的下一代線路卡選擇了最新的40-GbE/100-GbE標(biāo)準(zhǔn)。Altera Stratix V FPGA在28-nm 技術(shù)節(jié)點提供具有增強(qiáng)100G PCS 功能的集成12.5-Gbps收發(fā)器，從而解決了帶寬問題。 詳情參見 http://share.eepw.com.cn/share/download/id/51953
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抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

  • 　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。 　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴(yán)重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應(yīng)于2
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Altera發(fā)布28-nm Stratix V FPGA系列

  • Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸，同時降低了系統(tǒng)功耗和成本 2010年4月20號，北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力，采用各種創(chuàng)新技術(shù)和前沿28-nm工藝，降低了寬帶應(yīng)用的成本和功耗。 Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進(jìn)行制造，提供1
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三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存

  • 　　據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。 　　三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。 　　三星電子的20納米制程N(yùn)AND閃存將先用于手機(jī)存儲卡SD卡。 　　此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

  • Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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第九代 v-nand介紹

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