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1β dram
1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
報(bào)告稱全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)今年將增長(zhǎng)104%
- 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備年中預(yù)測(cè)指出,今年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將由谷底翻揚(yáng),預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)104%,明年市場(chǎng)仍審慎樂觀,將持續(xù)有9%的增長(zhǎng)幅度。 半導(dǎo)體設(shè)備與西將于今(14)日起于美西舊金山展開,主辦單位半同步公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出年中預(yù)測(cè)報(bào)告。 SEMI的預(yù)估,2010年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收將達(dá)325億美元,折合新臺(tái)幣可望突破兆元,為半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者捎來佳音,同時(shí)超越2008年金融海嘯前的295億美元水準(zhǔn)。報(bào)告指出, 2009年因?yàn)槿蚓皻獠患?,讓整體設(shè)備市場(chǎng)慘跌46%,但今
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 晶圓 DRAM
DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順 新產(chǎn)能變數(shù)多
- 近期DRAM市場(chǎng)供需雜音多,由于終端需求前景不明,7月合約價(jià)不見起色,仍持續(xù)往下修正,加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加,進(jìn)而壓抑價(jià)格走勢(shì),然值得注意的是,目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳,新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量,因此,第3季DRAM價(jià)格還有多少修正空間,目前仍處于混沌狀態(tài)。 DRAM業(yè)者表示,自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后,原本供給吃緊的DRAM市場(chǎng)頓時(shí)松動(dòng),原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB,等于少掉50%的DRAM產(chǎn)能消耗量,加上歐洲債信問題
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 45納米
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐
- 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平,2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看,含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長(zhǎng)中,已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮,2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出,金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元,而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么?
- 編者點(diǎn)評(píng):每年的SEMICON West時(shí),時(shí)間己經(jīng)過半,所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗,似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長(zhǎng)幅度達(dá)90%,但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來,因?yàn)?010年業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來的前景有點(diǎn)模糊,增長(zhǎng)點(diǎn)來自哪里?似乎誰也說不清楚。 SEMICON West美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開幕,與去年全球IC下降不同,如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。 按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì),2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長(zhǎng)96%
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM
三星46nm良率提升 DRAM價(jià)格有望持續(xù)下降
- 臺(tái)灣媒體報(bào)道,受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響,DRAM內(nèi)存芯片的期貨價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱,三星目前向PC廠商供應(yīng)的2GB DDR3價(jià)格已經(jīng)從先前的45美元下降到了40美元。 消息稱,隨著三星46nm DRAM良率的大幅提高,三星DRAM芯片成本優(yōu)勢(shì)也得以體現(xiàn)。據(jù)稱三星目前已經(jīng)向好幾家PC廠商提供了優(yōu)惠內(nèi)存芯片價(jià)格套裝,從而使得外界認(rèn)為DRAM 內(nèi)存價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下滑。 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的報(bào)告,六月份下半個(gè)月的
- 關(guān)鍵字: 三星 46nm DRAM
Q1 DRAM銷售強(qiáng)勁 臺(tái)灣力晶市場(chǎng)排名竄升
- 據(jù)iSuppli公司分析,第一季度DRAM銷售強(qiáng)勁,臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表現(xiàn)突出,市場(chǎng)排名升至第五。 第一季度力晶DRAM營(yíng)業(yè)收入為4.32億美元,比2009年第四季度的2.39億美元大增80.8%,比2009年第一季度暴增1068%。這在第一季度iSuppli公司的DRAM供應(yīng)商排行榜中,是最強(qiáng)勁的表現(xiàn),而且遠(yuǎn)優(yōu)于總體產(chǎn)業(yè)。第一季度全球DRAM營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度增長(zhǎng)8.8%,比去年同期增長(zhǎng)178.1%。 在最近的三個(gè)季度中,力晶的營(yíng)收每季度都增長(zhǎng)近60%,推動(dòng)其排名上升。它在2009年第四
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM
2010年下半DRAM價(jià)格持續(xù)下滑
- 市場(chǎng)預(yù)估,過去1年來DRAM價(jià)格將首度在2010年6月出現(xiàn)下滑,價(jià)格下滑的原因是DRAM產(chǎn)量持續(xù)增加,和PC廠商力抗價(jià)格上揚(yáng)策略已成功。 DRAM價(jià)格下降也有助于壓低PC價(jià)格,對(duì)計(jì)劃采購(gòu)新PC的消費(fèi)者而言是個(gè)重要的消息。2010年早先,DRAM短缺導(dǎo)致芯片業(yè)者增加產(chǎn)量,以紓緩供給不足的問題。 不過研究機(jī)構(gòu)Gartner認(rèn)為,DRAM平均價(jià)格(ASP)將在2010年下半持續(xù)緩慢下滑,但同時(shí),DRAM廠商也會(huì)削減生產(chǎn)成本,以維持健康的毛利率。 Gartner指出,2010年早先,DRAM
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM LCD
Gartner預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存降價(jià)趨勢(shì)將持續(xù)到年底
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅(jiān)持反對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的強(qiáng)硬立場(chǎng),DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年6月出現(xiàn)了一年以來的首次下降。 內(nèi)存芯片價(jià)格下降對(duì)于每個(gè)購(gòu)買新PC的用戶來說都很重要,因?yàn)榘嘿F的DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格是PC價(jià)格在幾年來首次出現(xiàn)上漲的原因之一。但是,內(nèi)存芯片價(jià)格的下降是這個(gè)市場(chǎng)出現(xiàn)轉(zhuǎn)變的一個(gè)信號(hào)。今年年初出現(xiàn)的內(nèi)存芯片短缺導(dǎo)致芯片廠商提高產(chǎn)量,從而緩解了短缺情況。 現(xiàn)在,Gartner預(yù)測(cè)內(nèi)存芯片的平均銷售價(jià)格在2010年剩余的時(shí)間里將溫和下降,并且指出DRAM內(nèi)存廠商能夠
- 關(guān)鍵字: DRAM 內(nèi)存
茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM
- 臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略,近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟,將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品,采用72納米制程,目前已進(jìn)入試產(chǎn),這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場(chǎng)重要里程碑,對(duì)鈺創(chuàng)而言,亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。 2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda),但各家DRAM業(yè)者都意識(shí)到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,終究是一條不歸路,因此自 2010年開始,陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域,包括SDRAM、
- 關(guān)鍵字: Qimonda DRAM SDRAM
Gartner預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存降價(jià)趨勢(shì)將持續(xù)到年底
- 由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅(jiān)持反對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的強(qiáng)硬立場(chǎng),DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年 6月出現(xiàn)了一年以來的首次下降。 內(nèi)存芯片價(jià)格下降對(duì) 于每個(gè)購(gòu)買新PC的用戶來說都很重要,因?yàn)榘嘿F的DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格是PC價(jià)格在幾年來首次出現(xiàn)上漲的原因之一。但是,內(nèi)存芯片價(jià)格的下降是這個(gè)市場(chǎng)出 現(xiàn)轉(zhuǎn)變的一個(gè)信號(hào)。今年年初出現(xiàn)的內(nèi)存芯片短缺導(dǎo)致芯片廠商提高產(chǎn)量,從而緩解了短缺情況。 現(xiàn)在,Gartner預(yù)測(cè)內(nèi)存芯片的平均銷售價(jià)格在2010年剩余的時(shí)間里將溫和下降,并且指出DRAM內(nèi)存廠商能夠不斷降低生
- 關(guān)鍵字: DRAM 內(nèi)存芯片
南科切入手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)
- 臺(tái)塑集團(tuán)旗下的DRAM廠商南科副總經(jīng)理白培霖透露,預(yù)計(jì)第三季度試產(chǎn)手機(jī)內(nèi)存芯片、第四季度可量產(chǎn),將成為帶動(dòng)明年運(yùn)營(yíng)增長(zhǎng)。 白培霖表示,手機(jī)內(nèi)存芯片的市場(chǎng)變化較小,價(jià)格穩(wěn)健,南科決定加入手機(jī)內(nèi)存芯片生產(chǎn)行列。 他透露,預(yù)計(jì)今年第三季度開始試產(chǎn)低耗電的手機(jī)內(nèi)存芯片,第四季度量產(chǎn),目前已有多家手機(jī)客戶參與設(shè)計(jì)驗(yàn)證。產(chǎn)品涵蓋256MB、 512MB、1GB到2GB,未來也可延伸應(yīng)用到數(shù)字電視等消費(fèi)電子產(chǎn)品上面。 據(jù)悉,南科12寸廠最大月產(chǎn)能5萬片除了生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM之外,會(huì)有部分產(chǎn)能生產(chǎn)手
- 關(guān)鍵字: 南科 DRAM 手機(jī)內(nèi)存
聯(lián)電、爾必達(dá)第2階段合作朝交叉持股進(jìn)行
- 邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場(chǎng),聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會(huì)對(duì)外宣布;值得注意的是,業(yè)界透露,雙方技術(shù)合作僅是第1階段,未來第2階段考慮以交叉持股的方式,讓雙方的合作關(guān)系更為緊密,因此聯(lián)電為引進(jìn)策略聯(lián)盟伙伴而辦理的私募案,爾必達(dá)將是口袋人選之一。 聯(lián)電、爾必達(dá)和力成將于今日針對(duì)TSV技術(shù)舉行簽約儀式,這是近年來邏輯和存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域罕見的跨產(chǎn)業(yè)大合作,爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄過去是聯(lián)日半導(dǎo)體(UMCj)的總經(jīng)理,因此爾必達(dá)與聯(lián)電雙
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 邏輯
力晶首季銷售激增逾8成 躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商
- 研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示,力晶2010年首季銷售季成長(zhǎng)81%,已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。 全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營(yíng)收比前1季成長(zhǎng)8.8%,根據(jù)iSuppli的資料,前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的91%,前2大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix Semiconductor)總共占了50%。 市占率方面,三星電子和排名第4的美光(Micro Technology)小幅提升,第2和第3名的海力士和爾必達(dá)(Elpida Memory),則
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM
守望摩爾定律
- 摩爾定律的來歷 工作在半導(dǎo)體行業(yè)的人,可說無人不知摩爾定律(Moore's Law)。筆者在手頭一本詞典中對(duì)摩爾定律的解釋大致是:Inte1公司的創(chuàng)辦人之一戈登.摩爾(G.Moore)在l965年所作的觀察發(fā)現(xiàn),說集成電路上的元器件數(shù)量將會(huì)以每18個(gè)月翻一番的速度穩(wěn)定增長(zhǎng)。并說這個(gè)預(yù)言因IC的發(fā)展而得到證明被譽(yù)為“IT業(yè)第一定律”,后來,這一定律還經(jīng)常被用來形容其它高技術(shù)超常的發(fā)展速度。 集成電路是1958~l959年間發(fā)明的,到l965年身任仙童(Fairchil
- 關(guān)鍵字: Fairchild 摩爾定律 DRAM 201006
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