首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?摩爾定律

解析半導(dǎo)體工藝節(jié)點的演進(jìn) 尋找摩爾定律的曙光

  • 任何一個新技術(shù)都會帶來風(fēng)險，摩爾定律也在面臨巨大挑戰(zhàn)， 我們無法預(yù)測“后摩爾定律”時代的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會怎樣發(fā)展?但是如果新技術(shù)能夠確保摩爾定律繼續(xù)走下去，我們就能有效地避免半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體下滑。
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  半導(dǎo)體  

下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？

  • 　　Imec 開發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu)，證實采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點… 　　根據(jù)比利時研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 　　 　　Imec開發(fā)的下一代5nm 2D通道
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  5nm   

半導(dǎo)體耦合多量子點量子比特器件研究取得重要進(jìn)展

  • 　　在不遠(yuǎn)的將來，摩爾定律所預(yù)示的微電子器件的尺寸將微縮到一系列物理極限，這一技術(shù)進(jìn)步推動科研人員利用納米技術(shù)尋求一個完全基于量子效應(yīng)的信息處理方案。經(jīng)過近二十年的發(fā)展，半導(dǎo)體量子點自旋比特固態(tài)器件以其可調(diào)控性和可擴(kuò)展性成為最具應(yīng)用潛力的固態(tài)量子計算方案之一，目前已成為以凝聚態(tài)物理為背景，融合了凝聚態(tài)理論、量子物理、納米加工技術(shù)、納米電子學(xué)、低溫技術(shù)、半導(dǎo)體器件工藝等多個研究方向的前沿交叉研究領(lǐng)域。 　　近日，北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、固態(tài)量子器件北京市重點實驗室“千人計劃”教授
  • 關(guān)鍵字： 量子點  摩爾定律  

摩爾定律失效 誰能扛起芯片產(chǎn)業(yè)的遠(yuǎn)大前程

  • 五十多年來，摩爾定律一直有效，如今堅守Tick-Tock策略多年的英特爾已經(jīng)改變策略，制程頭一次改為三代一升級，這似乎預(yù)示著摩爾定律已經(jīng)開始失效。作為芯片行業(yè)龍頭老大的英特爾尚且如此，芯片的未來之路又在何方呢?
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  芯片  

摩爾定律能“活”到2025年以后 中國半導(dǎo)體趕超有望

  • 　　在摩爾定律依然延續(xù)的今天，中國IC制造工藝與世界先進(jìn)工藝如何縮小，這是不得不思考的問題。IMEC中國區(qū)總裁丁輝文近日指出，半導(dǎo)體工藝尺寸的縮小和摩爾定律仍能持續(xù)發(fā)展到2025年以后，中國半導(dǎo)體若能善用國際和國內(nèi)資源，有機(jī)會在各領(lǐng)域趕超世界先進(jìn)水平。 　　多元化應(yīng)用需要多元化半導(dǎo)體技術(shù) 　　丁輝文認(rèn)為，講摩爾定律，其實首先是應(yīng)用推動了芯片的成長，而在應(yīng)用當(dāng)中，主要是IoT、移動通訊、云端服務(wù)這三大應(yīng)用市場。這三大應(yīng)用對半導(dǎo)體器件有不同的要求：一是IoT應(yīng)用，功耗在1mW到100mW;二是移動通訊部分
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  IoT  

摩爾定律極限重啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  • 盡管摩爾定律無法再以相同的步調(diào)前進(jìn)，但芯片、系統(tǒng)和軟件技術(shù)仍將持續(xù)進(jìn)展…
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  芯片  

模擬技術(shù)的困境

  • 　　在這樣一個對數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現(xiàn)象可能正在改變?！　∥覀兩钤谝粋€模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘柦鉀Q方案過去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過程?！　∧M技術(shù)衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  FinFET  

延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵

  • 　　臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問題仍是相對有力的解決方案。 　　每一季的臺積電法說會上，張忠謀董事長或是共同執(zhí)行長對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會對臺下觀眾做一專門的報告，法人代表對于EUV的導(dǎo)入時程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來發(fā)展甚至
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  EUV  

如何對筆記本電腦處理器進(jìn)行散熱？

  • 向更高性能微處理器單元(MPU)的不斷演變徹底改變了計算機(jī)的大小設(shè)計。這種演變通常遵循著摩爾定律，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的晶體管密度每兩年翻一倍，同時性能一代比一代高。性能的提高使得微處理器芯片的功耗和功率密度也不斷增加。
  • 關(guān)鍵字： MPU  摩爾定律  

摩爾定律之后 存儲器發(fā)展要靠大數(shù)據(jù)、AI？

  • 　　半導(dǎo)體供應(yīng)鏈存儲器缺貨絕對是橫貫2017年的主調(diào)，但除了量變，大數(shù)據(jù)中心、AI深度學(xué)習(xí)運算帶來對CPU與AI處理器的運算速度、存儲容量高門檻要求，也正在改變整個存儲器乃至于運算基礎(chǔ)核心架構(gòu)。 　　在近日一場GSA存儲器高峰論壇上，半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)平臺、服務(wù)器領(lǐng)域與會人士對上述議題展開熱議。 　　西數(shù)(Western Digital)董事長兼COO Mike Cordano提到，未來存儲產(chǎn)業(yè)仍然機(jī)會巨大，占整個IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  存儲器  

失效的摩爾定律：半導(dǎo)體整合潮加速！

  • 隨著半導(dǎo)體制程越來越高端，摩爾定律實際上早就已經(jīng)走向死亡，而這也衍生出了另一個現(xiàn)象，即為生產(chǎn)方面的技術(shù)增長放緩，是故設(shè)計和軟件方面的能力就顯得更加重要，間接加速了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整合。
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  芯片  

芯片戰(zhàn)爭2.0：“失效”的摩爾定律

  • 對于整個半導(dǎo)體行業(yè)而言，過去的一年都是極具挑戰(zhàn)的一年。
  • 關(guān)鍵字： 芯片  摩爾定律  

科學(xué)家造出“全球最薄”納米線

  • 　　幾十年來，“摩爾定律”一直是芯片制造業(yè)界的“金科玉律”—— 當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而隨著納米技術(shù)逼近單原子的極限，近年來芯片行業(yè)的發(fā)展速度已經(jīng)有所放緩。好消息是，劍橋和華威大學(xué)的研究人員們，已經(jīng)直接跳到了“邏輯的終點”—— 將電線縮小到單原子串的寬度! 　　通過將碲(tellurium)注入碳納米管，研究
  • 關(guān)鍵字： 芯片  摩爾定律  

3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機(jī)制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  3D NAND  

壯哉！“中國造”光量子計算機(jī)誕生

  • 　　計算機(jī)作為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，隨著摩爾定律邁向終結(jié)，性能提升面臨瓶頸。后摩爾定律時代，我們又要通過什么途徑提高運算速度呢?答案是量子計算。量子計算機(jī)具有強(qiáng)大的計算能力，可以解決傳統(tǒng)計算機(jī)難以或者不能解決的問題。 　　就在今天，科技界迎來了一則重磅消息：世界上第一臺超越早期經(jīng)典計算機(jī)的光量子計算機(jī)誕生。中國科學(xué)院5月3日在上海舉行新聞發(fā)布會，對外發(fā)布了這一消息，這個“世界首臺”是貨真價實的“中國造”，屬中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)潘建偉教授及其同事陸朝陽、
  • 關(guān)鍵字： 量子計算機(jī)  摩爾定律  
共375條 9/25 |‹ « 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 » ›|
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473