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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 176 層 nand

西部數(shù)據(jù)擴(kuò)展視頻存儲和分析產(chǎn)品系列 滿足終端智能視頻的動態(tài)需求

  • 　　北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個安防監(jiān)控存儲解決方案更新，擴(kuò)展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備系列。這一系列更新包括：業(yè)內(nèi)率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動管理其存儲子系統(tǒng)、維持運(yùn)行優(yōu)化狀態(tài)的新款設(shè)備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！　?lt;左1：西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)產(chǎn)品市場總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考慮因素

  • 　　前言　　多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動器擴(kuò)展到筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦，如今又?jǐn)U展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進(jìn)已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術(shù)相比，每存儲單位比特成本更低，其價(jià)值不言而喻?！　∽畛?，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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西部數(shù)據(jù)公司推出支持先進(jìn)汽車系統(tǒng)的新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤

  • 　　西部數(shù)據(jù)公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD)，豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案，用以滿足對先進(jìn)汽車系統(tǒng)和自動駕駛車輛的需求(如高級駕駛輔助系統(tǒng)ADAS)。西部數(shù)據(jù)公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強(qiáng)的性能，滿足了汽車設(shè)備嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求?！　≤嚶?lián)網(wǎng)需要以越來越高的容量快速可靠地存儲數(shù)據(jù)，以支持由數(shù)字集群、信息娛樂系統(tǒng)、3D地圖導(dǎo)航、遠(yuǎn)程信息處理、高級駕駛輔助系統(tǒng)的
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關(guān)于NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤，定位高端智能手機(jī)

  • ? ? ? ? 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。 <西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤> ? ? ? ?新款西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
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SK加碼投資NAND新廠，總金額上看178億美元

  • 　　根據(jù)《韓聯(lián)社》報(bào)導(dǎo)，這所新的M15新產(chǎn)線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動工，并已在今日完工啟用，新廠將加強(qiáng)韓國存儲器產(chǎn)業(yè)中的競爭力。SK計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)大這條產(chǎn)線，不過詳細(xì)內(nèi)容將會視市場狀況來決定。該廠將會在2019年第1季開始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲器，將會有月產(chǎn)20萬片的程度，類似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線。　　SK海力士會長崔泰源宣示，身為國家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會持續(xù)維持在市場的競爭力。韓國大統(tǒng)領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
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3D NAND時代已至！Xtacking技術(shù)點(diǎn)燃存儲國產(chǎn)化希望

  • 隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過渡，技術(shù)和產(chǎn)能齊升的態(tài)勢下，長江存儲以Xtacking技術(shù)切入3D NAND市場，為國產(chǎn)存儲技術(shù)的發(fā)展點(diǎn)燃了希望。
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不怕虧錢，未來十年長江存儲持續(xù)增加研發(fā)投入

  • 　　對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報(bào)記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入?！　≈瞥痰膬纱箅y點(diǎn)　　中國證券報(bào)：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方?　　高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數(shù)量可達(dá)幾百萬個。必須保證做到垂直地
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會上展出最新存儲主控芯片解決方案

  • 　　全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
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NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣?。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額

  • 　　近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項(xiàng)目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國成立大基金以來，促進(jìn)了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計(jì)劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，代工廠、DRAM和3D
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中國產(chǎn)能逐漸開出 內(nèi)存價(jià)格2019將下滑

  • 　　內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預(yù)測內(nèi)存價(jià)格將于開始下滑。　　資策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動。　　洪春暉進(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%，產(chǎn)
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基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法

  • 　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠桑渫負(fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：　　其主要特性如下：　　? 總?cè)萘?/li>
  • 關(guān)鍵字： NAND  NIOS II  FPGA  
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176 層 nand介紹

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