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富通微電與南亞簽署協(xié)議 了結(jié)芯片專利糾紛

  • 　　據(jù)道瓊斯通訊社報(bào)道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.， 簡(jiǎn)稱：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.， ）周二表示，雙方簽署了一份專利許可協(xié)議，以解決雙方圍繞動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專利糾紛。 　　兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示，根據(jù)協(xié)議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.， ）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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奇夢(mèng)達(dá)為PS3計(jì)算機(jī)娛樂系統(tǒng)量產(chǎn)Rambus XDR DRAM

  • 　　奇夢(mèng)達(dá)公司與專精于高速內(nèi)存架構(gòu)的全球領(lǐng)先的技術(shù)授權(quán)公司Rambus共同宣布奇夢(mèng)達(dá)已開始為PLAYSTATION 3（PS3）計(jì)算機(jī)娛樂系統(tǒng)量產(chǎn)出貨XDR DRAM. 　　奇夢(mèng)達(dá)的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已于2008年1月開始出貨。 XDR內(nèi)存解決方案拓展了奇夢(mèng)達(dá)的利基型內(nèi)存（specialty RAM portfolio）產(chǎn)品布局，能滿足全球快速成長(zhǎng)的計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)對(duì)高效能及高頻寬的應(yīng)用需求。 　　XDR內(nèi)存架構(gòu)能支持高容量且具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的應(yīng)用。奇夢(mèng)達(dá)XDR DRAM
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臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體或推遲新工廠設(shè)備安裝

  • 　　臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表示，由于晶片價(jià)格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。 　　綜合外電8月27日?qǐng)?bào)道，力晶半導(dǎo)體股份有限公司（5346.OT）發(fā)言人譚仲民27日表示，由于晶片價(jià)格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。以收入計(jì)，力晶半導(dǎo)體是臺(tái)灣最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）晶片生產(chǎn)商。 　　力晶半導(dǎo)體原計(jì)劃于2009年第三季度臺(tái)灣北部新竹的兩家工廠建設(shè)完工后開始安裝新設(shè)備。 　　譚仲民稱，由于市場(chǎng)狀況較差，目前看來公司可能會(huì)在2009年第四季度或2010年年初開始安裝設(shè)
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日本對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體征收反補(bǔ)貼關(guān)稅降為9.1%

  • 　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周五，路透社披露消息稱，日本計(jì)劃削減韓國儲(chǔ)存芯片廠商現(xiàn)代半導(dǎo)體在日本銷售DRAM芯片征收反補(bǔ)貼關(guān)稅。 　　媒體援引日本經(jīng)濟(jì)、貿(mào)易和工業(yè)部提供的消息報(bào)道說，日本收取的進(jìn)口反補(bǔ)貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。 　　數(shù)年來，美國、歐盟和日本以儲(chǔ)存芯片競(jìng)爭(zhēng)者提出抱怨為理由，對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關(guān)稅。抱怨者聲稱韓國政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體提供了不公平的補(bǔ)貼，制約了市場(chǎng)的公平競(jìng)爭(zhēng)。 　　今年三月，歐盟委員會(huì)正式采納了一項(xiàng)決定，取消進(jìn)口現(xiàn)代半導(dǎo)體DRAM儲(chǔ)存芯片的反補(bǔ)貼關(guān)
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此消彼長(zhǎng) 全球半導(dǎo)體投資格局風(fēng)移亞洲

  • 　　受半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)放緩的影響，全球半導(dǎo)體投資緊縮。 　　據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的消息，由于內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累，預(yù)計(jì)2008年半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)放緩，但整體半導(dǎo)體銷售額將在2011年以前保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。 　　市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報(bào)告，稱由于受到美國經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累，預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%，達(dá)475億美元。預(yù)計(jì)今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%，而整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)費(fèi)用支出將減少29。Gartner還稱，預(yù)計(jì)今年全球用于芯片設(shè)備制造開支將減
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

  • 　　新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。 　　三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場(chǎng)的30%。 　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場(chǎng)份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

  • 　　新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。 　　三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場(chǎng)的30%。 　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場(chǎng)份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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2008年全球芯片與電子設(shè)備市場(chǎng)放緩

  • 　　消費(fèi)者已感受到經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)放緩的壓力，全球半導(dǎo)體與電子設(shè)備供應(yīng)商也是如此。據(jù)iSuppli公司，這些廠商在2008年面臨需求增長(zhǎng)放慢的局面。 　　在全球電子設(shè)備市場(chǎng)中，六大領(lǐng)域中的五個(gè)預(yù)計(jì)2008年增長(zhǎng)率將低于2007年，這五個(gè)領(lǐng)域是：電腦，工業(yè)設(shè)備，汽車設(shè)備、有線通訊和無線通訊。這種全面放緩將導(dǎo)致2008年全球所有類型電子設(shè)備的OEM營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率降至5.9%，低于2007年時(shí)的7%。iSuppli公司以前預(yù)測(cè)2008年增長(zhǎng)率為6.6%。 　　這將對(duì)半導(dǎo)體銷售產(chǎn)生負(fù)面影響。預(yù)計(jì)2008年
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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)：上半年觸底，下半年反彈

  • 　　SIA發(fā)表研究報(bào)告指出，因受DRAM和內(nèi)存市場(chǎng)疲軟的影響，2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額將為2666億美元，全年市場(chǎng)的增幅為4.3%。2009年增長(zhǎng)率在6.0%以上，達(dá)2832億美元。2010年增長(zhǎng)8.4%，達(dá)到3070億美元。到2011年增幅回落到6%，達(dá)到3241億美元。 　　IC Insights指出，2008年半導(dǎo)體廠平均產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)達(dá)到90%以上，而2007年的水平僅為89%。2008年集成電路的出貨量預(yù)計(jì)比2007年增加8%左右。 　　iSuppli表示，模擬芯片在未來五年內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  半導(dǎo)體  IC Insights  德州儀器  

半導(dǎo)體：前景依然看好 設(shè)備業(yè)表現(xiàn)堅(jiān)挺

  • 　　時(shí)光飛逝，轉(zhuǎn)眼2008年已過大半，對(duì)半導(dǎo)體業(yè)而言，7月底是個(gè)坎。大部分公司的季度財(cái)報(bào)公布后是有人歡喜，有人愁。如果認(rèn)真地收集資料，再加以綜合分析，我們從中能看出些半導(dǎo)體業(yè)前景的端倪。 　　 　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)幸存者少毛利率高 　　全球著名的市場(chǎng)分析公司Gartner(高德納)最近調(diào)低了2008年半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的銷售額預(yù)期，由447億美元下降到355億美元，下降幅度達(dá)20.6%，這也是近期少見的大震蕩。 　　競(jìng)爭(zhēng)力維持高毛利率 　　SEMI(國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì))總裁兼首
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  Gartner  晶圓  芯片制造  工藝集成  IC  DRAM  

半導(dǎo)體廠商收入排行榜 幾家歡喜幾家愁

  • 　　市場(chǎng)調(diào)查公司IC Insights公布最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年一至六月份期間，在全球半導(dǎo)體廠商銷售收入排名中，英特爾以1750億美元的收入仍然保持全球第一。它的競(jìng)爭(zhēng)者AMD以28.5億美元的收入下滑為第十五名。 　　調(diào)查公司表示，今年前半年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售收入比去年同期增長(zhǎng)6%，前20家半導(dǎo)體廠商的收入同比增長(zhǎng)了10%。銷售收入至少達(dá)到21億美元的廠商才能夠入圍前20家名單。在全球最高20家半導(dǎo)體提供商中（包括無工廠模式半導(dǎo)體廠商），美國公司占八家，日本占六家，三家歐洲公司和二家韓國公司，
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  半導(dǎo)體  手機(jī)芯片  電子制造商  DRAM  

DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機(jī)

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價(jià)格。從積極的角度看，較低的內(nèi)存價(jià)格正在刺激電腦制造商在新機(jī)器上安裝更多DRAM芯片，同時(shí)將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進(jìn)的第三代內(nèi)存芯片。 　　全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內(nèi)存價(jià)格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過以往。就在三個(gè)月前，三星公司曾表示，由于價(jià)格疲弱，電腦標(biāo)配內(nèi)存已從512M變成了1G。 　　目前，主流DRAM芯片為1G字
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DD2  DDR3  電腦組件  

臺(tái)灣內(nèi)存雙雄同時(shí)宣布暫緩擴(kuò)產(chǎn)

  •  　　臺(tái)灣最大兩家內(nèi)存芯片生產(chǎn)商日前均表示，行業(yè)的下滑趨勢(shì)讓他們?nèi)狈ΜF(xiàn)金，維持將推遲原定的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。 　　力晶半導(dǎo)體(Powerchip)不但是臺(tái)灣最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)芯片(DRAM)生產(chǎn)商，也是業(yè)內(nèi)最積極興建新廠的廠商之一，但近日卻表示將把今年的資本投資額從新臺(tái)幣340億元(約11億美元)下調(diào)至240億元。與此同時(shí)，其對(duì)手南亞科技也預(yù)計(jì)今年的資本支出額會(huì)從原來預(yù)測(cè)的新臺(tái)幣300億元減少至230億元。 　　由于內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，兩家公司已經(jīng)連續(xù)五個(gè)季度錄得凈虧損。這種下滑趨勢(shì)對(duì)一些內(nèi)存芯片
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  臺(tái)灣  Powerchip  DRAM  南亞科技  

關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的分析

虧損將導(dǎo)致廠商控制三季度DRAM內(nèi)存供貨量

  • 　　7月6消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)DRAM內(nèi)存廠商稱，由于全球大多數(shù)DRAM內(nèi)存廠商推遲建設(shè)新的工廠或者推遲實(shí)施其它擴(kuò)大生產(chǎn)能力的計(jì)劃，今年第三季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)出貨量的增長(zhǎng)率將受到限制。 　　DRAM內(nèi)存價(jià)格下降引起的虧損使許多DRAM內(nèi)存廠商暫停建設(shè)新的12英寸晶圓工廠，同時(shí)減少新的晶圓產(chǎn)量。臺(tái)灣地區(qū)的主要DRAM內(nèi)存廠商包括南亞科技、力晶半導(dǎo)體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內(nèi)存出貨量的增長(zhǎng)率控制在50%至60%。據(jù)介紹，華亞科技2007年內(nèi)存出貨量的增長(zhǎng)率是112%。力晶半導(dǎo)體20
  • 關(guān)鍵字： DRAM  內(nèi)存  晶圓  
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1α dram 介紹

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