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擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模 三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

  • 　　為了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(Samsung Electronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)體系。 　　據(jù)南韓MT News報(bào)導(dǎo)，三星23日動(dòng)工的京畿道華城半導(dǎo)體新工廠名稱，并不是當(dāng)初預(yù)定的17號(hào)產(chǎn)線，而命名為16號(hào)產(chǎn)線。 　　三星相關(guān)人員指出，過(guò)去存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模較小，對(duì)于景氣好壞的循環(huán)相當(dāng)敏感，因此過(guò)去采用一座工廠兩條產(chǎn)線方式，以換取投資時(shí)差并減低風(fēng)險(xiǎn)。 　　但目前三星在內(nèi)存市場(chǎng)的規(guī)模已夠大，必須一次擴(kuò)大生產(chǎn)量規(guī)模
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三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏

  • 　　三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。 　　南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達(dá)2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對(duì)此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單，未來(lái)是否會(huì)擴(kuò)大分食高通在臺(tái)積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
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迎戰(zhàn)三星 臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

  • 　　南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對(duì)照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)將提升約40%至50%，臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。 　　三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多，也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對(duì)DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場(chǎng)。 　　南亞科董事
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三星巨額投資計(jì)劃恐對(duì)全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來(lái)臺(tái)公開呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來(lái)規(guī)模最大的投資計(jì)畫，主要以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為主，這對(duì)全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說(shuō)是投下一顆震撼彈，而臺(tái)系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來(lái)3年P(guān)C市場(chǎng)成長(zhǎng)率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺(tái)系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 　　權(quán)五鉉3月中旬
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5月DRAM合約價(jià)出爐　DDR2持平DDR3小漲

  • 　　原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開出，一如市場(chǎng)預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價(jià)最后持平開出，而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認(rèn)為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說(shuō)的太滿，對(duì)于能否有大幅漲價(jià)的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價(jià)位。 　　2010年5月合約價(jià)相當(dāng)難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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英飛凌爾必達(dá)和解專利糾紛 達(dá)成交叉授權(quán)協(xié)議

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，歐洲第二大芯片廠商英飛凌日前宣布，公司已經(jīng)與日本爾必達(dá)就半導(dǎo)體技術(shù)專利糾紛達(dá)成和解。 　　英飛凌發(fā)言人Monika Sonntag今日在接受電話采訪時(shí)稱，雙方已經(jīng)同意交叉授權(quán)半導(dǎo)體專利技術(shù)，公司不會(huì)公布和解協(xié)議的具體財(cái)務(wù)條款。 　　爾必達(dá)是日本最大的電腦內(nèi)存芯片廠商，它與英飛凌就與微控制器有關(guān)的創(chuàng)新技術(shù)專利向美國(guó)地方法院和國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出了訴訟。 　　英飛凌負(fù)責(zé)銷售、營(yíng)銷與技術(shù)的管理委員會(huì)成員Hermann Eul表示：“我們期待著兩家公司能夠保持長(zhǎng)久的和平關(guān)系。
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英飛凌與爾必達(dá)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達(dá)公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。英飛凌與爾必達(dá)均同意撤消所有未決專利侵權(quán)訴訟。英飛凌于2010年2月向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)遞交起訴書，起訴爾必達(dá)及其客戶。爾必達(dá)隨后在弗吉尼亞州東部地區(qū)法院針對(duì)英飛凌提起兩項(xiàng)訴訟。 　　英飛凌與爾必達(dá)通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。具體許可條款未透露。 　　英飛凌公司董事會(huì)成員兼銷售、營(yíng)銷、技術(shù)和研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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歐盟對(duì)三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單

  • 　　歐盟委員會(huì)19日裁定韓國(guó)三星等10家芯片制造商操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為構(gòu)成壟斷，并開出總額達(dá)3.31億歐元的罰單。 　　歐盟委員會(huì)當(dāng)天發(fā)表聲明說(shuō)，這些企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)銷售上設(shè)定價(jià)格，其行為損害了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，違反歐盟反壟斷規(guī)定。 　　根據(jù)這一聲明，韓國(guó)三星電子公司被罰金額最高，為1.457億歐元，其次為歐洲第二大半導(dǎo)體生產(chǎn)商德國(guó)英飛凌科技公司和韓國(guó)現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司，分別被處以5670萬(wàn)歐元和5150萬(wàn)歐元罰金。據(jù)悉，韓國(guó)三星電子公司和韓國(guó)現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司去年在該存儲(chǔ)器全球市場(chǎng)中占據(jù)一半以上份
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最新DRAM廠商排名出爐 三星市占優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場(chǎng)份額公司排名情況。在Q1排名中市場(chǎng)份額擴(kuò)大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場(chǎng)份額減少的失意者為海力士，爾必達(dá)，南亞和威邦。 　　Q1的市場(chǎng)排名中依銷售額計(jì)，三星居首位，接下來(lái)為海力士，爾必達(dá)，美光，力晶，南亞，威邦，茂德，東芝和鈺創(chuàng)科技。 　　臺(tái)灣的茂德與力晶半導(dǎo)體由于產(chǎn)能利用率近滿載，它們的銷售額大幅增加。Gartner的分析師Andrew Norwood認(rèn)為力晶受益于其技術(shù)向Elpida的65nm XS技術(shù)過(guò)渡, 所以超
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三星斥156億美元巨資擴(kuò)大產(chǎn)能 競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手咋舌

  • 　　三星電子前日宣布，今年的擴(kuò)張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計(jì)劃將以11兆韓元擴(kuò)充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD)，以及電視與手機(jī)業(yè)務(wù)。此外，加上研發(fā)支出，預(yù)計(jì)三星今年支出總額將達(dá)26兆韓元，較去年激增67%，如此大手筆讓人咋舌。 　　據(jù)悉，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉3月在出席GSA內(nèi)存大會(huì)時(shí)還表示，三星不會(huì)盲目擴(kuò)大DRAM顆粒產(chǎn)量，但會(huì)重視產(chǎn)品價(jià)值，穩(wěn)定產(chǎn)品價(jià)格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能，而是應(yīng)該把注意力放在工藝升級(jí)和高端產(chǎn)品的研發(fā)
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三星巨額投資計(jì)劃恐對(duì)全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來(lái)臺(tái)公開呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來(lái)規(guī)模最大的投資計(jì)畫，主要以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為主，這對(duì)全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說(shuō)是投下一顆震撼彈，而臺(tái)系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來(lái)3年P(guān)C市場(chǎng)成長(zhǎng)率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺(tái)系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 　　權(quán)五鉉3月中旬
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三星電子2010年整體投資將達(dá)26兆韓元

  • 　　三星電子在16號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)線開工儀式上表示，2010年整體投資將達(dá)到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國(guó)華城，將主要用于生產(chǎn)下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品，2011年建成投產(chǎn)后預(yù)計(jì)能月產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體晶片20萬(wàn)片以上。 　　2010年三星電子26兆韓元投資計(jì)劃主要包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域11兆韓元、液晶領(lǐng)域5兆韓元、手機(jī)顯示領(lǐng)域2兆韓元以上、整體研發(fā)8兆韓元。經(jīng)過(guò)此輪投資三星電子將實(shí)現(xiàn)30納米DRAM大規(guī)模量產(chǎn)、擁有能夠月產(chǎn)7萬(wàn)片的第四條8代液晶面板生產(chǎn)線、擁有全球最大規(guī)模的AMOLED生產(chǎn)線等。這是三星集團(tuán)繼前不久宣布向新產(chǎn)業(yè)投
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5月DRAM合約價(jià)出爐　DDR2持平DDR3小漲

  • 　　原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開出，一如市場(chǎng)預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價(jià)最后持平開出，而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認(rèn)為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說(shuō)的太滿，對(duì)于能否有大幅漲價(jià)的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價(jià)位。 　　2010年5月合約價(jià)相當(dāng)難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內(nèi)部已決定將8萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn)，會(huì)是在2011年! 　　瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)將于本周正式到貨，預(yù)計(jì)在9月之前會(huì)有5~6臺(tái)
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

  • 　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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